設(shè)計(jì)了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過(guò)對(duì)變壓器的并聯(lián)和串聯(lián)兩種功率合成形式進(jìn)行分析與比較,指出了匝數(shù)比、功率單元數(shù)目以及寄生電阻對(duì)變壓器功率合成性能的影響;提出了一種片上變壓器的設(shè)計(jì)方法,即采用多層金屬疊層并聯(lián)以及將功放單元內(nèi)置于變壓器線圈中的方式,解決了在CMOS工藝中設(shè)計(jì)變壓器時(shí)面臨的寄生電阻過(guò)大及有效耦合長(zhǎng)度不足等困難。設(shè)計(jì)的變壓器在2~3 GHz頻段內(nèi)的損耗小于1.35 dB,其功率合成效率高達(dá)76 以上,適合多模多頻段射頻前端的應(yīng)用。
標(biāo)簽:
CMOS
射頻功率放大器
變壓器
合成技術(shù)
上傳時(shí)間:
2014-12-24
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