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射頻遙控在家電遙控器中的應用電路圖

射頻遙控在家電遙控器中的應用電路圖

標簽： 射頻遙控家電遙控器中的應用電路圖

上傳時間： 2013-11-19

上傳用戶：erkuizhang
寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器

利用MOS場效應管(MOSFET)，采取AB類推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術，設計出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊，其輸出脈沖功率達1200W，工作頻段0.6M~10MHz。調試及實用結果表明，該放大器工作穩定，性能可靠

標簽： 寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器

上傳時間： 2013-11-17

上傳用戶：waitingfy
射頻電路PCB設計

射頻電路PCB設計

標簽： PCB 射頻電路

上傳時間： 2014-01-13

上傳用戶：a1054751988
射頻電路PCB設計中注意問題

PCB 設計對于電路設計而言越來越重要。但不少設計者往往只注重原理設計,而對PCB 板的設計布局考慮不多,因此在完成的電路設計中常會出現EMC 問題。文中從射頻電路的特性出發,闡述了射頻電路PCB 設計中需要注意的一些問題。

標簽： PCB 射頻電路

上傳時間： 2013-10-24

上傳用戶：jiangxiansheng
protel 99se進行射頻電路PCB設計的流程

介紹了采用protel 99se進行射頻電路pcb設計的設計流程為了保證電路的性能。在進行射頻電路pcb設計時應考慮電磁兼容性，因而重點討論了元器件的布局與布線原則來達到電磁兼容的目的.關鍵詞射頻電路電磁兼容布局

標簽： protel PCB 99 se

上傳時間： 2013-11-14

上傳用戶：竺羽翎2222
PCB被動組件的隱藏特性解析

PCB 被動組件的隱藏特性解析傳統上，EMC一直被視為「黑色魔術（black magic）」。其實，EMC是可以藉由數學公式來理解的。不過，縱使有數學分析方法可以利用，但那些數學方程式對實際的EMC電路設計而言，仍然太過復雜了。幸運的是，在大多數的實務工作中，工程師并不需要完全理解那些復雜的數學公式和存在于EMC規范中的學理依據，只要藉由簡單的數學模型，就能夠明白要如何達到EMC的要求。本文藉由簡單的數學公式和電磁理論，來說明在印刷電路板（PCB）上被動組件（passivecomponent）的隱藏行為和特性，這些都是工程師想讓所設計的電子產品通過EMC標準時，事先所必須具備的基本知識。導線和PCB走線導線（wire）、走線（trace）、固定架……等看似不起眼的組件，卻經常成為射頻能量的最佳發射器（亦即，EMI的來源）。每一種組件都具有電感，這包含硅芯片的焊線（bond wire）、以及電阻、電容、電感的接腳。每根導線或走線都包含有隱藏的寄生電容和電感。這些寄生性組件會影響導線的阻抗大小，而且對頻率很敏感。依據LC 的值（決定自共振頻率）和PCB走線的長度，在某組件和PCB走線之間，可以產生自共振（self-resonance），因此，形成一根有效率的輻射天線。在低頻時，導線大致上只具有電阻的特性。但在高頻時，導線就具有電感的特性。因為變成高頻后，會造成阻抗大小的變化，進而改變導線或PCB 走線與接地之間的EMC 設計，這時必需使用接地面（ground plane）和接地網格（ground grid）。導線和PCB 走線的最主要差別只在于，導線是圓形的，走線是長方形的。導線或走線的阻抗包含電阻R和感抗XL = 2πfL，在高頻時，此阻抗定義為Z = R + j XL j2πfL，沒有容抗Xc = 1/2πfC存在。頻率高于100 kHz以上時，感抗大于電阻，此時導線或走線不再是低電阻的連接線，而是電感。一般而言，在音頻以上工作的導線或走線應該視為電感，不能再看成電阻，而且可以是射頻天線。

