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交流電壓，電流轉(zhuǎn)換器

交流電壓，電流轉(zhuǎn)換器特點(diǎn)：精確度0.25%滿刻度(RMS) 多種輸入,輸出選擇輸入與輸出絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘沖擊電壓測試5仟伏特(1.2x50us) (IEC255-4,ANSI C37.90a/1974) 突波電壓測試2.5仟伏特(0.25ms/1MHz) (IEC255-4) 尺寸小，穩(wěn)定性高 2:主要規(guī)格精確度:0.25%F.S.(RMS) (23 ±5℃) 輸入負(fù)載: <0.2VA(voltage) <0.2VA(current) 最大過載能力: Current related input:3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. ,25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input:maximum 2x rated continuous 輸出反應(yīng)時間: <250ms (0~90%) 輸出負(fù)載能力: <10mA for voltage mode <10V for current mode 輸出漣波: <0.1% F.S. 歸零調(diào)整范圍: 0~±5% F.S. 最大值調(diào)整范圍: 0~±10% F.S. 溫度系數(shù): 100ppm/℃ (0~50℃) 隔離特性: Input/Output/Power/Case 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 行動測試: ANSI C37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 5KV (1.2 x 50us) 突波測試: 2.5KV-0.25ms/1MHz 使用環(huán)境條件: -20~60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: -30~70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001

標(biāo)簽： 交流電壓電流轉(zhuǎn)換器

上傳時間： 2013-11-09

上傳用戶：非衣2016
微電腦型數(shù)學(xué)演算式隔離傳送器

特點(diǎn)：精確度0.1%滿刻度可作各式數(shù)學(xué)演算式功能如:A+B/A-B/AxB/A/B/A&B(Hi or Lo)/|A|/ 16 BIT類比輸出功能輸入與輸出絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘(input/output/power) 寬范圍交直流兩用電源設(shè)計尺寸小,穩(wěn)定性高

標(biāo)簽： 微電腦數(shù)學(xué)演算隔離傳送器

上傳時間： 2014-12-23

上傳用戶：ydd3625
3GHz射頻信號源模塊GR6710

產(chǎn)品概要： 3GHz射頻信號源模塊GR6710是軟件程控的虛擬儀器模塊，可以通過測控軟件產(chǎn)生9kHz到3GHz的射頻信號源和AM/FM/CW調(diào)制輸出，具有CPCI、PXI、SPI、RS232、RS485和自定義IO接口。產(chǎn)品描述： 3GHz射頻信號源模塊GR6710是軟件程控的虛擬儀器模塊，可以通過測控軟件產(chǎn)生9kHz到3GHz的射頻信號源和AM/FM/CW調(diào)制輸出，還可以通過IQ選件實(shí)現(xiàn)其它任意調(diào)制輸出。GR6710既可程控發(fā)生點(diǎn)頻信號和掃頻信號，也支持內(nèi)部調(diào)制和外部調(diào)制。GR6710可安裝于3U/6U背板上工作，也可以獨(dú)立供電工作，使用靈活。該模塊可用于通信測試、校準(zhǔn)信號源。技術(shù)指標(biāo) 頻率特性頻率范圍：9kHz～3GHz，500KHz以下指標(biāo)不保證頻率分辨率：3Hz，1Hz（載頻<10MHz時）頻率穩(wěn)定度：晶振保證電平特性電平范圍：-110dBm～+10dBm 電平分辨率：0.5dB 電平準(zhǔn)確度：≤±2.5dB@POWER<-90dBm，≤±1.5dB@POWER>-90dBm 輸出關(guān)斷功能頻譜純度諧波：9KHz～200MHz≥20dBc，200MHz～3GHz≥30dBc 非諧波：≤80dBc典型值（偏移10kHz，載頻<1GHz），≥68dBc（偏移10kHz，其它載頻），鎖相環(huán)小數(shù)分頻雜散≥64dBc（偏移10kHz） SSB相噪： ≤-98dBc/Hz 偏移20kHz（500MHz） ≤-102dBc/Hz 偏移20kHz（1GHz） ≤-90dBc/Hz 偏移20kHz（>1GHz）調(diào)制輸出：調(diào)幅AM、調(diào)頻FM、脈沖CW，其它調(diào)制輸出可以通過IQ選件實(shí)現(xiàn) 調(diào)制源：內(nèi)、外參考時鐘輸入和輸出：10MHz，14dBm 控制接口：CPCI、PXI、SPI、RS232、RS485、自定義GPIO 射頻和時鐘連接器：SMA-K 電源接口：背板供電、獨(dú)立供電可選電源及其功耗：+5V DC、±12V DC（紋波≤2%輸出電壓），≤38W 結(jié)構(gòu)尺寸：3U高度4槽寬度（100mm×160mm×82mm，不含連接器部分）工作環(huán)境：商業(yè)級溫度和工業(yè)級溫度可選，振動、沖擊、可靠性、MTBF 測控軟件功能：射頻信號發(fā)生、調(diào)制信號輸出、跳頻/掃頻信號發(fā)生、支持WindowsXP系統(tǒng) 成功案例: 通信綜測儀器內(nèi)部的信號源模塊無線電監(jiān)測設(shè)備內(nèi)部的信號校準(zhǔn)模塊無線電通信測試儀器的調(diào)制信號發(fā)生

