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微功耗光功率計

  • 士蘭微-SC7A20說明書,高精度12bit 數字三軸加速度傳感器

    士蘭微-SC7A20說明書、規格書。SC7A20 是一款高精度12bit 數字三軸加速度傳感器芯片,內置功能更豐富,功耗更低,體積更小,測量更精確。

    標簽: 加速度傳感器

    上傳時間: 2022-05-22

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  • 致象爾微TG401數據手冊

    特點:o ARM? Cortex?-M4 CPU 平臺o 高達150MHz 的高性能Cortex?-M4 處理器o 集成FPU 和MPUo 內存o 512KB 片上SRAMo 2KB 至512KB 可編程保持存儲區o 閃存o 1MB 集成閃存o 原地執行NOR 閃存接口,在閃存中執行時接近0 等待狀態o 供電和復位管理系統o 片上穩壓器,支持1.7V-3.6V 輸入o 上電復位(POR)o 時鐘管理o 10-30MHz 晶體振蕩器o 內部16MHz RCo 32kHz 晶體振蕩器o 內部32kHz RCo 具有可編程輸出頻率的低功耗PLLo 通用DMA:具有硬件流控制的8 通道DMA 控制器o 安全o 使用TRNG(真隨機數發生器)的簡單加密引擎o 定時器/計數器o 1x 系統節拍定時器o 4x 32 位定時器o 1x 看門狗定時器o 功耗(待確認)o 滿載:待定uA/MHz @ 25°Co 運行:待定uA /MHz @ 25°Co 停止:待定@ 25°Co 保留:待定@ 25°C,32kB 保留存儲器o 待機:待定@ 25°C,內部32kHz RCo 12 位逐次逼近寄存器(SAR)ADCo 每秒最多2M 樣本o 可通過8:1 多路復用器選擇輸入o 1 個帶有集成PHY 的USB 2.0 高速雙角色端口o 兩個SD / SDIO 主機接口o SD/SDIO 2.0 模式:時鐘高達50MHzo LCD 控制器o 分辨率高達480x320o 6800 和8080 異步模式(8 位)o JTAG 調試功能o 3 個PWM(6 個輸出),3 個捕捉和3 個QEP 模塊o 4x UART,帶有HW 流控制,最高可達4Mbpso 3x I2C,支持Fast Mode+(1000kbps)o 2x I2S 接口o 3x SPI 主器件高達25MHz,1x SPI 從器件高達10MHzo 32 個GPIOo 68 引腳QFN 封裝o 溫度范圍:-40 至85°C4.1 帶FPU 內核的ARM?CORTEX?-M4帶有FPU 處理器的ARM?Cortex?-M4 是一款32 位RISC 處理器,具有出色的代碼和功率效率。它支持一組DSP 指令,以允許高效執行信號處理算法,非常適合于可穿戴和其他嵌入式市場。集成的單精度FPU(浮點單元)便于重用第三方庫,從而縮短開發時間。內部內存保護單元(MPU)用于管理對內的訪問,以防止一個任務意外破壞另一個活動任務使用的內存。集成緊密耦合的嵌套向量中斷控制器,提供多達16 個優先級。4.2 系統內存Bock 包含512kB 零等待狀態SRAM,非常適合于當今算法日益增長的需求。同時,內存被細分為更小的區,從而可以單獨地關閉以降低功耗。4.3 閃存和XIP 單元提供1MB 的集成NOR 閃存,以支持CPU 直接執行。為了提高性能,XIP 單元具有集成的緩存系統。緩沖內存與系統內存共享。與從系統內存運行性能相比,XIP 單元使得許多應用程序的運行接近100%。4.4 ROM集成ROM 固件包含通過NOR 閃存正常引導所需的引導加載程序,支持用于批量生產的閃存編程,還包括用于調試目的的UART 和USB 啟動功能。

