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c++編寫的功率譜密度函數(shù)算法，實(shí)現(xiàn)了動(dòng)態(tài)讀取文件功能，小數(shù)據(jù)量分批處理，占用內(nèi)存小。內(nèi)附計(jì)算實(shí)例。
上傳時(shí)間： 2017-02-01
上傳用戶：rocketrevenge
單片機(jī)有著體積小、功耗低、功能強(qiáng)、性能價(jià)格比高、易于推廣應(yīng)用等顯著優(yōu)點(diǎn)，在自動(dòng)化裝置、智能儀器儀表、過程控制、通信、家用電器等許多領(lǐng)域得到日益廣泛的應(yīng)用。在許多基于單片機(jī)的應(yīng)用系統(tǒng)中，系統(tǒng)需要實(shí)現(xiàn)遙控功能，而紅外遙控則是被采用較多的一種方法。紅外遙控是通過紅外管發(fā)送紅外遙控編碼對(duì)其設(shè)備進(jìn)行控制的,不同設(shè)備的遙控發(fā)送的紅外遙控編碼都是不同的。由于紅外無線解決了有線連接的許多不便，因而受到了家電設(shè)備廠商、電腦外圍設(shè)備商、以及通信設(shè)備廠商的高度重視。 如果將遙控技術(shù)、單片機(jī)與D類音頻功率放大器結(jié)合起來，那么得到的產(chǎn)品將是非常前沿的。本次設(shè)計(jì)就是全遙控?cái)?shù)字音量控制的D 類功率放大器。
標(biāo)簽： 單片機(jī) 體積 價(jià)格 功耗
上傳時(shí)間： 2014-09-03
上傳用戶：weiwolkt
本文件包含三個(gè)小程序，分別為用fft實(shí)現(xiàn)功率譜估計(jì)、實(shí)現(xiàn)快速卷積和快速相關(guān)。對(duì)了解fft在c中的編程很有幫助
標(biāo)簽： 程序
上傳時(shí)間： 2014-10-13
上傳用戶：er1219
Buck-Boost級(jí)穩(wěn)態(tài)分析，Buck-Boost功率級(jí)小信號(hào)模型，Buck-Boost功率級(jí)的變型
標(biāo)簽： BUCK-BOOST 開關(guān) 功率級(jí) 電源
上傳時(shí)間： 2017-12-04
上傳用戶：小蔣1204
射頻功率放大器在雷達(dá)、無線通信、導(dǎo)航、衛(wèi)星通訊、電子對(duì)抗設(shè)備等系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用，是現(xiàn)代無線通信的關(guān)鍵設(shè)備.與傳統(tǒng)的行被放大器相比，射頻固態(tài)功率放大器具有體積小、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗低、壽命長(zhǎng)等一系列優(yōu)點(diǎn)；由于射頻功率放大器在軍事和個(gè)人通信系統(tǒng)中的地位非常重要，使得功率放大器的研制變得十分重要，因此對(duì)該課題的研究具有非常重要的意義.設(shè)計(jì)射頻集成功率放大器的常見工藝有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工藝具有較好的射頻特性和輸出功率能力，但其價(jià)格昂貴，工藝一致性差；CMOS工藝的功率輸出能力不大，很難應(yīng)用于高輸出功率的場(chǎng)合；而SiGe BiCMOS工藝的性能介于GaAS和CMOS工藝之間，價(jià)格相對(duì)低廉并和CMOS電路兼容，非常適合于中功率應(yīng)用場(chǎng)合.本文介紹了應(yīng)用與無線局域網(wǎng)和Ka波段的射頻集成功率放大器的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)，分別使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三種工藝.（1）由SMIC 0.18um CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的放大器工作頻率為2.4GHz，采用了兩級(jí)共源共柵電路結(jié)構(gòu)，在5V電源電壓下仿真結(jié)果為小信號(hào)增益22dB左右，1dB壓縮點(diǎn)處輸出功率為20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大飽和輸出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面積為1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器工作頻率為5.25GHz，分為前置推動(dòng)級(jí)和末級(jí)功率級(jí)，電源電壓為3.3V，仿真結(jié)果為小信號(hào)增益28dB左右，1dB壓縮點(diǎn)處輸出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大飽和輸出功率為29.5dBm，芯片面積為1.56mm"1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器工作頻率為27-32GHz，使用了三級(jí)功率放大器結(jié)構(gòu)，在電源電壓為5V下仿真結(jié)果為1dB壓縮點(diǎn)的輸出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大飽和輸出功率為29.9dBm且PAE大于25%，芯片面積為2.76mm"1.15mm.論文按照電路設(shè)計(jì)、仿真、版圖設(shè)計(jì)、流片和芯片測(cè)試的順序詳細(xì)介紹了功率放大器芯片的設(shè)計(jì)過程，對(duì)三種工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器進(jìn)行了對(duì)比，并通過各自的仿真結(jié)果對(duì)出現(xiàn)的問題進(jìn)行了詳盡的分析。
上傳時(shí)間： 2022-06-20
上傳用戶：shjgzh
HLW8032 是一款高精度的電能計(jì)量 IC,它采用 CMOS 制造工藝，主要用于單相應(yīng)用。它能夠測(cè)量線電壓和電流，并能計(jì)算有功功率，視在功率和功率因素。 該器件內(nèi)部集成了兩個(gè)∑-Δ型 ADC 和一個(gè)高精度的電能計(jì)量?jī)?nèi)核。HLW8032 可以通過 UART口進(jìn)行數(shù)據(jù)通訊，HLW8032 采用 5V 供電，內(nèi)置 3.579M 晶振，8PIN 的 SOP 封裝。 HLW8032 具有精度高、功耗小、可靠性高、適用環(huán)境能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，適用于單相兩線制電力用戶的電能計(jì)量。
標(biāo)簽： 功率計(jì)量模塊 hlw8032
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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設(shè)計(jì)要求：① 電路輸出功率大于4W，負(fù)載8Ω；② 頻率響應(yīng) 20~20KHz；③ 失真小，輸出波形基本不失真；④輸入阻抗不低于47KΩ；⑤輸入靈敏度為100mV。針對(duì)要求，文檔提供設(shè)計(jì)方案，并對(duì)方案進(jìn)行仿真驗(yàn)證。仿真通過Multisim軟件。
上傳時(shí)間： 2022-06-30
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最小的人體感應(yīng)模塊
標(biāo)簽： 人體感應(yīng) 模塊
上傳時(shí)間： 2013-05-23
上傳用戶：eeworm
微波功率合成技術(shù)
上傳時(shí)間： 2013-04-15
上傳用戶：eeworm
高功率激光加工及其應(yīng)用
上傳時(shí)間： 2013-04-15
上傳用戶：eeworm
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