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微功耗光功率計(jì)

士蘭微-SC7A20說明書，高精度12bit 數(shù)字三軸加速度傳感器

士蘭微-SC7A20說明書、規(guī)格書。SC7A20 是一款高精度12bit 數(shù)字三軸加速度傳感器芯片，內(nèi)置功能更豐富，功耗更低，體積更小，測(cè)量更精確。

標(biāo)簽： 加速度傳感器

上傳時(shí)間： 2022-05-22

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致象爾微TG401數(shù)據(jù)手冊(cè)

特點(diǎn):o ARM? Cortex?-M4 CPU 平臺(tái)o 高達(dá)150MHz 的高性能Cortex?-M4 處理器o 集成FPU 和MPUo 內(nèi)存o 512KB 片上SRAMo 2KB 至512KB 可編程保持存儲(chǔ)區(qū)o 閃存o 1MB 集成閃存o 原地執(zhí)行NOR 閃存接口，在閃存中執(zhí)行時(shí)接近0 等待狀態(tài)o 供電和復(fù)位管理系統(tǒng)o 片上穩(wěn)壓器，支持1.7V-3.6V 輸入o 上電復(fù)位（POR）o 時(shí)鐘管理o 10-30MHz 晶體振蕩器o 內(nèi)部16MHz RCo 32kHz 晶體振蕩器o 內(nèi)部32kHz RCo 具有可編程輸出頻率的低功耗PLLo 通用DMA：具有硬件流控制的8 通道DMA 控制器o 安全o 使用TRNG（真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器）的簡(jiǎn)單加密引擎o 定時(shí)器/計(jì)數(shù)器o 1x 系統(tǒng)節(jié)拍定時(shí)器o 4x 32 位定時(shí)器o 1x 看門狗定時(shí)器o 功耗（待確認(rèn)）o 滿載：待定uA/MHz @ 25°Co 運(yùn)行：待定uA /MHz @ 25°Co 停止：待定@ 25°Co 保留：待定@ 25°C，32kB 保留存儲(chǔ)器o 待機(jī)：待定@ 25°C，內(nèi)部32kHz RCo 12 位逐次逼近寄存器（SAR）ADCo 每秒最多2M 樣本o 可通過8:1 多路復(fù)用器選擇輸入o 1 個(gè)帶有集成PHY 的USB 2.0 高速雙角色端口o 兩個(gè)SD / SDIO 主機(jī)接口o SD/SDIO 2.0 模式：時(shí)鐘高達(dá)50MHzo LCD 控制器o 分辨率高達(dá)480x320o 6800 和8080 異步模式（8 位）o JTAG 調(diào)試功能o 3 個(gè)PWM（6 個(gè)輸出），3 個(gè)捕捉和3 個(gè)QEP 模塊o 4x UART，帶有HW 流控制，最高可達(dá)4Mbpso 3x I2C，支持Fast Mode+（1000kbps）o 2x I2S 接口o 3x SPI 主器件高達(dá)25MHz，1x SPI 從器件高達(dá)10MHzo 32 個(gè)GPIOo 68 引腳QFN 封裝o 溫度范圍：-40 至85°C4.1 帶FPU 內(nèi)核的ARM?CORTEX?-M4帶有FPU 處理器的ARM?Cortex?-M4 是一款32 位RISC 處理器，具有出色的代碼和功率效率。它支持一組DSP 指令，以允許高效執(zhí)行信號(hào)處理算法，非常適合于可穿戴和其他嵌入式市場(chǎng)。集成的單精度FPU（浮點(diǎn)單元）便于重用第三方庫，從而縮短開發(fā)時(shí)間。內(nèi)部?jī)?nèi)存保護(hù)單元（MPU）用于管理對(duì)內(nèi)的訪問，以防止一個(gè)任務(wù)意外破壞另一個(gè)活動(dòng)任務(wù)使用的內(nèi)存。集成緊密耦合的嵌套向量中斷控制器，提供多達(dá)16 個(gè)優(yōu)先級(jí)。4.2 系統(tǒng)內(nèi)存Bock 包含512kB 零等待狀態(tài)SRAM，非常適合于當(dāng)今算法日益增長的需求。同時(shí)，內(nèi)存被細(xì)分為更小的區(qū)，從而可以單獨(dú)地關(guān)閉以降低功耗。4.3 閃存和XIP 單元提供1MB 的集成NOR 閃存，以支持CPU 直接執(zhí)行。為了提高性能，XIP 單元具有集成的緩存系統(tǒng)。緩沖內(nèi)存與系統(tǒng)內(nèi)存共享。與從系統(tǒng)內(nèi)存運(yùn)行性能相比，XIP 單元使得許多應(yīng)用程序的運(yùn)行接近100％。4.4 ROM集成ROM 固件包含通過NOR 閃存正常引導(dǎo)所需的引導(dǎo)加載程序，支持用于批量生產(chǎn)的閃存編程，還包括用于調(diào)試目的的UART 和USB 啟動(dòng)功能。