    標簽: tg401

    上傳時間: 2022-06-06

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  • NXP基于LIN總線的汽車氛圍燈方案

    1簡介本應用筆記介紹了如何采用MC9S122VL32器件,在RGB LED照明應用中實現控制和診斷功能。MC9S12ZVL32集成了一個16位微控制器(基于成熟的S12技術),一個汽車穩壓器,一個LIN接口,一個用于感應汽車電池電壓的VSUP模塊,和一個HVI引腳[1]。RGB LED照明應用采用FreeMASTER工具進行控制[2]本文檔包含AN4842SWzip文件,其中帶有X-S12ZVL32-USLED硬件和軟件文件。2 RGB LED照明應用圖1所示為RGB LED照明應用的結構框圖。藍色框表示MC9S12ZVL32模塊,淺棕色框表示軟件模塊。RGB LED通過FreeMASTER工具控制頁面[2]進行控制。ADC會感應RGB LED的電壓,并通過AMMCLIB模塊[3]計算出LED平均電流,從而實現LED診斷功能。RGB LED控制和診斷模塊可通過LIN進行監控。有關詳細描述,請參閱以下各節。2.1 RGB LED應用電路RGB LED通過MCU PWM1,PWM3和PWMS輸出進行控制,見圖2。通過MCU的輸入端AN3.AN4和AN5分別測量電阻R6,R7,R8與RGB LED的連接處電壓,見表1.MCU +s v調節器使用的是外部鎮流晶體管Q3.Q3有助于降低MCU功耗,還能提升調節器電流容量。模塊電池反接保護功能由二極管DS提供。2.2 RGB LED控制PWM模塊以16位分辨率驅動LED.由于較高的PWM分辨率,RGB LED顏色的變化很流暢。2.3 RGB LED診斷RGB LED診斷模塊報告用LED二極管電壓值和所用PWM占空比計算得到的實際LED平均電流。實際LED電壓在LED導通時由ADC采樣,在PWM信號下降沿之后紅光二極管采樣約2us,綠光二極管約4 1s,藍光二極管約6us。采樣值用來計算二極管電阻電壓。因電阻電壓及其電阻是已知的,所以可以用來計算二極管峰值電流。用已知的PWM占空比值和二極管峰值電流計算平均電流值。計算是通過AMMCLIB[3]用16位小數算法完成的。

    標簽: nxp lin總線 汽車氛圍燈

    上傳時間: 2022-06-19

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  • IGBT驅動電路的設計.

    電力電子技術包括功率半導體器件與1C技術、功率變換技術及控制技術等幾個方面,其中電力電子器件是電力電子技術的重要基礎,也是電力電子技術發展的“龍頭"。從1958年美國通用電氣(GE)公司研制出世界上第一個工業用普通晶閘管開始,電能的變換和控制從旋轉的變流機組和靜止的離子變流器進入由電力電子器件構成的變流器時代,這標志著電力電子技術的誕生。到了70年代,晶閘管開始形成由低壓小電流到高壓大電流的系列產品。同時,非對稱晶閘管、逆導晶閘管、雙向品閘管、光控晶閘管等品閘管派生器件相繼問世,廣泛應用于各種變流裝置。由于它們具有體積小、重量輕、功耗小、效率高、響應快等優點,其研制及應用得到了飛速發展。由于普通晶閘管不能自關斷,屬于半控型器件,因而被稱作第一代電力電子器件。在實際需要的推動下,隨著理論研究和工藝水平的不斷提高,電力電子器件在容量和類型等方面得到了很大發展,先后出現了GTR,GTO、功率MOSET等自關斷、全控型器件,被稱為第二代電力電子器件。近年來,電力電子器件正朝著復合化、模塊化及功率集成的方向發展,如IGPT,MCT,HVIC等就是這種發展的產物

