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差模<b>電感</b>器

  • 電路板布局原則

    電路板布局………………………………………42.1 電源和地…………………………………………………………………….42.1.1 感抗……………………………………………………………………42.1.2 兩層板和四層板………………………………………………………42.1.3 單層板和二層板設(shè)計(jì)中的微處理器地……………………………….42.1.4 信號(hào)返回地……………………………………………………………52.1.5 模擬數(shù)字和高壓…………………………………………………….52.1.6 模擬電源引腳和模擬參考電壓……………………………………….52.1.7 四層板中電源平面因該怎么做和不應(yīng)該怎么做…………………….52.2 兩層板中的電源分配……………………………………………………….62.2.1 單點(diǎn)和多點(diǎn)分配……………………………………………………….62.2.2 星型分配………………………………………………………………62.2.3 格柵化地……………………………………………………………….72.2.4 旁路和鐵氧體磁珠……………………………………………………92.2.5 使噪聲靠近磁珠……………………………………………………..102.3 電路板分區(qū)………………………………112.4 信號(hào)線……………………………………………………………………...122.4.1 容性和感性串?dāng)_……………………………………………………...122.4.2 天線因素和長(zhǎng)度規(guī)則………………………………………………...122.4.3 串聯(lián)終端傳輸線…………………………………………………..132.4.4 輸入阻抗匹配………………………………………………………...132.5 電纜和接插件……………………………………………………………...132.5.1 差模和共模噪聲……………………………………………………...142.5.2 串?dāng)_模型……………………………………………………………..142.5.3 返回線路數(shù)目……………………………………..142.5.4 對(duì)板外信號(hào)I/O的建議………………………………………………142.5.5 隔離噪聲和靜電放電ESD ……………………………………….142.6 其他布局問(wèn)題……………………………………………………………...142.6.1 汽車和用戶應(yīng)用帶鍵盤和顯示器的前端面板印刷電路板………...152.6.2 易感性布局…………………………………………………………...15

    標(biāo)簽: 電路板 布局

    上傳時(shí)間: 2013-10-10

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  • 印刷電路板設(shè)計(jì)原則

    減小電磁干擾的印刷電路板設(shè)計(jì)原則 內(nèi) 容 摘要……1 1 背景…1 1.1 射頻源.1 1.2 表面貼裝芯片和通孔元器件.1 1.3 靜態(tài)引腳活動(dòng)引腳和輸入.1 1.4 基本回路……..2 1.4.1 回路和偶極子的對(duì)稱性3 1.5 差模和共模…..3 2 電路板布局…4 2.1 電源和地…….4 2.1.1 感抗……4 2.1.2 兩層板和四層板4 2.1.3 單層板和二層板設(shè)計(jì)中的微處理器地.4 2.1.4 信號(hào)返回地……5 2.1.5 模擬數(shù)字和高壓…….5 2.1.6 模擬電源引腳和模擬參考電壓.5 2.1.7 四層板中電源平面因該怎么做和不應(yīng)該怎么做…….5 2.2 兩層板中的電源分配.6 2.2.1 單點(diǎn)和多點(diǎn)分配.6 2.2.2 星型分配6 2.2.3 格柵化地.7 2.2.4 旁路和鐵氧體磁珠……9 2.2.5 使噪聲靠近磁珠……..10 2.3 電路板分區(qū)…11 2.4 信號(hào)線……...12 2.4.1 容性和感性串?dāng)_……...12 2.4.2 天線因素和長(zhǎng)度規(guī)則...12 2.4.3 串聯(lián)終端傳輸線…..13 2.4.4 輸入阻抗匹配...13 2.5 電纜和接插件……...13 2.5.1 差模和共模噪聲……...14 2.5.2 串?dāng)_模型……..14 2.5.3 返回線路數(shù)目..14 2.5.4 對(duì)板外信號(hào)I/O的建議14 2.5.5 隔離噪聲和靜電放電ESD .14 2.6 其他布局問(wèn)題……...14 2.6.1 汽車和用戶應(yīng)用帶鍵盤和顯示器的前端面板印刷電路板...15 2.6.2 易感性布局…...15 3 屏蔽..16 3.1 工作原理…...16 3.2 屏蔽接地…...16 3.3 電纜和屏蔽旁路………………..16 4 總結(jié)…………………………………………17 5 參考文獻(xiàn)………………………17  

