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徑流預(yù)(yù)報(bào)(bào)

基于TMS320F28335的恒流型饋能式電子負(fù)載的設(shè)計(jì)

針對(duì)電源設(shè)備出廠老化測(cè)試電能浪費(fèi)問題，設(shè)計(jì)了一種基于TMS320F28335DSP的恒流型饋能式電子負(fù)載。描述了一種原邊帶箝位二極管的ZVS移相全橋變換器的工作特點(diǎn)，采用了一種簡(jiǎn)便易行的移相波形數(shù)字控制方法；基于DC/DC電壓前饋、DC/AC電壓電流雙環(huán)控制方法，研制出一臺(tái)3.5 kW試驗(yàn)樣機(jī)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：該系統(tǒng)性能穩(wěn)定、調(diào)節(jié)速度快，能很好地滿足測(cè)試?yán)匣梆伨W(wǎng)要求。

標(biāo)簽： F28335 28335 320F TMS

上傳時(shí)間： 2013-10-13

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數(shù)控大功率精密恒流源設(shè)計(jì)

介紹了一種在大功率運(yùn)放()PA549基礎(chǔ)上的數(shù)控精密恒流源設(shè)計(jì)方法。該方法采用閉環(huán)控制，大功率運(yùn)放提高了輸出電流，同時(shí)具有過溫、電流過載保護(hù)功能，輸出電流精度達(dá)到0.05000.

標(biāo)簽： 數(shù)控大功率精密恒流源

上傳時(shí)間： 2013-11-18

上傳用戶：x18010875091
基于單片機(jī)的恒流源技術(shù)研究

:設(shè)計(jì)了一種基于單片機(jī)控制的數(shù)控恒流源。數(shù)控恒流源以AT89S52 為控制核心,采用了高共模抑制比低溫漂的運(yùn)算放大器OP07 和達(dá)林頓管TIP122 構(gòu)成恒流源的主體,配以高精度12 bit D/ A 芯片MAX532 以及16 bit A/ D 芯片AD7715 完成單片機(jī)對(duì)輸出電流的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。

標(biāo)簽： 單片機(jī) 恒流源技術(shù)研究

上傳時(shí)間： 2013-12-17

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運(yùn)放中恒流源電路分析方法

運(yùn)放電路中的恒流源電路分析方法普通鏡像恒流源、多集電極恒流源、高精度鏡像恒流源、高內(nèi)阻恒流源和鏡像微恒流源電路，以及恒流源電路輸出電阻的計(jì)算等。分析恒流源電路的方法是：（1）確定恒流源電路中的基準(zhǔn)晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管；（2）計(jì)算或確定基準(zhǔn)電流； &nbbsp; （4）繪制恒流部分的交流通路，確定恒流源的內(nèi)阻。由于恒流源的內(nèi)阻較大，計(jì)算恒流源內(nèi)阻時(shí)不能忽略三極管集電極與發(fā)射極之間，或場(chǎng)效應(yīng)管漏極與源極之間的動(dòng)態(tài)電阻

標(biāo)簽： 運(yùn)放恒流源電路分析方法

上傳時(shí)間： 2013-10-09

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8位LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片具錯(cuò)誤偵測(cè)功能

DM11C 是專為L(zhǎng)ED 顯示應(yīng)用所設(shè)計(jì)的沈入電流式恒流驅(qū)動(dòng)芯片。內(nèi)建移位緩存器，數(shù)據(jù)鎖存器，以及恒流電路組件于硅CMOS 芯片上。8 個(gè)輸出通道的電流可由一外掛電阻調(diào)整。內(nèi)建開/短路偵測(cè)電路組件幫助使用者偵測(cè)LED 異常(開路與短路)。系統(tǒng)可藉由讀回串行輸出端的偵測(cè)數(shù)據(jù)與原始數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)以判定哪一通道發(fā)生異常。過溫?cái)嚯姽δ軇t可保護(hù)芯片避免在高溫環(huán)境使用下而毀損

標(biāo)簽： LED 8位恒流驅(qū)動(dòng)芯片錯(cuò)誤

上傳時(shí)間： 2013-11-09

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DM634 16通道LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片可編程PWM輸出

