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層體系結(jié)(jié)構(gòu)(gòu)

使用硬體描述語言HDL 設(shè)計(jì)硬體電路

使用硬體描述語言HDL 設(shè)計(jì)硬體電路，臺(tái)灣人寫的PPT講義，非常不錯(cuò)。VHDL硬件設(shè)計(jì)入門學(xué)習(xí)。VHDL基本語法架構(gòu)，VHDL的零件庫(Library)及包裝(Package)等內(nèi)容。

標(biāo)簽： HDL

上傳時(shí)間： 2014-01-22

上傳用戶：cxl274287265
實(shí)習(xí)目的本實(shí)驗(yàn)將練習(xí)如何運(yùn)用 DSP EVM 產(chǎn)生弦波。使學(xué)生能夠加深瞭解 TMS320C6701 EVM 發(fā)展系統(tǒng)的基本操作

實(shí)習(xí)目的本實(shí)驗(yàn)將練習(xí)如何運(yùn)用 DSP EVM 產(chǎn)生弦波。使學(xué)生能夠加深瞭解 TMS320C6701 EVM 發(fā)展系統(tǒng)的基本操作，及一些周邊的運(yùn)作。藉由產(chǎn)生弦波的實(shí)驗(yàn)，學(xué)習(xí)如何使用硬體及軟體。在軟體部份，使用 Code Composer Studio（CCS），包含 C 編輯器、連接器（linker）和 TI 所提供的C源始碼偵錯(cuò)器（debugger）。在硬體部份包括TMS320C67 的浮點(diǎn) DSP 和在 EVM 板子上的類比晶片。

標(biāo)簽： EVM C6701 320C 6701

上傳時(shí)間： 2016-05-05

上傳用戶：sclyutian
產(chǎn)生頻率選擇性衰落的雷利通道

產(chǎn)生頻率選擇性衰落的雷利通道，參數(shù)由天線結(jié)構(gòu)、OFDM系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)與功率延時(shí)結(jié)構(gòu)來決定。

標(biāo)簽：

上傳時(shí)間： 2014-12-20

上傳用戶：lizhizheng88
執(zhí)行步驟1: 執(zhí)行EX1126程式進(jìn)入學(xué)生考試系統(tǒng) 權(quán)限描述: 使用者查詢:於”姓名”中輸入”Arno”,於”學(xué)號(hào)”中輸入”good”,再按下”使用者查詢” 即可查詢. 修改使用者:於”姓名

執(zhí)行步驟1: 執(zhí)行EX1126程式進(jìn)入學(xué)生考試系統(tǒng) 權(quán)限描述: 使用者查詢:於”姓名”中輸入”Arno”,於”學(xué)號(hào)”中輸入”good”,再按下”使用者查詢” 即可查詢. 修改使用者:於”姓名”中輸入”GUEST”,於”學(xué)號(hào)”中輸入”0000”,再按下” 修改使用者即可修改: 功能描述: 使用者開始考試,於”姓名”中輸入自己的姓名,於”學(xué)號(hào)”中輸入學(xué)號(hào),再按下” 考試去”即可: 開始考試,同時(shí)系統(tǒng)紀(jì)錄考生狀態(tài)為”1”. 使用者考試,完成後按下”結(jié)算成績”,同時(shí)系統(tǒng)顯示紀(jì)錄考生該科分?jǐn)?shù),同時(shí)清除考生登入狀態(tài),使其無法重覆考試,老師並可查詢考生成績.