    標(biāo)簽: 印刷電路板 設(shè)計(jì)原則

    上傳時(shí)間: 2013-10-24

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  • 采用4mmX4mm QFN封裝的通用型TFT LCD偏置電源和白光LED驅(qū)動(dòng)器

    LTC3524 的 2.5V 至 6V 輸入電源範(fàn)圍非常適合於那些從鋰離子電池或者多節(jié)堿性或鎳電池供電的便攜式設(shè)備。LCD 和 LED 驅(qū)動(dòng)器的工作頻率均為 1.5MHz,因而允許使用纖巧、低成本的電感器和電容器。

    標(biāo)簽: 4mmX4mm QFN LCD LED

    上傳時(shí)間: 2013-11-22

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  • 雙通道8A DCDC uModule穩(wěn)壓器能夠容易地通過(guò)并聯(lián)來(lái)提供16A電流

    LTM®4616 是一款雙路輸入、雙路輸出 DC/DC μModule™ 穩(wěn)壓器,采用 15mm x 15mm x 2.8mm LGA 表面貼裝型封裝。由於開關(guān)控制器、MOSFET、電感器和其他支持元件均被集成在纖巧型封裝之內(nèi),因此只需少量的外部元件。

    標(biāo)簽: uModule DCDC 16A 雙通道

    上傳時(shí)間: 2013-10-27

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  • 將行動(dòng)裝置電池續(xù)航力最佳化的十個(gè)秘訣

    隨著可攜式及整合多項(xiàng)功能的電子裝置日益增加,電池運(yùn)行時(shí)間已成為產(chǎn)品差異化與客戶滿意度的關(guān)鍵因素。以下10項(xiàng)技術(shù)概述提供您提升行動(dòng)裝置 (如智慧型手機(jī)、平板電腦、無(wú)線感測(cè)器或胰島素輸液泵) 電池續(xù)航力的必備技巧。

    標(biāo)簽: 行動(dòng)裝置 電池 續(xù)航力

    上傳時(shí)間: 2013-10-26

    上傳用戶:fengweihao158@163.com

  • 微電腦型數(shù)學(xué)演算式雙輸出隔離傳送器

    特點(diǎn)(FEATURES) 精確度0.1%滿刻度 (Accuracy 0.1%F.S.) 可作各式數(shù)學(xué)演算式功能如:A+B/A-B/AxB/A/B/A&B(Hi or Lo)/|A| (Math functioA+B/A-B/AxB/A/B/A&B(Hi&Lo)/|A|/etc.....) 16 BIT 類比輸出功能(16 bit DAC isolating analog output function) 輸入/輸出1/輸出2絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘(Dielectric strength 2KVac/1min. (input/output1/output2/power)) 寬范圍交直流兩用電源設(shè)計(jì)(Wide input range for auxiliary power) 尺寸小,穩(wěn)定性高(Dimension small and High stability)

    標(biāo)簽: 微電腦 數(shù)學(xué)演算 輸出 隔離傳送器

    上傳時(shí)間: 2013-11-24

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  • 基于合成扼流圈的開關(guān)電源EMI濾波器設(shè)計(jì)

    摘要:為改善傳統(tǒng)EMI濾波器的濾波性能,分析并采用了合成扼流圈來(lái)替代傳統(tǒng)分立扼流圈,并根據(jù)濾波器阻抗失配原理,通過(guò)分析LISN網(wǎng)絡(luò)與噪聲源的阻抗特性,分別對(duì)共差模等效電路進(jìn)行分析與設(shè)計(jì),提出了基于合成扼流圈的開關(guān)電源EMI濾波器設(shè)計(jì)方法。試驗(yàn)結(jié)果證明,此方法是有效的,并已成功地應(yīng)用在燃料電池轎車用DC/DC變換器的控制電路板設(shè)計(jì)中。關(guān)鍵詞:開關(guān)電源;電磁干擾;合成扼流圈;共模電感