DM634 16通道LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片可編程PWM輸出

標(biāo)簽： 634 LED PWM DM

上傳時(shí)間： 2013-11-04

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電源濾波設(shè)計(jì)精華

找一塊電源仔細(xì)看一下，在電源部分中，跨接L-N之間的小方塊（單位是μF）電容就是X電容，通常在是電源入口的第一個(gè)；同樣，在電源部分的跨接L-PE和N-PE之間的藍(lán)色的安規(guī)電容（單位pF）就是Y電容，通常是成對(duì)出現(xiàn)的。或者你可以形象的看，X電容具有2個(gè)輸入端，2個(gè)輸出端，很象X；Y電容具有一個(gè)輸入端，一個(gè)輸出端以及一個(gè)公共的大地，很象一個(gè)Y 沒有什么概念的，一個(gè)在差模回路上，一個(gè)在共模回路上，X、Y的名稱純粹是一個(gè)稱呼，就象是X和Y軸一樣 X電容主要用于流電源線路中，此時(shí)當(dāng)電容失時(shí)不致產(chǎn)生線間放電。X電容器的測(cè)試條件是：在交流電壓的有效值*1.5的電壓下工作100Hour；再加上1KV的高壓測(cè)試。Y電容器在一旦失效會(huì)導(dǎo)致放電危險(xiǎn)（尤其是對(duì)外殼）時(shí)是強(qiáng)制使用的。Y類型電容器的測(cè)試條件是：在交流電壓的有效值*1.7的電壓下工作100Hour，加上2KV高壓測(cè)試。如果電容器用于不接地的II類產(chǎn)品中，則要增加至4KV。

標(biāo)簽： 電源濾波設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2013-10-24

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諧振式激光器恒流充電電源的設(shè)計(jì)

基于串聯(lián)潴振電路結(jié)構(gòu)。同定導(dǎo)通時(shí)間、變頻控制以及零電流切換的技術(shù) ，為激光器高壓儲(chǔ)能電容設(shè)計(jì)了20kV／50mA的恒流充電電源。對(duì)隨著充電電增高，諧振頻率漂移引起的開關(guān)非零切換問題，設(shè)汁了零電流同步開天探測(cè)控制電路。充電電壓和充電電流的大小}I1微處理器控制。前者正比丁充電電流脈沖的總個(gè)數(shù)，后者則正比于開關(guān)工作頻率。

標(biāo)簽： 諧振式激光器恒流充電電源

上傳時(shí)間： 2013-10-10

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LDO穩(wěn)壓器中動(dòng)態(tài)頻率補(bǔ)償和限流保護(hù)的研究

文章針對(duì)LDO穩(wěn)定性的問題，提出了一種內(nèi)部動(dòng)態(tài)頻率補(bǔ)償電路，使LDO線性穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性不受負(fù)載電容的等效串聯(lián)電阻的影響，其單位增益帶寬也不隨負(fù)載電流變化而改變，大大提高了瞬態(tài)響應(yīng)特性；采用Hynix 0．5 1TI CMOS工藝模型對(duì)電路進(jìn)行仿真；此外，該電路在實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)頻率補(bǔ)償?shù)幕A(chǔ)上又加人了系統(tǒng)的過流保護(hù)功能，當(dāng)負(fù)載電流大于限制電流時(shí)，LDO不能正常工作；當(dāng)負(fù)載電流小于限制電流時(shí)，又自動(dòng) 恢復(fù)到正常工作狀態(tài)

標(biāo)簽： LDO 穩(wěn)壓器動(dòng)態(tài) 頻率補(bǔ)償

上傳時(shí)間： 2013-10-27

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PWM恒流充電系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

一種好的蓄電池充電方法是分級(jí)恒流充電! 分析了PWM控制DCDC變換的原理"給出了一種基于IGBT功率器件#單片機(jī)控制的新型蓄電池恒流充電系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法"并對(duì)該系統(tǒng)進(jìn)行了試驗(yàn)"給出了試驗(yàn)結(jié)果!

標(biāo)簽： PWM 恒流充電

上傳時(shí)間： 2013-10-21

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