    標簽: igbt 驅動電路

    上傳時間: 2022-06-19

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  • RON1328SX1278帶PA無線模塊

    1.1 模組說明RON132系8 列無線模組是基于 SEMTEC開H發的一款遠程大容量網絡系統解決方案 SX1278開發的,除傳統的GFSK調制技術外,新型的SX127x平臺還采用了LoRa(遠程)擴頻技術。該模塊具有高效的接收靈敏度和超強的抗干擾性能。該系列模組可以非常容易地嵌入到現有產品或系統的當中,使通信不再采用有線連接,客戶只需在原有的微控制器件編譯自定義的通訊協議,即可激活雙向通信實現數據傳輸。注:本模塊是基于SX1278加了PA,通過二種電壓實現大功率發射電路,在3.3V供電情況可以實現500mW的發射功率,在5V供電下可實現1000mW的功率,但軟件初始化時候建議發射功率按照本公司指導設定,不然功率會失真影響傳輸性能。軟件和RON1328 ,SEN218,SEN238 通用。1.2. 模組性能FSK/GFKS技術, LoRa (遠程) 擴頻技術半雙工通信超強抗干擾性(信道抑制比: 56db)高接收靈敏度-139dbm.ISM多波段, 不需要申請頻率免費使用.多頻率可選,多種傳輸速率. 可在FDMA及調頻技術中應用.智能復位、低電壓監測,定時喚醒、低功耗模式、休眠模式低功耗接受電流: 10-12mA256位FIFO TX/RXISSI 信道偵測功能傳輸模式: FIFO/直接模式(推薦FIFO包模式)配置: AFC/空中喚醒功能/ 低功耗/ 載波偵聽/FEC糾錯/AEC加密1.3. 應用市場1) 遠程遙控和遠程數據采集系統2) 無線抄表(水表、電表、氣表)3) 無線點菜機、油田、礦區、工地、工廠等原有485/232接口系統4) 工業數據采集、傳輸、智能控制系統5) 無線報警系統6) 智能家具系統7) 嬰兒監控系統/ 醫院尋呼系統8) 無線小數據傳輸系統

    標簽: 無線模塊

    上傳時間: 2022-06-19

    上傳用戶:xsr1983

  • 射頻功率放大器集成電路研究

    射頻功率放大器在雷達、無線通信、導航、衛星通訊、電子對抗設備等系統中有著廣泛的應用,是現代無線通信的關鍵設備.與傳統的行被放大器相比,射頻固態功率放大器具有體積小、動態范圍大、功耗低、壽命長等一系列優點;由于射頻功率放大器在軍事和個人通信系統中的地位非常重要,使得功率放大器的研制變得十分重要,因此對該課題的研究具有非常重要的意義.設計射頻集成功率放大器的常見工藝有GaAs,SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工藝具有較好的射頻特性和輸出功率能力,但其價格昂貴,工藝一致性差;CMOS工藝的功率輸出能力不大,很難應用于高輸出功率的場合;而SiGe BiCMOS工藝的性能介于GaAS和CMOS工藝之間,價格相對低廉并和CMOS電路兼容,非常適合于中功率應用場合.本文介紹了應用與無線局域網和Ka波段的射頻集成功率放大器的設計和實現,分別使用了CMOS,SiGe BiCMOS,GaAs三種工藝.(1)由SMIC 0.18um CMOS工藝實現的放大器工作頻率為2.4GHz,采用了兩級共源共柵電路結構,在5V電源電壓下仿真結果為小信號增益22dB左右,1dB壓縮點處輸出功率為20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%,最大飽和輸出功率大于24dBm且PAE大于20%,芯片面積為1.4mm*0.96mm;(2)由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工藝實現的功率放大器工作頻率為5.25GHz,分為前置推動級和末級功率級,電源電壓為3.3V,仿真結果為小信號增益28dB左右,1dB壓縮點處輸出功率大于26dBm,功率附加效率大于15%,最大飽和輸出功率為29.5dBm,芯片面積為1.56mm"1.2mm;(3)由WIN 0.15um GaAs工藝實現的功率放大器工作頻率為27-32GHz,使用了三級功率放大器結構,在電源電壓為5V下仿真結果為1dB壓縮點的輸出功率Pras 26dBm,增益在20dB以上,最大飽和輸出功率為29.9dBm且PAE大于25%,芯片面積為2.76mm"1.15mm.論文按照電路設計、仿真、版圖設計、流片和芯片測試的順序詳細介紹了功率放大器芯片的設計過程,對三種工藝實現的功率放大器進行了對比,并通過各自的仿真結果對出現的問題進行了詳盡的分析。

    標簽: 射頻功率放大器 集成電路

    上傳時間: 2022-06-20

    上傳用戶:shjgzh

  • 功率計量模塊HLW8032

    HLW8032 是一款高精度的電能計量 IC,它采用 CMOS 制造工藝,主要用于單相應用。它能夠測量線電壓和電流,并能計算有功功率,視在功率和功率因素。 該器件內部集成了兩個∑-Δ型 ADC 和一個高精度的電能計量內核。HLW8032 可以通過 UART口進行數據通訊,HLW8032 采用 5V 供電,內置 3.579M 晶振,8PIN 的 SOP 封裝。 HLW8032 具有精度高、功耗小、可靠性高、適用環境能力強等優點,適用于單相兩線制電力用戶的電能計量。 