標(biāo)簽： 3GHz 6710 GR 射頻信號源

上傳時間： 2013-11-13

上傳用戶：s363994250
電容的識別及讀數(shù)

電容尺寸及其容量大小的計算與識別

標(biāo)簽： 電容的識別

上傳時間： 2013-11-07

上傳用戶：star_in_rain
電子元器件的封裝尺寸

元器件封裝

標(biāo)簽： 電子元器件封裝尺寸

上傳時間： 2013-10-30

上傳用戶：zhyfjj
利用傳統(tǒng)旋鈕接口控制AD5111

數(shù)字電位計是機(jī)械電位計的最佳替代產(chǎn)品，因其具有小尺寸封裝、更高可靠性、高精度和更小電壓毛刺等優(yōu)勢。數(shù)字電位計可采用各種數(shù)字和手動接口。手動或按鈕接口直接通過兩個按鈕開關(guān)進(jìn)行控制，例如AD5116或AD5228。按向上按鈕可提高電阻，按向下按鈕可降低電阻，如圖1所示。

標(biāo)簽： 5111 AD 旋鈕接口控制

上傳時間： 2013-10-11

上傳用戶：wyiman
基于Gabor小波的人臉表情特征提取研究

為了使計算機(jī)能更好的識別人臉表情，對基于Gabor小波變換的人臉表情識別方法進(jìn)行了研究。首先對包含表情區(qū)域的靜態(tài)灰度圖像進(jìn)行預(yù)處理，包括對確定的人臉表情區(qū)域進(jìn)行尺寸和灰度歸一化，然后利用二維Gabor小波變換提取臉部表情特征，使用快速PCA方法對提取的Gabor小波特征初步降維。再在低維的空間中，利用Fisher準(zhǔn)則提取那些有利于分類的特征，最后用SVM分類器進(jìn)行分類。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，上述提出的方法比傳統(tǒng)的方法識別速度更快，能達(dá)到實(shí)時性的要求，并且具有很好的魯棒性，識別率高。

標(biāo)簽： Gabor 人臉特征提取

上傳時間： 2013-11-08

上傳用戶：小眼睛LSL
共源共柵兩級運(yùn)放中兩種補(bǔ)償方法的比較

給出了兩種應(yīng)用于兩級CMOS 運(yùn)算放大器的密勒補(bǔ)償技術(shù)的比較,用共源共柵密勒補(bǔ)償技術(shù)設(shè)計出的CMOS 運(yùn)放與直接密勒補(bǔ)償相比,具有更大的單位增益帶寬、更大的擺率和更小的信號建立時間等優(yōu)點(diǎn),還可以在達(dá)到相同補(bǔ)償效果的情況下極大地減小版圖尺寸. 通過電路級小信號等效電路的分析和仿真,對兩種補(bǔ)償技術(shù)進(jìn)行比較,結(jié)果驗(yàn)證了共源共柵密勒補(bǔ)償技術(shù)相對于直接密勒補(bǔ)償技術(shù)的優(yōu)越性.

標(biāo)簽： 共源共柵運(yùn)放補(bǔ)償比較

上傳時間： 2013-10-14

上傳用戶：gengxiaochao
高增益K波段MMIC低噪聲放大器

基于0．25gm PHEMT工藝，給出了兩個高增益K 波段低噪聲放大器．放大器設(shè)計中采用了三級級聯(lián)增加?xùn)艑挼碾娐方Y(jié)構(gòu)，通過前級源極反饋電感的恰當(dāng)選取獲得較高的增益和較低的噪聲；采用直流偏置上加阻容網(wǎng)絡(luò)，用來消除低頻增益和振蕩；三級電路通過電阻共用一組正負(fù)電源，使用方便，且電路性能較好，輸入輸出駐波比小于2．0；功率增益達(dá)24dB；噪聲系數(shù)小于3．5dB．兩個放大器都有較高的動態(tài)范圍和較小的面積，放大器ldB壓縮點(diǎn)輸出功率大于15dBm；芯片尺寸為1mm×2mm×0．1mm．該放大器可以應(yīng)用在24GHz汽車?yán)走_(dá)前端和26．5GHz本地多點(diǎn)通信系統(tǒng)中．

標(biāo)簽： MMIC 增益低噪聲放大器波段

上傳時間： 2014-12-23

上傳用戶：masochism
Construction Strategy of ESD P

Construction Strategy of ESD Protection CircuitAbstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic conceptions of ESD protection design are presented.Key words：ESD protection/On circuit, ESD design window, ESD current path1 引言靜電放電（ESD，Electrostatic Discharge）給電子器件環(huán)境會帶來破壞性的后果。它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS，Complementary Metal-Oxide Semiconductor）的特征尺寸不斷縮小，金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的柵氧厚度越來越薄，MOS 管能承受的電流和電壓也越來越小，因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗ESD 性能，需要從全芯片ESD 保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計來進(jìn)行考慮。

標(biāo)簽： Construction Strategy ESD of

上傳時間： 2013-11-09

上傳用戶：Aidane