標(biāo)簽： 1126 Arno good EX

上傳時(shí)間： 2016-07-31

上傳用戶：chens000
一篇來自臺(tái)灣中華大學(xué)的論文--《無線射頻系統(tǒng)標(biāo)簽晶片設(shè)計(jì)》

一篇來自臺(tái)灣中華大學(xué)的論文--《無線射頻系統(tǒng)標(biāo)簽晶片設(shè)計(jì)》，彩色版。其摘要為：本論文討論使用於無線射頻辨識(shí)系統(tǒng)(RFID)之標(biāo)籤晶片系統(tǒng)的電路設(shè)計(jì)和晶片製作，初步設(shè)計(jì)標(biāo)籤晶片的基本功能，設(shè)計(jì)流程包含數(shù)位軟體及功能的模擬、基本邏輯閘及類比電路的設(shè)計(jì)與晶片電路的佈局考量。論文的第一部份是序論、射頻辨識(shí)系統(tǒng)的規(guī)劃、辨識(shí)系統(tǒng)的規(guī)格介紹及制定，而第二部份是標(biāo)籤晶片設(shè)計(jì)、晶片量測、結(jié)論。電路的初步設(shè)計(jì)功能為:使用電容作頻率緩衝的Schmitt trigger Clock、CRC-16的錯(cuò)誤偵測編碼、Manchester編碼及使用單一電路做到整流、振盪及調(diào)變的功能，最後完成晶片的實(shí)作。

標(biāo)簽： 大學(xué) 論文無線射頻

上傳時(shí)間： 2016-08-27

上傳用戶：tb_6877751
C語言的開發(fā)模式, 是編寫.c的Source Code, 再經(jīng)由Compiler編譯成Object Code。所謂Object Code指的是和硬體相關(guān)的機(jī)器指令, 也就是說當(dāng)我們想要把C程式移植到不

C語言的開發(fā)模式, 是編寫.c的Source Code, 再經(jīng)由Compiler編譯成Object Code。所謂Object Code指的是和硬體相關(guān)的機(jī)器指令, 也就是說當(dāng)我們想要把C程式移植到不同的硬體時(shí), 必須要重新Compile,以產(chǎn)生新的執(zhí)行檔。除了需要重新編譯外,新系統(tǒng)是否具備應(yīng)用程式所需的程式庫,include的檔案是否相容, 也是程式能否在新機(jī)器上順利編譯和執(zhí)行的條件之一。

標(biāo)簽： Code Object Compiler Source

上傳時(shí)間： 2017-04-02

上傳用戶：yph853211
Boost C++ Libraries 1.35.0

Boost C++ Libraries Free peer-reviewed portable C++ source libraries Boost C++ Libraries 基本上是一個(gè)免費(fèi)的 C++ 的跨平臺(tái)函式庫集合，基本上應(yīng)該可以把它視為 C++ STL 的功能再延伸；他最大的特色在於他是一個(gè)經(jīng)過「同行評(píng)審」（peer review，可參考維基百科）、開放原始碼的函式庫，而且有許多 Boost 的函式庫是由 C++ 標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)的人開發(fā)的，同時(shí)部分函式庫的功能也已經(jīng)成為 C++ TR1 (Technical Report 1，參考維基百科)、TR2、或是 C++ 0x 的標(biāo)準(zhǔn)了。它的官方網(wǎng)站是：http://www.boost.org/，包含了 104 個(gè)不同的 library；由於他提供的函式庫非常地多，的內(nèi)容也非常地多元，根據(jù)官方的分類，大致上可以分為下面這二十類：字串和文字處理（String and text processing）容器（Containers） Iterators 演算法（Algorithms） Function objects and higher-order programming 泛型（Generic Programming） Template Metaprogramming Preprocessor Metaprogramming Concurrent Programming 數(shù)學(xué)與數(shù)字（Math and numerics）正確性與測試（Correctness and testing）資料結(jié)構(gòu)（Data structures）影像處理（Image processing）輸入、輸出（Input/Output） Inter-language support 記憶體（Memory）語法分析（Parsing）程式介面（Programming Interfaces）其他雜項(xiàng) Broken compiler workarounds 其中每一個(gè)分類，又都包含了一個(gè)或多個(gè)函式庫，可以說是功能相當(dāng)豐富。

標(biāo)簽： Boost C++ Libraries

上傳時(shí)間： 2015-05-15

上傳用戶：fangfeng
ESD Protection in CMOS ICs

在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級(jí)的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程

標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in

上傳時(shí)間： 2020-06-05

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半導(dǎo)體製程概論 ppt版

半導(dǎo)體製程概論 ppt版

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上傳時(shí)間： 2013-08-03

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標(biāo)準(zhǔn)阻值系列表

標(biāo)準(zhǔn)阻值系列表

標(biāo)簽： 標(biāo)準(zhǔn) 阻值

上傳時(shí)間： 2013-06-14

上傳用戶：eeworm