在QPSK調(diào)制方式下，分別研究推導(dǎo)了基于輔助數(shù)據(jù)的極大似然比信噪比估計算法研究、基于矩的信噪比估計算法研究以及基于高階累積量的信噪比估計算法。通過仿真比較了信噪比估計算法的性能，著重分析比較了采用的迭代次數(shù)及數(shù)據(jù)長度等參數(shù)對算法性能的影響，最終根據(jù)算法各自的特點給出了相應(yīng)的適用范圍。
標(biāo)簽： 信噪比 方法研究
上傳時間： 2013-10-20
上傳用戶：15736969615
占空比不可調(diào)矩形波產(chǎn)生電路 multisim 仿真
標(biāo)簽： multisim 矩形波 產(chǎn)生電路 仿真
上傳時間： 2013-11-04
上傳用戶：avensy
占空比可調(diào)矩形波產(chǎn)生電路 multisim仿真
標(biāo)簽： 矩形波 產(chǎn)生電路
上傳時間： 2013-11-08
上傳用戶：zhengjian
基于對信號的周期平穩(wěn)統(tǒng)計量的分析，提出了一種高斯白噪聲信道下的盲信噪比估計方法。對信號的調(diào)制方式?jīng)]有要求，也不需要發(fā)送端發(fā)送己知數(shù)據(jù)。
標(biāo)簽： 周期 信噪比
上傳時間： 2013-11-07
上傳用戶：hakim
介紹一種簡便的方法, 只用軟件就可以將轉(zhuǎn)換器位數(shù)提高, 并且還能同時提高采樣系統(tǒng)的信噪比。通過實際驗證, 證明該方法是成功的。
標(biāo)簽： A_D 過采樣 分辨率 信噪比
上傳時間： 2013-11-11
上傳用戶：zhenyushaw
以雙音多頻信號為例，通過運用快速傅里葉變換和Hanning窗等數(shù)學(xué)方法，分析了信號頻率，電平和相位之間的關(guān)系，推導(dǎo)出了計算非整周期正弦波形信噪比的算法，解決了數(shù)字信號處理中非整周期正弦波形信噪比計算精度低下的問題。以C編程語言進(jìn)行實驗，證明了算法的正確性和可重用性，并可極大的提高工作效率。
標(biāo)簽： 周期 信噪比 正弦 波形
上傳時間： 2014-01-18
上傳用戶：laomv123
本文針對傳統(tǒng)儀用放大電路的特點，介紹了一種高共模抑制比儀用放大電路，引入共模負(fù)反饋，大大提高了通用儀表放大器的共模抑制能力。
標(biāo)簽： 共模抑制比 儀用放大 電路 方案
上傳時間： 2013-11-10
上傳用戶：lingfei
開關(guān)電源并聯(lián)系統(tǒng)中往往存在兩個并聯(lián)電源性能參數(shù)不同甚至差異較大的情況，因此不能采用傳統(tǒng)的并聯(lián)均流方案來平均分?jǐn)傠娏鳎@就需要按各個電源模塊的輸出能力分擔(dān)輸出功率。基于這種靈活性的需要，本設(shè)計在采用主從設(shè)置法設(shè)計并聯(lián)均流開關(guān)電源的基礎(chǔ)上新增加了單片機(jī)控制模塊，實現(xiàn)了分流比可任意調(diào)節(jié)、各模塊電流可實時監(jiān)控的半智能化并聯(lián)開關(guān)電源系統(tǒng)。實測結(jié)果表明，該并聯(lián)開關(guān)電源系統(tǒng)分流比設(shè)置誤差小于0.5%，具有總過流和單路過流保護(hù)功能。
標(biāo)簽： 單片機(jī) 電流 并聯(lián) 電源設(shè)計
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：guojin_0704
環(huán)境溫度、光照強(qiáng)度和負(fù)載等因素對光伏電池的輸出特性影響很大，為了提高光伏電池的工作效率，需要準(zhǔn)確快速地跟蹤光伏電池的最大功率點。在分析了光伏電池的輸出特性的基礎(chǔ)上，建立了光伏電池的仿真模型；針對傳統(tǒng)爬山法的不足，采用了自適應(yīng)占空比擾動法對最大功率點進(jìn)行了跟蹤控制。給出了上述兩種算法的工作原理及設(shè)計過程。仿真結(jié)果表明：自適應(yīng)占空比擾動算法跟蹤迅速，減少了系統(tǒng)在最大功率點附近的振蕩現(xiàn)象，提高了系統(tǒng)的跟蹤速度和精度。
標(biāo)簽： MPPT 光伏電池 算法研究
上傳時間： 2013-12-04
上傳用戶：bakdesec
介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路。本文在原有Banba帶隙基準(zhǔn)電路的基礎(chǔ)上，通過采用共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)和引入負(fù)反饋環(huán)路的方法，大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結(jié)果表明：在-40~100 ℃的溫度范圍內(nèi)，輸出電壓擺動僅為1.7 mV，在低頻時達(dá)到100 dB以上的電源抑制比（PSRR），整個電路功耗僅僅只有30 μA。可以很好地應(yīng)用在低功耗高電源抑制比的LDO芯片設(shè)計中。
標(biāo)簽： CMOS 高電源抑制 帶隙基準(zhǔn) 電壓源
上傳時間： 2013-10-27
上傳用戶：thesk123
蟲蟲下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號-1