    標(biāo)簽: EMI 合成 扼流圈 開關(guān)電源

    上傳時(shí)間: 2013-10-17

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  • 單片直接驅(qū)動(dòng)數(shù)碼管的計(jì)數(shù)器程序

      a_bit equ 20h ;個(gè)位數(shù)存放處   b_bit equ 21h ;十位數(shù)存放處   temp equ 22h ;計(jì)數(shù)器寄存器   star: mov temp,#0 ;初始化計(jì)數(shù)器   stlop: acall display   inc temp   mov a,temp   cjne a,#100,next ;=100重來(lái)   mov temp,#0   next: ljmp stlop   ;顯示子程序   display: mov a,temp ;將temp中的十六進(jìn)制數(shù)轉(zhuǎn)換成10進(jìn)制   mov b,#10 ;10進(jìn)制/10=10進(jìn)制   div ab   mov b_bit,a ;十位在a   mov a_bit,b ;個(gè)位在b   mov dptr,#numtab ;指定查表啟始地址   mov r0,#4   dpl1: mov r1,#250 ;顯示1000次   dplop: mov a,a_bit ;取個(gè)位數(shù)   MOVC A,@A+DPTR ;查個(gè)位數(shù)的7段代碼   mov p0,a ;送出個(gè)位的7段代碼