標(biāo)簽： tg401

上傳時(shí)間： 2022-06-06

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NXP基于LIN總線的汽車氛圍燈方案

1簡(jiǎn)介本應(yīng)用筆記介紹了如何采用MC9S122VL32器件，在RGB LED照明應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)控制和診斷功能。MC9S12ZVL32集成了一個(gè)16位微控制器（基于成熟的S12技術(shù)），一個(gè)汽車穩(wěn)壓器，一個(gè)LIN接口，一個(gè)用于感應(yīng)汽車電池電壓的VSUP模塊，和一個(gè)HVI引腳[1]。RGB LED照明應(yīng)用采用FreeMASTER工具進(jìn)行控制[2]本文檔包含AN4842SWzip文件，其中帶有X-S12ZVL32-USLED硬件和軟件文件。2 RGB LED照明應(yīng)用圖1所示為RGB LED照明應(yīng)用的結(jié)構(gòu)框圖。藍(lán)色框表示MC9S12ZVL32模塊，淺棕色框表示軟件模塊。RGB LED通過FreeMASTER工具控制頁面[2]進(jìn)行控制。ADC會(huì)感應(yīng)RGB LED的電壓，并通過AMMCLIB模塊[3]計(jì)算出LED平均電流，從而實(shí)現(xiàn)LED診斷功能。RGB LED控制和診斷模塊可通過LIN進(jìn)行監(jiān)控。有關(guān)詳細(xì)描述，請(qǐng)參閱以下各節(jié)。2.1 RGB LED應(yīng)用電路RGB LED通過MCU PWM1，PWM3和PWMS輸出進(jìn)行控制，見圖2。通過MCU的輸入端AN3.AN4和AN5分別測(cè)量電阻R6，R7，R8與RGB LED的連接處電壓，見表1.MCU +s v調(diào)節(jié)器使用的是外部鎮(zhèn)流晶體管Q3.Q3有助于降低MCU功耗，還能提升調(diào)節(jié)器電流容量。模塊電池反接保護(hù)功能由二極管DS提供。2.2 RGB LED控制PWM模塊以16位分辨率驅(qū)動(dòng)LED.由于較高的PWM分辨率，RGB LED顏色的變化很流暢。2.3 RGB LED診斷RGB LED診斷模塊報(bào)告用LED二極管電壓值和所用PWM占空比計(jì)算得到的實(shí)際LED平均電流。實(shí)際LED電壓在LED導(dǎo)通時(shí)由ADC采樣，在PWM信號(hào)下降沿之后紅光二極管采樣約2us，綠光二極管約4 1s，藍(lán)光二極管約6us。采樣值用來計(jì)算二極管電阻電壓。因電阻電壓及其電阻是已知的，所以可以用來計(jì)算二極管峰值電流。用已知的PWM占空比值和二極管峰值電流計(jì)算平均電流值。計(jì)算是通過AMMCLIB[3]用16位小數(shù)算法完成的。

標(biāo)簽： nxp lin總線汽車氛圍燈

上傳時(shí)間： 2022-06-19

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IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì).

