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導彈發(fā)射

  • 射頻電路PCB設計中注意問題

      PCB 設計對于電路設計而言越來越重要。但不少設計者往往只注重原理設計,而對PCB 板的設計布局考慮不多,因此在完成的電路設計中常會出現EMC 問題。文中從射頻電路的特性出發,闡述了射頻電路PCB 設計中需要注意的一些問題。

    標簽: PCB 射頻電路

    上傳時間: 2013-10-24

    上傳用戶:jiangxiansheng

  • protel 99se進行射頻電路PCB設計的流程

    介紹了采用protel 99se進行射頻電路pcb設計的設計流程為了保證電路的性能。在進行射頻電路pcb設計時應考慮電磁兼容性,因而重點討論了元器件的布局與布線原則來達到電磁兼容的目的.關鍵詞 射頻電路 電磁兼容 布局

    標簽: protel PCB 99 se

    上傳時間: 2013-11-14

    上傳用戶:竺羽翎2222

  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導體的產品很多,應用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內部的晶片,圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發光二極體,其內部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發光而使LED發亮,如圖六所示。     半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

    標簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

  • 基于DDS AD9835的高壓射頻信號源的設計

    基于DDS AD9835的高壓射頻信號源的設計

    標簽: 9835 DDS AD 射頻信號源

    上傳時間: 2013-10-23

    上傳用戶:woshiayin

  • 交直流轉換器

    交直流轉換器 AT-VA2-D-A3-DD-ADL 1.產品說明 AT系列轉換器/分配器主要設計使用于一般訊號迴路中之轉換與隔離;如 4~20mA、0~10V、熱電偶(Type K, J, E, T)、熱電阻(Rtd-Pt100Ω)、荷重元、電位計(三線式)、電阻(二線式)及交流電壓/電流等訊號,機種齊全。 此款薄型設計的轉換器/分配器,除了能提供兩組訊號輸出(輸出間隔離)或24V激發電源供傳送器使用外,切換式電源亦提供了安裝的便利性。上方并設計了電源、輸入及輸出指示燈及可插拔式接線端子方便現場施工及工作狀態檢視。 2.產品特點 可選擇帶指撥開關切換,六種常規輸出信號0-5V/0~10V/1~5V/2~10V/4~20mA/ 0~20mA 可自行切換。 雙回路輸出完全隔離,可選擇不同信號。 設計了電源、輸入及輸出LED指示燈,方便現場工作狀態檢視。 規格選擇表中可指定選購0.1%精度 17.55mm薄型35mm導軌安裝。 依據CE國際標準規范設計。 3.技術規格 用途:信號轉換及隔離 過載輸入能力:電流:10×額定10秒 第二組輸出:可選擇 精確度: 交流: ≦±0.5% of F.S. 直流: ≦±0.2% of F.S. 輸入耗損: 交流電流:≤ 0.1VA; 交流電壓:≤ 0.15VA 反應時間: ≤ 250msec (10%~90% of FS) 輸出波紋: ≤ ±0.1% of F.S. 滿量程校正范圍:≤ ±10% of F.S.,2組輸出可個別調整 零點校正范圍:≤ ±10% of F.S.,2組輸出可個別調整 隔離:AC 2.0 KV 輸出1與輸出2之間 隔離抗阻:DC 500V 100MΩ 工作電源: AC 85~265V/DC 100~300V, 50/60Hz 或 AC/DC 20~56V (選購規格) 消耗功率: DC 4W, AC 6.0VA 工作溫度: 0~60 ºC 工作濕度: 20~95% RH, 無結露 溫度系數: ≤ 100PPM/ ºC (0~50 ºC) 儲存溫度: -10~70 ºC 保護等級: IP 42 振動測試: 1~800 Hz, 3.175 g2/Hz 外觀尺寸: 94.0mm x 94.0mm x 17.5mm 外殼材質: ABS防火材料,UL94V0 安裝軌道: 35mm DIN導軌 (EN50022) 重量: 250g 安全規范(LVD): IEC 61010 (Installation category 3) EMC: EN 55011:2002; EN 61326:2003 EMI: EN 55011:2002; EN 61326:2003 常用規格:AT-VA2-D-A3-DD-ADL 交直流轉換器,2組輸出,輸入交流輸入0-19.99mA,輸出1:4-20mA,輸出2:4-20mA,工作電源AC/DC20-56V