    標(biāo)簽: 直接驅(qū)動(dòng) 數(shù)碼管 計(jì)數(shù)器 程序

    上傳時(shí)間: 2013-11-06

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  • 單片機(jī)指令系統(tǒng)原理

    單片機(jī)指令系統(tǒng)原理 51單片機(jī)的尋址方式 學(xué)習(xí)匯編程序設(shè)計(jì),要先了解CPU的各種尋址法,才能有效的掌握各個(gè)命令的用途,尋址法是命令運(yùn)算碼找操作數(shù)的方法。在我們學(xué)習(xí)的8051單片機(jī)中,有6種尋址方法,下面我們將逐一進(jìn)行分析。 立即尋址 在這種尋址方式中,指令多是雙字節(jié)的,一般第一個(gè)字節(jié)是操作碼,第二個(gè)字節(jié)是操作數(shù)。該操作數(shù)直接參與操作,所以又稱立即數(shù),有“#”號(hào)表示。立即數(shù)就是存放在程序存儲(chǔ)器中的常數(shù),換句話說(shuō)就是操作數(shù)(立即數(shù))是包含在指令字節(jié)中的。 例如:MOV  A,#3AH這條指令的指令代碼為74H、3AH,是雙字節(jié)指令,這條指令的功能是把立即數(shù)3AH送入累加器A中。MOV  DPTR,#8200H在前面學(xué)單片機(jī)的專用寄存器時(shí),我們已學(xué)過(guò),DPTR是一個(gè)16位的寄存器,它由DPH及DPL兩個(gè)8位的寄存器組成。這條指令的意思就是把立即數(shù)的高8位(即82H)送入DPH寄存器,把立即數(shù)的低8位(即00H)送入DPL寄存器。這里也特別說(shuō)明一下:在80C51單片機(jī)的指令系統(tǒng)中,僅有一條指令的操作數(shù)是16位的立即數(shù),其功能是向地址指針DPTR傳送16位的地址,即把立即數(shù)的高8位送入DPH,低8位送入DPL。 直接尋址 直接尋址方式是指在指令中操作數(shù)直接以單元地址的形式給出,也就是在這種尋址方式中,操作數(shù)項(xiàng)給出的是參加運(yùn)算的操作數(shù)的地址,而不是操作數(shù)。例如:MOV  A,30H  這條指令中操作數(shù)就在30H單元中,也就是30H是操作數(shù)的地址,并非操作數(shù)。 在80C51單片機(jī)中,直接地址只能用來(lái)表示特殊功能寄存器、內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器以及位地址空間,具體的說(shuō)就是:1、內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM低128單元。在指令中是以直接單元地址形式給出。我們知道低128單元的地址是00H-7FH。在指令中直接以單元地址形式給出這句話的意思就是這0-127共128位的任何一位,例如0位是以00H這個(gè)單元地址形式給出、1位就是以01H單元地址給出、127位就是以7FH形式給出。2、位尋址區(qū)。20H-2FH地址單元。3、特殊功能寄存器。專用寄存器除以單元地址形式給出外,還可以以寄存器符號(hào)形式給出。例如下面我們分析的一條指令 MOV  IE,#85H 前面的學(xué)習(xí)我們已知道,中斷允許寄存器IE的地址是80H,那么也就是這條指令可以以MOV  IE,#85H 的形式表述,也可以MOV  80H,#85H的形式表述。 關(guān)于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM的內(nèi)部情況,請(qǐng)查看我們課程的第十二課。 直接尋址是唯一能訪問(wèn)特殊功能寄存器的尋址方式! 大家來(lái)分析下面幾條指令:MOV  65H,A       ;將A的內(nèi)容送入內(nèi)部RAM的65H單元地址中MOV  A,direct    ;將直接地址單元的內(nèi)容送入A中MOV  direct,direct;將直接地址單元的內(nèi)容送直接地址單元MOV  IE,#85H      ;將立即數(shù)85H送入中斷允許寄存器IE 前面我們已學(xué)過(guò),數(shù)據(jù)前面加了“#”的,表示后面的數(shù)是立即數(shù)(如#85H,就表示85H就是一個(gè)立即數(shù)),數(shù)據(jù)前面沒(méi)有加“#”號(hào)的,就表示后面的是一個(gè)地址地址(如,MOV 65H,A這條指令的65H就是一個(gè)單元地址)。 寄存器尋址 寄存器尋址的尋址范圍是:1、4個(gè)工作寄存器組共有32個(gè)通用寄存器,但在指令中只能使用當(dāng)前寄存器組(工作寄存器組的選擇在前面專用寄存器的學(xué)習(xí)中,我們已知道,是由程序狀態(tài)字PSW中的RS1和RS0來(lái)確定的),因此在使用前常需要通過(guò)對(duì)PSW中的RS1、RS0位的狀態(tài)設(shè)置,來(lái)進(jìn)行對(duì)當(dāng)前工作寄存器組的選擇。2、部份專用寄存器。例如,累加器A、通用寄存器B、地址寄存器DPTR和進(jìn)位位CY。 寄存器尋址方式是指操作數(shù)在寄存器中,因此指定了寄存器名稱就能得到操作數(shù)。例如:MOV A,R0這條指令的意思是把寄存器R0的內(nèi)容傳送到累加器A中,操作數(shù)就在R0中。