電力電子技術(shù)包括功率半導(dǎo)體器件與1C技術(shù)、功率變換技術(shù)及控制技術(shù)等幾個(gè)方面，其中電力電子器件是電力電子技術(shù)的重要基礎(chǔ)，也是電力電子技術(shù)發(fā)展的“龍頭"。從1958年美國通用電氣（GE）公司研制出世界上第一個(gè)工業(yè)用普通晶閘管開始，電能的變換和控制從旋轉(zhuǎn)的變流機(jī)組和靜止的離子變流器進(jìn)入由電力電子器件構(gòu)成的變流器時(shí)代，這標(biāo)志著電力電子技術(shù)的誕生。到了70年代，晶閘管開始形成由低壓小電流到高壓大電流的系列產(chǎn)品。同時(shí)，非對(duì)稱晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、雙向品閘管、光控晶閘管等品閘管派生器件相繼問世，廣泛應(yīng)用于各種變流裝置。由于它們具有體積小、重量輕、功耗小、效率高、響應(yīng)快等優(yōu)點(diǎn)，其研制及應(yīng)用得到了飛速發(fā)展。由于普通晶閘管不能自關(guān)斷，屬于半控型器件，因而被稱作第一代電力電子器件。在實(shí)際需要的推動(dòng)下，隨著理論研究和工藝水平的不斷提高，電力電子器件在容量和類型等方面得到了很大發(fā)展，先后出現(xiàn)了GTR，GTO、功率MOSET等自關(guān)斷、全控型器件，被稱為第二代電力電子器件。近年來，電力電子器件正朝著復(fù)合化、模塊化及功率集成的方向發(fā)展，如IGPT，MCT，HVIC等就是這種發(fā)展的產(chǎn)物

標(biāo)簽： igbt 驅(qū)動(dòng)電路

上傳時(shí)間： 2022-06-19

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RON1328SX1278帶PA無線模塊

1.1 模組說明RON132系8 列無線模組是基于 SEMTEC開H發(fā)的一款遠(yuǎn)程大容量網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)解決方案 SX1278開發(fā)的，除傳統(tǒng)的GFSK調(diào)制技術(shù)外，新型的SX127x平臺(tái)還采用了LoRa（遠(yuǎn)程）擴(kuò)頻技術(shù)。該模塊具有高效的接收靈敏度和超強(qiáng)的抗干擾性能。該系列模組可以非常容易地嵌入到現(xiàn)有產(chǎn)品或系統(tǒng)的當(dāng)中，使通信不再采用有線連接，客戶只需在原有的微控制器件編譯自定義的通訊協(xié)議，即可激活雙向通信實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸。注：本模塊是基于SX1278加了PA，通過二種電壓實(shí)現(xiàn)大功率發(fā)射電路，在3.3V供電情況可以實(shí)現(xiàn)500mW的發(fā)射功率，在5V供電下可實(shí)現(xiàn)1000mW的功率，但軟件初始化時(shí)候建議發(fā)射功率按照本公司指導(dǎo)設(shè)定，不然功率會(huì)失真影響傳輸性能。軟件和RON1328 ，SEN218,SEN238 通用。1.2. 模組性能FSK/GFKS技術(shù), LoRa （遠(yuǎn)程）擴(kuò)頻技術(shù)半雙工通信超強(qiáng)抗干擾性（信道抑制比： 56db）高接收靈敏度-139dbm.ISM多波段, 不需要申請(qǐng)頻率免費(fèi)使用.多頻率可選，多種傳輸速率. 可在FDMA及調(diào)頻技術(shù)中應(yīng)用.智能復(fù)位、低電壓監(jiān)測(cè)，定時(shí)喚醒、低功耗模式、休眠模式低功耗接受電流： 10-12mA256位FIFO TX/RXISSI 信道偵測(cè)功能傳輸模式： FIFO/直接模式（推薦FIFO包模式）配置： AFC/空中喚醒功能/ 低功耗/ 載波偵聽/FEC糾錯(cuò)/AEC加密1.3. 應(yīng)用市場(chǎng)1) 遠(yuǎn)程遙控和遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)2) 無線抄表（水表、電表、氣表）3) 無線點(diǎn)菜機(jī)、油田、礦區(qū)、工地、工廠等原有485/232接口系統(tǒng)4) 工業(yè)數(shù)據(jù)采集、傳輸、智能控制系統(tǒng)5) 無線報(bào)警系統(tǒng)6) 智能家具系統(tǒng)7) 嬰兒監(jiān)控系統(tǒng)/ 醫(yī)院尋呼系統(tǒng)8) 無線小數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)