    標簽: 功率計量模塊 hlw8032

    上傳時間: 2022-06-21

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  • RTOS低功耗設計原理及實現_TicklessMode(FreeRTOS的實現)

    Tickless Idle Mode(FreeRTOS下的實現)一前言目前,越來越多的嵌入式產品在開發中使用RTOS作為軟件平臺,同時,開發中對低功耗的要求也越來越高,這篇文檔會討論一下如何在RTOS中處理微控制器的低功耗特性。應用中使用的RTOS一般采用基于時間片輪轉的搶占式任務調度機制,一般的低功耗設計思路如下:1,當ldle任務運行時,進入低功耗模式:2,在適當的條件下,通過中斷或者外部事件喚醒MCU.但是,從第二點可以看出,每次當OS系統定時器產生中斷時,也會將MCU從低功耗模式中喚醒,而頻繁的進入低功耗模式/從低功耗模式中喚醒會使得MCU無法進入深度睡眠,對低功耗設計而言也是不合理的。在FreeRTOS中給出了一種低功耗設計模式-Tickless Idle Mode,這個方法可以讓MCU更長時間的處于低功耗模式。

    標簽: rtos freertos

    上傳時間: 2022-06-22

    上傳用戶:qingfengchizhu

  • GaN基LED材料特性研究及芯片結構設計

    本文在介紹了氮化嫁材料的基本結構特征及物理化學特性之后,從氮化擦的外延結構的屬性和氮化擦基高性能芯片設計兩個方面對氮化家材料和器件結構展開了討論。其中材料屬性部分,介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主要應用范圍,然后根據實驗分析了TEM圖片,包括GaN多量子阱,重點分析了V型缺陷和塊狀缺陷的高分辨圖形,分析了他們對材料屬性的影響。然后分析了多種氮化擦樣品的光致發光譜和電致發光譜,并解釋其光譜藍移和紅移現象。在屬性部分最后介紹了基于密度泛函理論和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料屬性上的應用。在芯片結構設計部分,本文提出了三種高效率LED芯片的設計結構,分別是基于雙光子晶體的LED芯片,基于微球模型的LED芯片,基于激光剝離襯底的大功率LED芯片。涉及到光子晶體理論,蒙特卡羅理論及激光剝離理論,本文分別介紹和分析了各類理論基礎,并在此基礎上提出新的設計結構,給出仿真分析結果。雙光子晶體可以提供較完善的反射層,出射層。微球LED可以利用大尺寸表面結構來大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剝離襯底的大功率LED可以實現較好散熱效果和功率。

    標簽: led

    上傳時間: 2022-06-25

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  • InfineonIFX9201+XMC1300步進馬達驅動擴展板解決方案

    inineon公司的步進馬達驅動擴展板采用通用6AH橋IFX9201SG和XMC1300AB步微控制器(MCU).IFX9201SG設計用于DC馬達或其它感性負載,它的輸出脈寬調制頻率高達20kHz,每個開關在Tj=25℃時的RDSon為100mQ,邏輯輸入和3.3V和5.0VTTLUCMOS兼容,具有低待機電流,斬波電流限制,具有門鎖行為的短路關斷和超溫關斷,而XMC1300微控制器(MCU)是基于ARM Cortex-M0處理器核的XIMC1000系列MCU,具有實時馬達控制和數字功率轉換,以及用于LED照明應用的外設.XIMC1300MCU是高性能32位ARM Cortex-MOCPU,單周期32位硬件乘法器,操作系統支持系統計時器(SysTick),具有超低功耗和嵌套向量中斷控制器(NVIC),MATH協處理器(MATH),用于三角算法的CORDIC單元和除法單元,片上存儲器包括有8KB ROM,,16KB高速SRAM和高達200KB閃存程序和數據存儲器,以及USIC,UART,雙SPI和四SPI,IC,IS和LIN接口通信外設等.本文介紹了IFX9201+XMC1300主要特性,框圖,多種H橋應用電路圖以及步進馬達驅動擴展板框圖和應用框圖,電路圖和PCB設計圖.

    標簽: 馬達 驅動

    上傳時間: 2022-07-02

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