INC R3這條指令的意思是把寄存器R3中的內(nèi)容加1 從前面的學(xué)習(xí)中我產(chǎn)應(yīng)可以理解到,其實(shí)寄存器尋址方式就是對(duì)由PSW程序狀態(tài)字確定的工作寄存器組的R0-R7進(jìn)行讀/寫操作。 寄存器間接尋址 寄存間接尋址方式是指寄存器中存放的是操作數(shù)的地址,即操作數(shù)是通過(guò)寄存器間接得到的,因此稱為寄存器間接尋址。 MCS-51單片機(jī)規(guī)定工作寄存器的R0、R1做為間接尋址寄存器。用于尋址內(nèi)部或外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的256個(gè)單元。為什么會(huì)是256個(gè)單元呢?我們知道,R0或者R1都是一個(gè)8位的寄存器,所以它的尋址空間就是2的八次方=256。例:MOV  R0,#30H  ;將值30H加載到R0中    MOV  A,@R0    ;把內(nèi)部RAM地址30H內(nèi)的值放到累加器A中    MOVX A,@R0    ;把外部RAM地址30H內(nèi)的值放到累加器A中 大家想想,如果用DPTR做為間址寄存器,那么它的尋址范圍是多少呢?DPTR是一個(gè)16位的寄存器,所以它的尋址范圍就是2的十六次方=65536=64K。因用DPTR做為間址寄存器的尋址空間是64K,所以訪問(wèn)片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),我們通常就用DPTR做為間址寄存器。例:MOV   DPTR,#1234H  ;將DPTR值設(shè)為1234H(16位)    MOVX  A,@DPTR      ;將外部RAM或I/O地址1234H內(nèi)的值放到累加器A中 在執(zhí)行PUSH(壓棧)和POP(出棧)指令時(shí),采用堆棧指針SP作寄存器間接尋址。例:PUSH  30H    ;把內(nèi)部RAM地址30H內(nèi)的值放到堆棧區(qū)中堆棧區(qū)是由SP寄存器指定的,如果執(zhí)行上面這條命令前,SP為60H,命令執(zhí)行后會(huì)把內(nèi)部RAM地址30H內(nèi)的值放到RAM的61H內(nèi)。 那么做為寄存器間接尋址用的寄存器主要有哪些呢?我們前面提到的有四個(gè),R0、R1、DPTR、SP 寄存器間接尋址范圍總結(jié):1、內(nèi)部RAM低128單元。對(duì)內(nèi)部RAM低128單元的間接尋址,應(yīng)使用R0或R1作間址寄存器,其通用形式為@Ri(i=0或1)。 2、外部RAM 64KB。對(duì)外部RAM64KB的間接尋址,應(yīng)使用@DPTR作間址尋址寄存器,其形式為:@DPTR。例如MOVX A,@DPTR;其功能是把DPTR指定的外部RAM的單元的內(nèi)容送入累加器A中。外部RAM的低256單元是一個(gè)特殊的尋址區(qū),除可以用DPTR作間址寄存器尋址外,還可以用R0或R1作間址寄存器尋址。例如MOVX  A,@R0;這條指令的意思是,把R0指定的外部RAM單元的內(nèi)容送入累加器A。 堆棧操作指令(PUSH和POP)也應(yīng)算作是寄存器間接尋址,即以堆棧指針SP作間址寄存器的間接尋址方式。 寄存器間接尋址方式不可以訪問(wèn)特殊功能寄存器!! 寄存器間接尋址也須以寄存器符號(hào)的形式表示,為了區(qū)別寄存器尋址我寄存器間接尋址的區(qū)別,在寄存器間接尋址方式式中,寄存器的名稱前面加前綴標(biāo)志“@”。 基址寄存器加變址寄存器的變址尋址 這種尋址方式以程序計(jì)數(shù)器PC或DPTR為基址寄存器,累加器A為變址寄存器,變址尋址時(shí),把兩者的內(nèi)容相加,所得到的結(jié)果作為操作數(shù)的地址。這種方式常用于訪問(wèn)程序存儲(chǔ)器ROM中的數(shù)據(jù)表格,即查表操作。變址尋址只能讀出程序內(nèi)存入的值,而不能寫入,也就是說(shuō)變址尋址這種方式只能對(duì)程序存儲(chǔ)器進(jìn)行尋址,或者說(shuō)它是專門針對(duì)程序存儲(chǔ)器的尋址方式。例:MOVC  A,@A+DPTR這條指令的功能是把DPTR和A的內(nèi)容相加,再把所得到的程序存儲(chǔ)器地址單元的內(nèi)容送A假若指令執(zhí)行前A=54H,DPTR=3F21H,則這條指令變址尋址形成的操作數(shù)地址就是54H+3F21H=3F75H。如果3F75H單元中的內(nèi)容是7FH,則執(zhí)行這條指令后,累加器A中的內(nèi)容就是7FH。 變址尋址的指令只有三條,分別如下:JMP    @A+DPTRMOVC   A,@A+DPTRMOVC   A,@A+PC 第一條指令JMP @A+DPTR這是一條無(wú)條件轉(zhuǎn)移指令,這條指令的意思就是DPTR加上累加器A的內(nèi)容做為一個(gè)16位的地址,執(zhí)行JMP這條指令是,程序就轉(zhuǎn)移到A+DPTR指定的地址去執(zhí)行。 第二、三條指令MOVC   A,@A+DPTR和MOVC   A,@A+PC指令這兩條指令的通常用于查表操作,功能完全一樣,但使用起來(lái)卻有一定的差別,現(xiàn)詳細(xì)說(shuō)明如下。我們知道,PC是程序指針,是十六位的。DPTR是一個(gè)16位的數(shù)據(jù)指針寄存器,按理,它們的尋址范圍都應(yīng)是64K。我們?cè)趯W(xué)習(xí)特殊功能寄存器時(shí)已知道,程序計(jì)數(shù)器PC是始終跟蹤著程序的執(zhí)行的。也就是說(shuō),PC的值是隨程序的執(zhí)行情況自動(dòng)改變的,我們不可以隨便的給PC賦值。