標(biāo)簽： 無線模塊

上傳時(shí)間： 2022-06-19

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射頻功率放大器集成電路研究

射頻功率放大器在雷達(dá)、無線通信、導(dǎo)航、衛(wèi)星通訊、電子對(duì)抗設(shè)備等系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用，是現(xiàn)代無線通信的關(guān)鍵設(shè)備.與傳統(tǒng)的行被放大器相比，射頻固態(tài)功率放大器具有體積小、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗低、壽命長等一系列優(yōu)點(diǎn)；由于射頻功率放大器在軍事和個(gè)人通信系統(tǒng)中的地位非常重要，使得功率放大器的研制變得十分重要，因此對(duì)該課題的研究具有非常重要的意義.設(shè)計(jì)射頻集成功率放大器的常見工藝有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工藝具有較好的射頻特性和輸出功率能力，但其價(jià)格昂貴，工藝一致性差；CMOS工藝的功率輸出能力不大，很難應(yīng)用于高輸出功率的場(chǎng)合；而SiGe BiCMOS工藝的性能介于GaAS和CMOS工藝之間，價(jià)格相對(duì)低廉并和CMOS電路兼容，非常適合于中功率應(yīng)用場(chǎng)合.本文介紹了應(yīng)用與無線局域網(wǎng)和Ka波段的射頻集成功率放大器的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)，分別使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三種工藝.（1）由SMIC 0.18um CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的放大器工作頻率為2.4GHz，采用了兩級(jí)共源共柵電路結(jié)構(gòu)，在5V電源電壓下仿真結(jié)果為小信號(hào)增益22dB左右，1dB壓縮點(diǎn)處輸出功率為20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大飽和輸出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面積為1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器工作頻率為5.25GHz，分為前置推動(dòng)級(jí)和末級(jí)功率級(jí)，電源電壓為3.3V，仿真結(jié)果為小信號(hào)增益28dB左右，1dB壓縮點(diǎn)處輸出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大飽和輸出功率為29.5dBm，芯片面積為1.56mm"1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器工作頻率為27-32GHz，使用了三級(jí)功率放大器結(jié)構(gòu)，在電源電壓為5V下仿真結(jié)果為1dB壓縮點(diǎn)的輸出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大飽和輸出功率為29.9dBm且PAE大于25%，芯片面積為2.76mm"1.15mm.論文按照電路設(shè)計(jì)、仿真、版圖設(shè)計(jì)、流片和芯片測(cè)試的順序詳細(xì)介紹了功率放大器芯片的設(shè)計(jì)過程，對(duì)三種工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器進(jìn)行了對(duì)比，并通過各自的仿真結(jié)果對(duì)出現(xiàn)的問題進(jìn)行了詳盡的分析。

標(biāo)簽： 射頻功率放大器集成電路

上傳時(shí)間： 2022-06-20

上傳用戶：shjgzh
功率計(jì)量模塊HLW8032

HLW8032 是一款高精度的電能計(jì)量 IC,它采用 CMOS 制造工藝，主要用于單相應(yīng)用。它能夠測(cè)量線電壓和電流，并能計(jì)算有功功率，視在功率和功率因素。該器件內(nèi)部集成了兩個(gè)∑-Δ型 ADC 和一個(gè)高精度的電能計(jì)量?jī)?nèi)核。HLW8032 可以通過 UART口進(jìn)行數(shù)據(jù)通訊，HLW8032 采用 5V 供電，內(nèi)置 3.579M 晶振，8PIN 的 SOP 封裝。 HLW8032 具有精度高、功耗小、可靠性高、適用環(huán)境能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，適用于單相兩線制電力用戶的電能計(jì)量。

標(biāo)簽： 功率計(jì)量模塊 hlw8032

上傳時(shí)間： 2022-06-21

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RTOS低功耗設(shè)計(jì)原理及實(shí)現(xiàn)_TicklessMode(FreeRTOS的實(shí)現(xiàn))

Tickless Idle Mode（FreeRTOS下的實(shí)現(xiàn)）一前言目前，越來越多的嵌入式產(chǎn)品在開發(fā)中使用RTOS作為軟件平臺(tái)，同時(shí)，開發(fā)中對(duì)低功耗的要求也越來越高，這篇文檔會(huì)討論一下如何在RTOS中處理微控制器的低功耗特性。應(yīng)用中使用的RTOS一般采用基于時(shí)間片輪轉(zhuǎn)的搶占式任務(wù)調(diào)度機(jī)制，一般的低功耗設(shè)計(jì)思路如下：1，當(dāng)ldle任務(wù)運(yùn)行時(shí)，進(jìn)入低功耗模式：2，在適當(dāng)?shù)臈l件下，通過中斷或者外部事件喚醒MCU.但是，從第二點(diǎn)可以看出，每次當(dāng)OS系統(tǒng)定時(shí)器產(chǎn)生中斷時(shí)，也會(huì)將MCU從低功耗模式中喚醒，而頻繁的進(jìn)入低功耗模式/從低功耗模式中喚醒會(huì)使得MCU無法進(jìn)入深度睡眠，對(duì)低功耗設(shè)計(jì)而言也是不合理的。在FreeRTOS中給出了一種低功耗設(shè)計(jì)模式-Tickless Idle Mode，這個(gè)方法可以讓MCU更長時(shí)間的處于低功耗模式。

