在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時間： 2013-10-31
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N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降，得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構，N+緩沖層濃度及厚度存在最優值，只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。
標簽： PT-IGBT 緩沖層
上傳時間： 2013-11-12
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經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
標簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制
上傳時間： 2014-09-08
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為簡化總線式RS485隔離器的設計，提出基于脈沖變壓器的總線式RS485隔離器的技術方案。該方案具有簡單實用、無需電源、無需考慮數據流向、在有限范圍內波特率自適應、底層用戶群體易于理解和掌控等特點。給出了基本實驗電路和脈沖變壓器的主要設計依據?；诿}沖變壓器的總線式RS485隔離器，尤其適合工業環境下半雙工的A、B兩線制RS485通信網的升級改造，其基本思想也適用于全雙工的W、X、Y、Z四線制RS485/RS422通信網。
標簽： 485 RS 脈沖變壓器 總線式
上傳時間： 2013-10-07
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艾默生開關電源基礎
標簽： 開關電源
上傳時間： 2013-10-11
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X電容和Y電容的使用及注意方法
標簽： X電容 Y電容
上傳時間： 2013-11-22
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介紹X,Y電容的一片通俗易懂的資料
標簽： 電容
上傳時間： 2013-10-30
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理想的閱讀光源應具備白色光、無閃爍、亮度可調及光照均勻等特性，佳生護眼燈是一款亮度在600-1300LX范圍內六擋可調，采用全新冷陰極熒光燈管（即CCFL），壽命可達15000小時的護眼燈，依實物測繪的原理圖見附圖所示，供參考。
標簽： CCFL 可調光 分 護眼燈
上傳時間： 2013-10-17
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本內容提供了FR-E500-CH變頻用戶手冊
標簽： FR-E 500 CH 用戶手冊
上傳時間： 2013-11-13
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差動保護整定范例一： 三圈變壓器參數如下表： 變壓器容量Se 31500KVA 變壓器接線方式 Yn，y，d11 變壓器變比Ue 110kV/35kV/10kV 110kV側TA變比nTA 300/5 35KV側TA變比nTA 1000/5 10KV側TA變比nTA 2000/5 TA接線 外部變換方式 一次接線 10kV側雙分支 調壓ΔU ±8×1.25% 電流互感器接線系數Kjx 當為Y接線時為1，當為Δ接線時為 區外三相最大短路電流 假設為1000A(此值需根據現場情況計算確定) 計算： 高壓側二次額定電流 中壓側二次額定電流 低壓側二次額定電流
標簽： 變壓器 差動保護 工程師 整定
上傳時間： 2013-11-01
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