而DPTR是一個(gè)數(shù)據(jù)指針,我們就可以給空上數(shù)據(jù)指針DPTR進(jìn)行賦值。我們?cè)倏粗噶頜OVC   A,@A+PC這條指令的意思是將PC的值與累加器A的值相加作為一個(gè)地址,而PC是固定的,累加器A是一個(gè)8位的寄存器,它的尋址范圍是256個(gè)地址單元。講到這里,大家應(yīng)可明白,MOVC   A,@A+PC這條指令的尋址范圍其實(shí)就是只能在當(dāng)前指令下256個(gè)地址單元。所在,這在我們實(shí)際應(yīng)用中,可能就會(huì)有一個(gè)問(wèn)題,如果我們需要查詢的數(shù)據(jù)表在256個(gè)地址單元之內(nèi),則可以用MOVC   A,@A+PC這條指令進(jìn)行查表操作,如果超過(guò)了256個(gè)單元,則不能用這條指令進(jìn)行查表操作。剛才我們已說(shuō)到,DPTR是一個(gè)數(shù)據(jù)指針,這個(gè)數(shù)據(jù)指針我們可以給它賦值操作的。通過(guò)賦值操作。我們可以使MOVC   A,@A+DPTR這條指令的尋址范圍達(dá)到64K。這就是這兩條指令在實(shí)際應(yīng)用當(dāng)中要注意的問(wèn)題。 變址尋址方式是MCS-51單片機(jī)所獨(dú)有的一種尋址方式。 位尋址 80C51單片機(jī)有位處理功能,可以對(duì)數(shù)據(jù)位進(jìn)行操作,因此就有相應(yīng)的位尋址方式。所謂位尋址,就是對(duì)內(nèi)部RAM或可位尋址的特殊功能寄存器SFR內(nèi)的某個(gè)位,直接加以置位為1或復(fù)位為0。 位尋址的范圍,也就是哪些部份可以進(jìn)行位尋址: 1、我們?cè)诘谑n學(xué)習(xí)51單片機(jī)的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)時(shí),我們已知道在單片機(jī)的內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM的低128單元中有一個(gè)區(qū)域叫位尋址區(qū)。它的單元地址是20H-2FH。共有16個(gè)單元,一個(gè)單元是8位,所以位尋址區(qū)共有128位。這128位都單獨(dú)有一個(gè)位地址,其位地址的名字就是00H-7FH。這里就有一個(gè)比較麻煩的問(wèn)題需要大家理解清楚了。我們?cè)谇懊娴膶W(xué)習(xí)中00H、01H。。。。7FH等等,所表示的都是一個(gè)字節(jié)(或者叫單元地址),而在這里,這些數(shù)據(jù)都變成了位地址。我們?cè)谥噶钪校蛘咴诔绦蛑腥绾蝸?lái)區(qū)分它是一個(gè)單元地址還是一個(gè)位地址呢?這個(gè)問(wèn)題,也就是我們現(xiàn)在正在研究的位尋址的一個(gè)重要問(wèn)題。其實(shí),區(qū)分這些數(shù)據(jù)是位地址還是單元地址,我們都有相應(yīng)的指令形式的。這個(gè)問(wèn)題我們?cè)诤竺娴闹噶钕到y(tǒng)學(xué)習(xí)中再加以論述。 2、對(duì)專用寄存器位尋址。這里要說(shuō)明一下,不是所有的專用寄存器都可以位尋址的。具體哪些專用寄存器可以哪些專用寄存器不可以,請(qǐng)大家回頭去看看我們前面關(guān)于專用寄存器的相關(guān)文章。一般來(lái)說(shuō),地址單元可以被8整除的專用寄存器,通常都可以進(jìn)行位尋址,當(dāng)然并不是全部,大家在應(yīng)用當(dāng)中應(yīng)引起注意。 專用寄存器的位尋址表示方法: 下面我們以程序狀態(tài)字PSW來(lái)進(jìn)行說(shuō)明 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 CY   AC  F0  RS1  RS0  OV    P  1、直接使用位地址表示:看上表,PSW的第五位地址是D5,所以可以表示為D5H   MOV  C,D5H 2、位名稱表示:表示該位的名稱,例如PSW的位5是F0,所以可以用F0表示   MOV  C,F(xiàn)0 3、單元(字節(jié))地址加位表示:D0H單元位5,表示為DOH.5    MOV  C,D0H.5 4、專用寄存器符號(hào)加位表示:例如PSW.5    MOV C,PSW.5 這四種方法實(shí)現(xiàn)的功能都是相同的,只是表述的方式不同而已。 例題:   1. 說(shuō)明下列指令中源操作數(shù)采用的尋址方式。   MOV R5,R7 答案:寄存器尋址方式   MOV A,55H 直接尋址方式   MOV A,#55H 立即尋址方式   JMP @A+DPTR 變址尋址方式   MOV 30H,C 位尋址方式   MOV A,@R0 間接尋址方式   MOVX A,@R0 間接尋址方式 改錯(cuò)題   請(qǐng)判斷下列的MCS-51單片機(jī)指令的書寫格式是否有錯(cuò),若有,請(qǐng)說(shuō)明錯(cuò)誤原因。   MOV R0,@R3 答案:間址寄存器不能使用R2~R7。   MOVC A,@R0+DPTR 變址尋址方式中的間址寄存器不可使用R0,只可使用A。   ADD R0,R1 運(yùn)算指令中目的操作數(shù)必須為累加器A,不可為R0。   MUL AR0 乘法指令中的乘數(shù)應(yīng)在B寄存器中,即乘法指令只可使用AB寄存器組合。