標(biāo)簽： rtos freertos

上傳時(shí)間： 2022-06-22

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GaN基LED材料特性研究及芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

本文在介紹了氮化嫁材料的基本結(jié)構(gòu)特征及物理化學(xué)特性之后，從氮化擦的外延結(jié)構(gòu)的屬性和氮化擦基高性能芯片設(shè)計(jì)兩個(gè)方面對(duì)氮化家材料和器件結(jié)構(gòu)展開了討論。其中材料屬性部分，介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主要應(yīng)用范圍，然后根據(jù)實(shí)驗(yàn)分析了TEM圖片，包括GaN多量子阱，重點(diǎn)分析了V型缺陷和塊狀缺陷的高分辨圖形，分析了他們對(duì)材料屬性的影響。然后分析了多種氮化擦樣品的光致發(fā)光譜和電致發(fā)光譜，并解釋其光譜藍(lán)移和紅移現(xiàn)象。在屬性部分最后介紹了基于密度泛函理論和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料屬性上的應(yīng)用。在芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)部分，本文提出了三種高效率LED芯片的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，分別是基于雙光子晶體的LED芯片，基于微球模型的LED芯片，基于激光剝離襯底的大功率LED芯片。涉及到光子晶體理論，蒙特卡羅理論及激光剝離理論，本文分別介紹和分析了各類理論基礎(chǔ)，并在此基礎(chǔ)上提出新的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，給出仿真分析結(jié)果。雙光子晶體可以提供較完善的反射層，出射層。微球LED可以利用大尺寸表面結(jié)構(gòu)來大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剝離襯底的大功率LED可以實(shí)現(xiàn)較好散熱效果和功率。

標(biāo)簽： led

上傳時(shí)間： 2022-06-25

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InfineonIFX9201+XMC1300步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)擴(kuò)展板解決方案

inineon公司的步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)擴(kuò)展板采用通用6AH橋IFX9201SG和XMC1300AB步微控制器（MCU）.IFX9201SG設(shè)計(jì)用于DC馬達(dá)或其它感性負(fù)載，它的輸出脈寬調(diào)制頻率高達(dá)20kHz，每個(gè)開關(guān)在Tj=25℃時(shí)的RDSon為100mQ，邏輯輸入和3.3V和5.0VTTLUCMOS兼容，具有低待機(jī)電流，斬波電流限制，具有門鎖行為的短路關(guān)斷和超溫關(guān)斷，而XMC1300微控制器（MCU）是基于ARM Cortex-M0處理器核的XIMC1000系列MCU，具有實(shí)時(shí)馬達(dá)控制和數(shù)字功率轉(zhuǎn)換，以及用于LED照明應(yīng)用的外設(shè).XIMC1300MCU是高性能32位ARM Cortex-MOCPU，單周期32位硬件乘法器，操作系統(tǒng)支持系統(tǒng)計(jì)時(shí)器（SysTick），具有超低功耗和嵌套向量中斷控制器（NVIC），MATH協(xié)處理器（MATH），用于三角算法的CORDIC單元和除法單元，片上存儲(chǔ)器包括有8KB ROM，，16KB高速SRAM和高達(dá)200KB閃存程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，以及USIC，UART，雙SPI和四SPI，IC，IS和LIN接口通信外設(shè)等.本文介紹了IFX9201+XMC1300主要特性，框圖，多種H橋應(yīng)用電路圖以及步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)擴(kuò)展板框圖和應(yīng)用框圖，電路圖和PCB設(shè)計(jì)圖.

標(biāo)簽： 馬達(dá) 驅(qū)動(dòng)

上傳時(shí)間： 2022-07-02

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