PCB LAYOUT 基本規(guī)範(fàn)項次 項目 備註1 一般PCB 過板方向定義： PCB 在SMT 生產(chǎn)方向為短邊過迴焊爐(Reflow), PCB 長邊為SMT 輸送帶夾持邊. PCB 在DIP 生產(chǎn)方向為I/O Port 朝前過波焊爐(Wave Solder), PCB 與I/O 垂直的兩邊為DIP 輸送帶夾持邊.1.1 金手指過板方向定義： SMT: 金手指邊與SMT 輸送帶夾持邊垂直. DIP: 金手指邊與DIP 輸送帶夾持邊一致.2 SMD 零件文字框外緣距SMT 輸送帶夾持邊L1 需≧150 mil. SMD 及DIP 零件文字框外緣距板邊L2 需≧100 mil.3 PCB I/O port 板邊的螺絲孔(精靈孔)PAD 至PCB 板邊, 不得有SMD 或DIP 零件(如右圖黃色區(qū)).PAD
上傳時間： 2014-12-24
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凌力爾特公司提供了一個規(guī)模龐大且不斷成長的高電壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器繫列，這些器件是專為驅(qū)動高功率 LED 而設(shè)計的。
標(biāo)簽： LED 高電壓 降壓型轉(zhuǎn)換器 驅(qū)動高功率
上傳時間： 2013-11-12
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大型 TFT-LCD 的功率需求量之大似乎永遠(yuǎn)得不到滿足。電源必須滿足晶體管數(shù)目不斷增加和顯示器分辨率日益攀升的要求，並且還不能占用太大的板級空間。
標(biāo)簽： TFT-LCD 輸出穩(wěn)壓器 大型 顯示器
上傳時間： 2014-12-24
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LTC®4223 是一款符合微通信計算架構(gòu) (MicroTCA) 規(guī)範(fàn)電源要求的雙通道熱插拔 (Hot Swap™) 控制器，該規(guī)範(fàn)於近期得到了 PCI 工業(yè)計算機制造商組織 (PICMG) 的批準(zhǔn)。
上傳時間： 2014-12-24
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在汽車、工業(yè)和電信行業(yè)的設(shè)計師當(dāng)中，使用高功率升壓型轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)像正變得越來越普遍。當(dāng)需要 300W 或更高的功率時，必須在功率器件中實現(xiàn)高效率 (低功率損耗)，以免除增設(shè)龐大散熱器和采用強迫通風(fēng)冷卻的需要
標(biāo)簽： 348W 升壓型轉(zhuǎn)換器 功率 散熱器
上傳時間： 2014-12-01
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為簡化總線式RS485隔離器的設(shè)計，提出基于脈沖變壓器的總線式RS485隔離器的技術(shù)方案。該方案具有簡單實用、無需電源、無需考慮數(shù)據(jù)流向、在有限范圍內(nèi)波特率自適應(yīng)、底層用戶群體易于理解和掌控等特點。給出了基本實驗電路和脈沖變壓器的主要設(shè)計依據(jù)。基于脈沖變壓器的總線式RS485隔離器，尤其適合工業(yè)環(huán)境下半雙工的A、B兩線制RS485通信網(wǎng)的升級改造，其基本思想也適用于全雙工的W、X、Y、Z四線制RS485/RS422通信網(wǎng)。
上傳時間： 2013-10-07
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安規(guī)電容常識內(nèi)容有安規(guī)電容安全等級是應(yīng)用中允許的峰值脈沖電壓 過電壓等級（IEC664）,X,Y電容都是安規(guī)電容，火線零線間的是X電容,火線與地間的是Y電容。
上傳時間： 2013-11-03