    標(biāo)簽: 單片機(jī)指令 系統(tǒng)原理

    上傳時(shí)間: 2013-11-11

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  • 用單片機(jī)內(nèi)置比較器設(shè)計(jì)高精度A/D變換器

    Σ-ΔA/D技術(shù)具有高分辨率、高線性度和低成本的特點(diǎn)。本文基于TI公司的MSP430F1121單片機(jī),介紹了采用內(nèi)置比較器和外圍電路構(gòu)成類似于Σ-△的高精度A/D實(shí)現(xiàn)方案,適合用于對(duì)溫度、壓力和電壓等緩慢變化信號(hào)的采集應(yīng)用。 在各種A/D轉(zhuǎn)換器中,最常用是逐次逼近法(SAR)A/D,該類器件具有轉(zhuǎn)換時(shí)間固定且快速的特點(diǎn),但難以顯著提高分辨率;積分型A/D 有較強(qiáng)的抗干擾能力,但轉(zhuǎn)換時(shí)間較長(zhǎng);過(guò)采樣Σ-ΔA/D由于其高分辨率,高線性度及低成本的特點(diǎn),正得到越來(lái)越多的應(yīng)用。根據(jù)這些特點(diǎn),本文以TI公司的MSP430F1121單片機(jī)實(shí)現(xiàn)了一種類似于Σ-ΔA/D技術(shù)的高精度轉(zhuǎn)換器方案。 MSP430F1121是16位RISC結(jié)構(gòu)的FLASH型單片機(jī),該芯片有14個(gè)雙向I/O口并兼有中斷功能,一個(gè)16位定時(shí)器兼有計(jì)數(shù)和定時(shí)功能。I/O口輸出高電平時(shí)電壓接近Vcc,低電平時(shí)接近Vss,因此,一個(gè)I/O口可以看作一位DAC,具有PWM功能。 該芯片具有一個(gè)內(nèi)置模擬電壓比較器,只須外接一只電阻和電容即可構(gòu)成一個(gè)類似于Σ-Δ技術(shù)的高精度單斜率A/D。一般而言,比較器在使用過(guò)程中會(huì)受到兩種因素的影響,一種是比較器輸入端的偏置電壓的積累;另一種是兩個(gè)輸入端電壓接近到一程度時(shí),輸出端會(huì)產(chǎn)生振蕩。 MSP430F1121單片機(jī)在比較器兩輸入端對(duì)應(yīng)的單片機(jī)端口與片外輸入信號(hào)的連接線路保持不變的情況下,可通過(guò)軟件將比較器兩輸入端與對(duì)應(yīng)的單片機(jī)端口的連接線路交換,并同時(shí)將比較器的輸出極性變換,這樣抵消了比較器的輸入端累積的偏置電壓。通過(guò)在內(nèi)部將輸出連接到低通濾波器后,即使在比較器輸入端兩比較電壓非常接近,經(jīng)過(guò)濾波后也不會(huì)出現(xiàn)輸出端的振蕩現(xiàn)象,從而消除了輸出端震蕩的問(wèn)題。利用內(nèi)置比較器實(shí)現(xiàn)高精度A/D圖1是一個(gè)可直接使用的A/D轉(zhuǎn)換方案,該方案是一個(gè)高精度的積分型A/D轉(zhuǎn)換器。其基本原理是用單一的I/O端口,執(zhí)行1位的數(shù)模轉(zhuǎn)換,以比較器的輸出作反饋,來(lái)維持Vout與Vin相等。圖1:利用MSP430F1121實(shí)現(xiàn)的實(shí)用A/D轉(zhuǎn)換器電路方案。

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