標簽： PCB 被動組件

上傳時間： 2013-10-09

上傳用戶：時代將軍
基于DDS AD9835的高壓射頻信號源的設計

基于DDS AD9835的高壓射頻信號源的設計

標簽： 9835 DDS AD 射頻信號源

上傳時間： 2013-10-23

上傳用戶：woshiayin
交直流轉換器

交直流轉換器 AT-VA2-D-A3-DD-ADL 1．產品說明 AT系列轉換器/分配器主要設計使用于一般訊號迴路中之轉換與隔離；如 4~20mA、0~10V、熱電偶(Type K, J, E, T)、熱電阻(Rtd-Pt100Ω)、荷重元、電位計(三線式)、電阻(二線式)及交流電壓/電流等訊號，機種齊全。此款薄型設計的轉換器/分配器，除了能提供兩組訊號輸出（輸出間隔離）或24V激發電源供傳送器使用外，切換式電源亦提供了安裝的便利性。上方并設計了電源、輸入及輸出指示燈及可插拔式接線端子方便現場施工及工作狀態檢視。 2.產品特點可選擇帶指撥開關切換，六種常規輸出信號0-5V/0~10V/1~5V/2~10V/4~20mA/ 0~20mA 可自行切換。雙回路輸出完全隔離，可選擇不同信號。設計了電源、輸入及輸出LED指示燈，方便現場工作狀態檢視。規格選擇表中可指定選購0.1%精度 17.55mm薄型35mm導軌安裝。依據CE國際標準規范設計。 3.技術規格用途：信號轉換及隔離過載輸入能力：電流：10×額定10秒第二組輸出：可選擇精確度: 交流: ≦±0.5% of F.S. 直流: ≦±0.2% of F.S. 輸入耗損: 交流電流:≤ 0.1VA; 交流電壓:≤ 0.15VA 反應時間: ≤ 250msec (10%~90% of FS) 輸出波紋: ≤ ±0.1% of F.S. 滿量程校正范圍:≤ ±10% of F.S.，2組輸出可個別調整零點校正范圍:≤ ±10% of F.S.，2組輸出可個別調整隔離:AC 2.0 KV 輸出1與輸出2之間隔離抗阻：DC 500V 100MΩ 工作電源: AC 85~265V/DC 100~300V, 50/60Hz 或 AC/DC 20~56V (選購規格) 消耗功率: DC 4W, AC 6.0VA 工作溫度: 0~60 ºC 工作濕度: 20~95% RH, 無結露溫度系數: ≤ 100PPM/ ºC (0~50 ºC) 儲存溫度: -10~70 ºC 保護等級: IP 42 振動測試: 1~800 Hz, 3.175 g2/Hz 外觀尺寸: 94.0mm x 94.0mm x 17.5mm 外殼材質: ABS防火材料，UL94V0 安裝軌道: 35mm DIN導軌 (EN50022) 重量: 250g 安全規范(LVD): IEC 61010 (Installation category 3) EMC: EN 55011:2002; EN 61326:2003 EMI: EN 55011:2002; EN 61326:2003 常用規格：AT-VA2-D-A3-DD-ADL 交直流轉換器，2組輸出，輸入交流輸入0-19.99mA，輸出1:4-20mA,輸出2：4-20mA，工作電源AC/DC20-56V

標簽： 交直流轉換器

上傳時間： 2013-11-22

上傳用戶：nem567397
GEMS壓力變送器3000系列-超高壓變送器

6 GEMS壓力變送器3000系列-超高壓變送器 GEMS壓力變送器3000的行業應用：船舶、工程機械產品特點： ■工作壓力可高達10,000PSI ■高精度-在整個應用過程中,精度在±0.15%之內 ■高穩定性-長期漂移≤0.05%FS/6年 ■高的抗震動性能-采用了薄膜濺射式設計,取消了易破的連接線 GEMS壓力變送器3000的性能參數精度 0.15%FS 重復性 0.03%FS 長期穩定性 0.06%F.S/年壓力范圍 0-500、1000、2000、3000、5000、6000、7500、10,000psi 耐壓 2xF.S,15,000PSI,Max. 破裂壓力 7xFS 4xFS,對于10,000psi 疲勞壽命 108次滿量程循環零點公差 0.5%F.S 量程公差 0.5%F.S,響應時間0.5毫秒溫度影響溫漂 1.5%FS(-20℃到80℃) 2%FS(-40℃到100℃) 2.7%FS(-55℃到120℃) GEMS壓力變送器3000的環境參數振動正弦曲線,峰值70g,5～5000HZ(根據MIL-STD810,514.2方法程序I) EMC 30V/m(100V/m Survivability) 電壓輸出電路見PDF文件(3線) 激勵高于滿程電壓1.5VDC,最大到35VDC@6mA 最小環路電阻 (FS輸出/2)Kohms 供電靈敏度 0.01%FS/Volt 電流輸出電路 2線環路供電電壓 24VDC(7-35VDC) 輸出 4-20mA 最大環路電阻 (Vs-7)x50Ω 供電靈敏度 0.01%FS/V 比率輸出輸出 0.5v到4.5v(3線)@5VDC供電輸出激勵電壓 5VDC(4.75V-7VDC) GEMS壓力變送器3000的物理參數殼體 IP65代碼G(NEMA4);IP67代碼F(NEMA6) 接液部件 17-4和15-5不銹鋼電氣連接見訂貨指南壓力連接 1/4″NPT或G1/4 重量(約) 110g(電纜重量另加:75g/m) 機械震動 1000g/MIL-STD810,方法516.2,程序Ⅳ 加速度在任意方向施加100g的穩定加速度時1bar(15psi)量程變送器的輸出會波動0.032%FS/g,量程增大到400bar(6000psi)時輸出波動會按對數遞減至0.0007%FS/g. 認證等級 CE

標簽： GEMS 3000 壓力變送器超高壓

上傳時間： 2013-10-09

上傳用戶：sdfsdfs1
CMOS射頻功率放大器中的變壓器合成技術

設計了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對變壓器的并聯和串聯兩種功率合成形式進行分析與比較，指出了匝數比、功率單元數目以及寄生電阻對變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設計方法，即采用多層金屬疊層并聯以及將功放單元內置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設計變壓器時面臨的寄生電阻過大及有效耦合長度不足等困難。設計的變壓器在2～3 GHz頻段內的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應用。

標簽： CMOS 射頻功率放大器變壓器合成技術

上傳時間： 2014-12-24

上傳用戶：ewtrwrtwe