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市場分析

開關電源中功率MOSFET管損壞模式及分析

結合功率MOSFET管不同的失效形態，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下損壞的模式，并說明了產生這樣的損壞形態的原因，也分析了功率MOSFET管在關斷及開通過程中發生失效形態的差別，從而為失效在關斷或在開通過程中發生損壞提供了判斷依據。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態老化測試中慢速開通、在電池保護電路應用中慢速關斷及較長時間工作在線性區時損壞的形態。最后，結合實際應用，論述了功率MOSFET通常會產生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。

標簽： MOSFET 開關電源功率分

上傳時間： 2013-11-14

上傳用戶：dongqiangqiang
鎂合金微弧氧化電源驅動電路的可靠性分析

微弧氧化是一種新型的表面處理方法，利用該電路可輸出雙端不對稱的高壓脈沖，且脈沖幅值、頻率、占空比均在一定范圍內連續可調。本文首先介紹了微弧氧化電源技術的發展現狀，然后對試驗中使用過的幾種IGBT驅動模塊M57959、2ED300、2SD315 3種驅動電路的結構、工作原理和使用性能做了詳細分析對比。實驗表明，Eupec系列的2ED300驅動電路結構簡單，可靠性高，適用于大功率微弧氧化電源的驅動。

標簽： 鎂合金氧化可靠性分析電源驅動電路

上傳時間： 2014-01-21

上傳用戶：hahayou
一種無片外電容LDO的穩定性分析

電路如果存在不穩定性因素，就有可能出現振蕩。本文對比分析了傳統LDO和無片電容LDO的零極點，運用電流緩沖器頻率補償設計了一款無片外電容LDO，電流緩沖器頻率補償不僅可減小片上補償電容而且可以增加帶寬。對理論分析結果在Cadence平臺基上于CSMC0.5um工藝對電路進行了仿真驗證。本文無片外電容LDO的片上補償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當在輸入電源電壓6 V時輸出電流從100 μA到100 mA變化時，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz

標簽： LDO 無片外電容穩定性分析

上傳時間： 2014-12-24

上傳用戶：wangjin2945
A3機芯開關電源電路分析與檢修

A3機芯開關電源電路分析與檢修

標簽： A3機芯開關電源電路分析檢修

上傳時間： 2013-10-14

上傳用戶：yimoney
RC橋式正弦波振蕩電路的輸出幅值分析

在RC橋式正弦波振蕩電路的研究中，一般文獻只給出電路的振蕩條件、起振條件、振蕩頻率等技術指標，而不涉及電路輸出幅值的大小。本文通過理論分析、Multisim仿真實驗測試，研究了決定電路輸出幅值的因素，即輸出電壓的幅值與電路起振時電壓放大倍數的大小有關，在電路的線性工作范圍內，起振時電壓放大倍數比3大得越多，最后的穩定輸出電壓幅值也越大。研究結論有利于系統地研究振蕩電路的構成及電路元件參數的選擇。

標簽： RC橋正弦波振蕩電路幅值

上傳時間： 2013-11-03

上傳用戶：潛水的三貢
配電網長架空線路電壓壓降分析與計算

配電網架空線路是城郊及農村最常用線路敷設方式，對供電距離較長的架空線路，電壓壓降問題尤其值得重視。以實際工程施工線路電壓壓降問題為例，針對線路電壓壓降和無功補償配置問題，給出了分析方法和計算過程，通過方案比對，得出最優供電方案。

標簽： 配電網架空線路壓降分析電壓

上傳時間： 2013-10-29

上傳用戶：wangcehnglin
EE型松耦合變壓器的精確磁路模型和仿真分析

介紹電動汽車感應充電系統松耦合變壓器的特性，通過Ansoft有限元分析軟件對松耦合變壓器進行仿真分析，結合簡化磁路模型和磁力線分布，得出大氣隙下的EE磁芯的精確模型。結合精確模型和模擬結果，給出橫截面積對耦合系數的影響，實際制作變壓器，測量發現，面積增加，耦合系數得到提高，輸出電壓能力增強，為松耦合變壓器的優化設計和進一步實驗提供理論指導和參考。

標簽： 松耦合變壓器仿真分析磁路

上傳時間： 2013-10-10

上傳用戶：行旅的喵
數控開關電源設計及原理分析

數控開關電源設計及原理分析

標簽： 數控開關分電源設計

上傳時間： 2013-12-20

上傳用戶：sclyutian
三極管放大電路分析

三極管放大電路分析

標簽： 三極管放大電路分析

上傳時間： 2014-01-09

上傳用戶：boyaboy
110～240 VAC交流數字信號輸入接口電路分析與軟件實現

110～240 VAC交流數字信號輸入接口電路分析與軟件實現

標簽： 110 240 VAC 交流

上傳時間： 2013-11-30

上傳用戶：asaqq