干耦合超聲檢測方法由于無需在待檢測材料表面涂抹水或油等液體耦合劑，操作方便，移動靈活，適用于固體火箭發動機殼體、飛機機翼等一些對結構完整性要求較高且需要長期使用或貯存的部件。當利用干耦合方法對復合材料平板結構進行檢測時，激發出的Lamb波攜帶有大量結構或缺陷的信息，如缺陷的類型、大小、位置等，采用合理的分析方法提取出信號中的有用信息，就能對材料中的損傷做出評估。
上傳時間： 2021-10-18
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電視干擾與抑制方法
標簽： 電視干擾
上傳時間： 2022-01-23
上傳用戶：jiabin
本書包括電路中噪聲抑制技術實踐應用的方方面面。涵蓋了兩種基本的噪聲控制方法:屏蔽和接地；介紹了其他一些噪聲抑制技術:如電路平衡、去禍、濾波等;還介紹了電纜布線、無源器件、觸點保護、本征噪聲源、有源器件的噪聲等方面的內容;同時還介紹了數字電路與靜電放電的噪聲和輻射方面的問題。本書適合于從事電子設備或系統設計的工程師使用，也可作為實用噪聲抑制技術的教材。此書網上可下載的都有亂碼 本身對此全部糾正極大方便了閱讀
上傳時間： 2022-02-16
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標簽： labview
上傳時間： 2022-02-19
上傳用戶：得之我幸78
從3G-5G小區間干擾抑制技術綜述一、概述： 干擾,泛指一切進入信道或通信系統對合法信號的正常工作造成了影響非期 望信號。移動通信系統的干擾是影響無線網絡掉話率、接通率等系統指標的重要 因素之一。它嚴重影響了網絡的正常運行和用戶的通話質量。 1.1、干擾的分類： （1）、從頻段上可分為上行干擾與下行干擾。上行干擾定義為干擾信號在移 動網絡上行段,基站受外界射頻干擾源干擾。上行干擾的后果是造成基站覆蓋率 的降低。物理上看,在無上行干擾的情況下,基站能夠接收較遠處手機信號。當上 行干擾出現時,期望的手機信號需強于干擾信號,基站才能與手機聯絡,因此手機 必須離基站更近,因此造成了基站覆蓋率的降低。下行干擾是指干擾源所發干擾 信號在移動網絡下行頻段,手機接收到干擾信號,無法區分正常基站信號,使手機 與基站聯絡中斷,造成掉話或無法登記。由于基站下行信號通常較強,對 GSM 來說, 當某一下行頻點被干擾時,手機能夠選擇次強頻點,與其他基站聯絡。而 CDMA 本 身即自擾系統,因此上行干擾的危害比下行干擾更嚴重。
上傳時間： 2022-02-25
上傳用戶：kingwide
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標簽： labview
上傳時間： 2022-03-03
上傳用戶：jiabin
設計功率MOSFET驅動電路時需重點考慮寄生參數對電路的影響。米勒電容作為MOSFET器件的一項重要參數,在驅動電路的設計時需要重點關注。重點觀察了MOSFET的開通和關斷過程中柵極電壓、漏源極電壓和漏源極電流的變化過程,并分析了米勒電容、寄生電感等寄生參數對漏源極電壓和漏源極電流的影響。分析了柵極電壓在米勒平臺附近產生振蕩的原因,并提出了抑制措施,對功率MOSFET的驅動設計具有一定的指導意義。When designing the drive circuit of power MOSFET,the influence of parasitic parameters on the circuit should be concerned.As an important parameter of MOSFET device,Miller capacitance should be considered in the design of drive circuit.The variation of gate voltage,drain source voltage and drain source current during the turn-on and turn-off of MOSFET were observed.The influences of parasitic parameters such as Miller capacitance and parasitic inductance on drain source voltage and drain source current were analyzed.The reasons of gate voltage oscillation nearby Miller plateau were analyzed,and the restraining measures were put forward.This research was instructive for the drive design of power MOSFET.
標簽： mosfet
上傳時間： 2022-04-02
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本文檔是村田噪聲抑制基礎教程電子書歡迎免費下載
標簽： 噪聲抑制
上傳時間： 2022-05-12
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自20世紀80年代以來，以IGBT為代表的雙極型復合器件的迅速發展，使得電力電子器件沿著高電壓、大電流、高頻化、模塊化的方向發展，逆變技術日趨大容量化、高性能化，這使得采用大功率逆變電源作為艦船的主要供電電源成為可能。以igBT為主開關件的船大功逆變電源設計中，由于 KBт開關頻率、開關速度的提高以及容量的提升（目前3 300 V-1 500 A的 KBT模塊已投入實際應用），流經KBT的電流迅速變化，主電路母線的分布電感產生的瞬時電壓尖峰會施加在KBT兩端，如果處理不當，會使KBT的開關工作軌跡超出器件的SOA（Safe Operation Area安全工作區域），從而對逆變電源的正常運行構成威脅"1.本文對大功率逆變電源KBT關斷時產生電壓尖峰的機理進行了說明，并對影響關斷電壓尖峰的主要因素進行了分析。通過應用疊層復合母排降低了主電路母線的分布電感，通過設計合適的吸收電路改善了開關軌跡，從而抑制關斷電壓尖峰，使大功率逆變電源的開關器件運行在可靠的工作范圍內。
上傳時間： 2022-06-21
上傳用戶：d1997wayne
由于來自電路的EMI噪聲發射、傳導和輻射的過程十分復雜，因此抑制這種EM噪聲非常困難。為了提高靜噪效率，必須全面考察采取靜噪措施的位置和方法。在本手冊的前半部分，我們將通過引用實驗數據闡述電路發射EMI噪聲的原理以及EM噪聲通過電路傳導和輻射的原理。同時，我們還將闡述抑制EMI噪聲的方法。在本手冊的后半部分，將講述使用EM靜噪濾波器采取靜噪措施的注意事項，并給出EM靜噪濾波器在典型電路中的應用示例。我們衷心希望您在考慮靜噪措施時參考本手冊。由于發生EMI噪聲問題的電路中使用很多IC，使得EMI噪聲發射過程變得非常復雜。為了能夠將EMI噪聲現象說明得簡單清楚，本章將通過使用2、3個C的實驗電路示例來描述電路發射EM噪聲的過程。
上傳時間： 2022-07-06
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