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差動保護整定范例一： 三圈變壓器參數(shù)如下表： 變壓器容量Se 31500KVA 變壓器接線方式 Yn，y，d11 變壓器變比Ue 110kV/35kV/10kV 110kV側(cè)TA變比nTA 300/5 35KV側(cè)TA變比nTA 1000/5 10KV側(cè)TA變比nTA 2000/5 TA接線 外部變換方式 一次接線 10kV側(cè)雙分支 調(diào)壓ΔU ±8×1.25% 電流互感器接線系數(shù)Kjx 當(dāng)為Y接線時為1，當(dāng)為Δ接線時為 區(qū)外三相最大短路電流 假設(shè)為1000A(此值需根據(jù)現(xiàn)場情況計算確定) 計算： 高壓側(cè)二次額定電流 中壓側(cè)二次額定電流 低壓側(cè)二次額定電流
上傳時間： 2013-11-01
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找一塊電源仔細(xì)看一下，在電源部分中，跨接L-N之間的小方塊（單位是μF）電容就是X電容，通常在是電源入口的第一個；同樣，在電源部分的跨接L-PE和N-PE之間的藍(lán)色的安規(guī)電容（單位pF）就是Y電容，通常是成對出現(xiàn)的。 或者你可以形象的看，X電容具有2個輸入端，2個輸出端，很象X；Y電容具有一個輸入端，一個輸出端以及一個公共的大地，很象一個Y 沒有什么概念的，一個在差模回路上，一個在共模回路上，X、Y的名稱純粹是一個稱呼，就象是X和Y軸一樣 X電容主要用于流電源線路中，此時當(dāng)電容失時不致產(chǎn)生線間放電。X電容器的測試條件是：在交流電壓的有效值*1.5的電壓下工作100Hour；再加上1KV的高壓測試。Y電容器在一旦失效會導(dǎo)致放電危險（尤其是對外殼）時是強制使用的。Y類型電容器的測試條件是：在交流電壓的有效值*1.7的電壓下工作100Hour，加上2KV高壓測試。如果電容器用于不接地的II類產(chǎn)品中，則要增加至4KV。
上傳時間： 2013-10-24
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HCS08HCS12系列單片機 飛思卡爾公司的 HCS08/HCS12 系列 MCU，因其速度快、功能強、功耗小、價 格低等特點，在業(yè)界得到了廣泛的應(yīng)用。 在 HCS08/HCS12 系列 MCU 中，飛思卡爾引入了新的片上調(diào)試技術(shù)——BDM。 這種調(diào)試技術(shù)由于其優(yōu)越的性能而逐漸被業(yè)界接受，成為廣泛使用的MCU在線編程 調(diào)試方法。針對 BDM 技術(shù)，國外公司提供了功能強大的編程調(diào)試器，但價格高昂， 難以被國內(nèi)廣大用戶接受；國內(nèi)一些高校也進行了相關(guān)研究開發(fā)，但是研發(fā)的編程調(diào) 試器大多存在以下三個問題：一是隨著飛思卡爾MCU總線頻率的不斷提高，這些編 程調(diào)試器已經(jīng)不能適應(yīng)與高頻率MCU的通信的要求；二是無法與飛思卡爾的集成開 發(fā)環(huán)境 CodeWarrior 兼容，使用很不方便；三是由于采用 USB1.1 協(xié)議，導(dǎo)致整體通 信速度很慢。 本文對國內(nèi)外已有的HCS08/HCS12 編程調(diào)試器進行了深入的技術(shù)分析，綜合目 前微控制器的最新發(fā)展技術(shù)，提出了采用USB2.0 通信接口的編程調(diào)試器硬件及底層 驅(qū)動的設(shè)計方案，實現(xiàn)了一種新型高效的適用于飛思卡爾 HCS08/HCS12 系列 MCU 的 USBDM（Universal BDM，通用 BDM編程調(diào)試器)，有效地解決了國內(nèi)編程調(diào)試 器普遍存在的頻率瓶頸及通信速度。同時，本文在研究CodeWarrior的通信接口規(guī)范 的基礎(chǔ)上，剖析了CodeWarrior中通信接口函數(shù)的功能，實現(xiàn)了作者編程調(diào)試器體系 中的通信函數(shù)，使之適用于 CodeWarrior 開發(fā)環(huán)境。USBDM 編程調(diào)試器通信函數(shù)動 態(tài)鏈接庫的設(shè)計，不僅便于使用編程調(diào)試器進行二次開發(fā)，也方便了驅(qū)動程序的更新。
上傳時間： 2013-10-28
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