    標簽: 交直流 轉換器

    上傳時間: 2013-11-22

    上傳用戶:nem567397

  • GEMS壓力變送器3000系列-超高壓變送器

    6 GEMS壓力變送器3000系列-超高壓變送器 GEMS壓力變送器3000的行業應用: 船舶、工程機械 產品特點: ■工作壓力可高達10,000PSI ■高精度-在整個應用過程中,精度在±0.15%之內 ■高穩定性-長期漂移≤0.05%FS/6年 ■高的抗震動性能-采用了薄膜濺射式設計,取消了易破的連接線 GEMS壓力變送器3000的性能參數 精度 0.15%FS 重復性 0.03%FS 長期穩定性 0.06%F.S/年 壓力范圍 0-500、1000、2000、3000、5000、6000、7500、10,000psi 耐壓 2xF.S,15,000PSI,Max. 破裂壓力 7xFS 4xFS,對于10,000psi 疲勞壽命 108次滿量程循環 零點公差 0.5%F.S 量程公差 0.5%F.S,響應時間0.5毫秒 溫度影響 溫漂 1.5%FS(-20℃到80℃) 2%FS(-40℃到100℃) 2.7%FS(-55℃到120℃) GEMS壓力變送器3000的環境參數 振動 正弦曲線,峰值70g,5~5000HZ(根據MIL-STD810,514.2方法程序I) EMC 30V/m(100V/m Survivability) 電壓輸出 電路 見PDF文件(3線) 激勵 高于滿程電壓1.5VDC,最大到35VDC@6mA 最小環路電阻 (FS輸出/2)Kohms 供電靈敏度 0.01%FS/Volt 電流輸出 電路 2線 環路供電電壓 24VDC(7-35VDC) 輸出 4-20mA 最大環路電阻 (Vs-7)x50Ω 供電靈敏度 0.01%FS/V 比率輸出 輸出 0.5v到4.5v(3線)@5VDC供電 輸出激勵電壓 5VDC(4.75V-7VDC) GEMS壓力變送器3000的物理參數 殼體 IP65代碼G(NEMA4);IP67代碼F(NEMA6) 接液部件 17-4和15-5不銹鋼 電氣連接 見訂貨指南 壓力連接 1/4″NPT或G1/4 重量(約) 110g(電纜重量另加:75g/m) 機械震動 1000g/MIL-STD810,方法516.2,程序Ⅳ 加速度 在任意方向施加100g的穩定加速度時1bar(15psi)量程變送器的輸出會波動0.032%FS/g,量程增大到400bar(6000psi)時輸出波動會按對數遞減至0.0007%FS/g. 認證等級 CE

    標簽: GEMS 3000 壓力變送器 超高壓

    上傳時間: 2013-10-09

    上傳用戶:sdfsdfs1

  • CMOS射頻功率放大器中的變壓器合成技術

    設計了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對變壓器的并聯和串聯兩種功率合成形式進行分析與比較,指出了匝數比、功率單元數目以及寄生電阻對變壓器功率合成性能的影響;提出了一種片上變壓器的設計方法,即采用多層金屬疊層并聯以及將功放單元內置于變壓器線圈中的方式,解決了在CMOS工藝中設計變壓器時面臨的寄生電阻過大及有效耦合長度不足等困難。設計的變壓器在2~3 GHz頻段內的損耗小于1.35 dB,其功率合成效率高達76 以上,適合多模多頻段射頻前端的應用。

    標簽: CMOS 射頻功率放大器 變壓器 合成技術

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:ewtrwrtwe

  • 四位數碼管從一數到F,LED就向下移一位c語言代碼

    四位數碼管從一數到F,LED就向下移一位c語言代碼

    標簽: LED 數碼管 c語言 代碼

    上傳時間: 2014-12-25

    上傳用戶:1214209695

  • 基于NRF9E5射頻無線遙控系統的設計

    介紹了一種基于8051內核的無線射頻傳輸芯片nRF9E5,采用該芯片制作了撲翼微型飛行器的遙控系統,對遙控系統的收發裝置進行了硬件設計,并對設計出的硬件系統進行了軟件編程和系統的調試,實驗表明,該系統具有成本少、功耗低、尺寸小的特點,能以較高質量在100~150米范圍內進行信號的無線傳輸。

    標簽: NRF9E5 射頻 無線遙控系統

    上傳時間: 2013-11-17

    上傳用戶:1234xhb

  • 關于Si4432的無線射頻收發系統設計

    本文設計了一種基于無線收發芯片Si4432和C8051F930單片機的無線射頻收發系統。該系統由發送模塊和接收模塊組成。發送模塊主要將要發送的數據經C8051F930處理后,通過Si4432發送出去;在接收模塊中,Si4432則將數據正確接收后通過液晶顯示出來,從而實現短距離的無線通信。該系統實現了低功耗、小體積、高靈敏度條件下的高質量無線數據傳輸。

    標簽: 4432 Si 無線 射頻收發

    上傳時間: 2013-10-09

    上傳用戶:段璇琮*

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