許多電信和計(jì)算應(yīng)用都需要一個(gè)能夠從非常低輸入電壓獲得工作電源的高效率降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。高輸出功率同步控制器 LT3740 就是這些應(yīng)用的理想選擇,該器件能把 2.2V 至 22V 的輸入電源轉(zhuǎn)換為低至 0.8V 的輸出,並提供 2A 至 20A 的負(fù)載電流。其應(yīng)用包括分布式電源繫統(tǒng)、負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)和邏輯電源轉(zhuǎn)換。
標(biāo)簽: 2.2 降壓型 同步控制器 輸入
上傳時(shí)間: 2013-12-30
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LTM®4616 是一款雙路輸入、雙路輸出 DC/DC μModule™ 穩(wěn)壓器,采用 15mm x 15mm x 2.8mm LGA 表面貼裝型封裝。由於開關(guān)控制器、MOSFET、電感器和其他支持元件均被集成在纖巧型封裝之內(nèi),因此只需少量的外部元件。
標(biāo)簽: uModule DCDC 16A 雙通道
上傳時(shí)間: 2013-10-27
上傳用戶:頂?shù)弥?/p>
在越來越多的短時(shí)間能量存貯應(yīng)用以及那些需要間歇式高能量脈衝的應(yīng)用中,超級(jí)電容器找到了自己的用武之地。電源故障保護(hù)電路便是此類應(yīng)用之一,在該電路中,如果主電源發(fā)生短時(shí)間故障,則接入一個(gè)後備電源,用於給負(fù)載供電
標(biāo)簽: 電源故障保護(hù) 后備電池 超級(jí)電容器
上傳時(shí)間: 2014-01-08
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在汽車、工業(yè)和電信行業(yè)的設(shè)計(jì)師當(dāng)中,使用高功率升壓型轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)像正變得越來越普遍。當(dāng)需要 300W 或更高的功率時(shí),必須在功率器件中實(shí)現(xiàn)高效率 (低功率損耗),以免除增設(shè)龐大散熱器和采用強(qiáng)迫通風(fēng)冷卻的需要
標(biāo)簽: 348W 升壓型轉(zhuǎn)換器 功率 散熱器
上傳時(shí)間: 2014-12-01
上傳用戶:lhc9102
為降低大功率開關(guān)電源設(shè)計(jì)時(shí)功率器件的選擇、開關(guān)頻率和功率密度的提高所面臨的困難,改善單電源供電的可靠性,設(shè)計(jì)并制作程控開關(guān)電源并聯(lián)供電系統(tǒng)。系統(tǒng)由2個(gè)額定輸出功率為16 W的8 V DC/DC模塊構(gòu)成的程控開關(guān)電源并聯(lián)供電系統(tǒng)。以STM32F103微控制器為核心芯片,通過程序控制內(nèi)部DAC調(diào)節(jié)PWM主控芯片UC3845的反饋端電壓,使DC/DC模塊輸出電壓產(chǎn)生微小變動(dòng),進(jìn)而可調(diào)整DC/DC模塊的輸出電流并實(shí)時(shí)分配各DC/DC模塊的輸出電流,軟件采用PI算法。試驗(yàn)表明,系統(tǒng)滿載效率高于80.23%,電流分配誤差最大為1.54%;電源輸出在1 s內(nèi)快速達(dá)到穩(wěn)態(tài);系統(tǒng)以4.5 A為閾值實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)和自恢復(fù)功能。
標(biāo)簽: 程控開關(guān)電源 并聯(lián)供電系統(tǒng)
上傳時(shí)間: 2013-11-15
上傳用戶:王慶才
開關(guān)電源設(shè)計(jì)與開發(fā) 資料
標(biāo)簽: 開關(guān)電源設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間: 2014-12-24
上傳用戶:38553903210
設(shè)計(jì)時(shí)需要過一款簡單、低成本的閂鎖電路 (latch circuit) ?圖一顯示的就是這樣一款電路,基本上是一個(gè)可控矽整流器(SCR),結(jié)合了一些離散組件,只需低成本的元件便可以提供電源故障保護(hù)。
標(biāo)簽: 閂鎖電路 保護(hù)電源
上傳時(shí)間: 2013-11-11
上傳用戶:zq70996813
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。
標(biāo)簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制
上傳時(shí)間: 2014-09-08
上傳用戶:swing
在電源設(shè)計(jì)中,工程人員時(shí)常會(huì)面臨控制 IC 驅(qū)動(dòng)電流不足的問題,或者因?yàn)殚l極驅(qū)動(dòng)損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題,工程人員通常會(huì)採用外部驅(qū)動(dòng)器。目前許多半導(dǎo)體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動(dòng)器解決方案,但因?yàn)槌杀究剂浚こ處熗鶗?huì)選擇比較低價(jià)的獨(dú)立元件。
標(biāo)簽: MOSFET 獨(dú)立元件
上傳時(shí)間: 2013-11-19
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CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān),裝置尺寸縮小後,電源電壓也隨之降低,使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度,因此系統(tǒng)時(shí)脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。
標(biāo)簽: DDR 記憶體 電源
上傳時(shí)間: 2013-10-14
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