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底層結(jié)構(gòu)

一種基于CPLD和多處理器結(jié)構(gòu)的控制網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)方案

節(jié)點(diǎn)是網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的基本控制單元，論文提出了一種基于CPLD和多處理器結(jié)構(gòu)的控制網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)方案，它能夠提高單節(jié)點(diǎn)并行處理能力，其模塊化結(jié)構(gòu)增強(qiáng)了節(jié)點(diǎn)的可靠性。

標(biāo)簽： CPLD 多處理器控制網(wǎng)絡(luò) 節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2013-08-31

上傳用戶：shanxiliuxu
COOLMOS_原理結(jié)構(gòu)

看到不少網(wǎng)友對(duì)COOLMOS感興趣，把自己收集整理的資料、個(gè)人理解發(fā)出來，與大家共享。個(gè)人理解不一定完全正確，僅供參考。COOLMOS（super junction）原理，與普通VDMOS的差異如下：對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)，大家都知道Rdson與BV這一對(duì)矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson就大了。所以對(duì)于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是對(duì)于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對(duì)Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？

標(biāo)簽： COOLMOS

上傳時(shí)間： 2014-12-23

上傳用戶：標(biāo)點(diǎn)符號(hào)
CoolMos的原理、結(jié)構(gòu)及制造

對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對(duì)于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。但是對(duì)于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對(duì)Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？對(duì)于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié)，對(duì)于一個(gè)PN結(jié)，耐壓時(shí)主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場(chǎng)大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散，所以此結(jié)構(gòu)下，P body區(qū)域一側(cè)，耗盡區(qū)擴(kuò)展很小，基本對(duì)承壓沒有多大貢獻(xiàn)，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域，這個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度是逐漸變化的，越是靠近PN結(jié)面（a圖的A結(jié)），電場(chǎng)強(qiáng)度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。

標(biāo)簽： CoolMos 制造

上傳時(shí)間： 2013-11-11

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鎖相環(huán)技術(shù)及CD4046的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

敘述了鎖相環(huán)的應(yīng)用及其結(jié)構(gòu)特點(diǎn), 較詳細(xì)地介紹了鎖相集成電路CD4046的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和應(yīng)用。

標(biāo)簽： 4046 CD 鎖相環(huán)技術(shù)

上傳時(shí)間： 2013-10-27

上傳用戶：gxm2052
撓性印制板拐角防撕裂結(jié)構(gòu)信號(hào)傳輸性能分析

撓性印制板很容易在大應(yīng)力的作用下造成開裂或斷裂，在設(shè)計(jì)時(shí)常在拐角處采用抗撕裂結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以更好地改善FPC的抗撕裂的性能。

標(biāo)簽： 撓性印制信號(hào)傳輸性能分析

上傳時(shí)間： 2013-11-22

上傳用戶：crazyer
基于滑模變結(jié)構(gòu)控制的Buck變換器

為了實(shí)現(xiàn)對(duì)Buck變換器直流輸出電壓的精確控制，優(yōu)化變換器的性能，提出了一種基于雙滑模面控制的控制策略，建立了數(shù)學(xué)模型，并推導(dǎo)了變換器滑模面的存在條件。通過仿真實(shí)驗(yàn)表明，采用雙滑模面控制滑模變結(jié)構(gòu)控制的Buck變換器具有滑模控制快速響應(yīng)、魯棒性強(qiáng)等特點(diǎn)。

標(biāo)簽： Buck 滑模變結(jié)構(gòu) 控制變換器

上傳時(shí)間： 2013-11-20

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結(jié)構(gòu)電流模式與電壓模式的比較中文

結(jié)構(gòu)電流模式與電壓模式的比較中文

標(biāo)簽： 電流模式電壓模式比較

上傳時(shí)間： 2013-11-16

上傳用戶：1406054127
YJ 電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)詳述

YJ 電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)詳述

標(biāo)簽： YJ 電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

上傳時(shí)間： 2013-10-09

上傳用戶：頂?shù)弥?/p>
5種經(jīng)典開關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

開關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

標(biāo)簽： 開關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

上傳時(shí)間： 2014-12-24

上傳用戶：JIEWENYU
照明規(guī)范,_接地結(jié)構(gòu)和EMC解決方案

照明規(guī)范,_接地結(jié)構(gòu)和EMC解決方案

標(biāo)簽： EMC 照明方案

上傳時(shí)間： 2013-11-13

上傳用戶：asdstation

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