隨著功率開關(guān)器件的發(fā)展，電力電子裝置日益小型化和高頻化，電氣性能大幅提高，但是隨之產(chǎn)生的高次諧波卻對(duì)電網(wǎng)造成嚴(yán)重污染。在電力電子設(shè)備中，整流器(AC／DC變流器)占有較大的比例，是主要的污染源。由于固態(tài)感應(yīng)加熱電源對(duì)于電網(wǎng)呈現(xiàn)非線性特性，從電網(wǎng)中輸出的電流就不是標(biāo)準(zhǔn)的正弦曲線。高頻諧波電流對(duì)電力設(shè)施產(chǎn)生過熱或其他危害。 Boost電路應(yīng)用到功率因數(shù)校正方面已經(jīng)較為成熟，對(duì)于幾百瓦小功率的功率因數(shù)校正，常規(guī)的電路是可以實(shí)現(xiàn)的。但是對(duì)于大功率諸如感應(yīng)加熱電源，還存在很多的實(shí)際問題。為了解決開關(guān)器件由于二極管反向恢復(fù)時(shí)產(chǎn)生的沖擊電流而易損壞的情況，減少開關(guān)器件在高頻下的開關(guān)損耗，本文采用一種無源無損緩沖電路取代傳統(tǒng)的LC濾波電路。在分析了軟開關(guān)電路的工作原理以及逆變模塊的分時(shí)-移相功率控制策略后，應(yīng)用Matlab軟件進(jìn)行了仿真，并通過實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了理論分析的正確性。
標(biāo)簽： APFC 軟開關(guān) 倍頻 感應(yīng)加熱電源
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：RQB123
運(yùn)用XRD、SEM、eDAQ電化學(xué)工作站和超低噪聲放大器,對(duì)樣品的相組成、顯微形貌及電化學(xué)性能進(jìn)行表征。結(jié)果表明:所制備的Ag/AgCl電極外觀形貌好,表面缺陷少,AgCl和Ag粉混合均勻。
標(biāo)簽： Ag_AgCl 電極 電化學(xué) 性能
上傳時(shí)間： 2013-10-29
上傳用戶：jichenxi0730
功能、性能、特點(diǎn) 采用電磁場(chǎng)優(yōu)化分布的設(shè)計(jì)原理，使局部放電和局部過熱最小。 小型化、高功能的真空滅弧室利用縱向旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)滅弧原理， 有效地保證了截流值小于3A， 使開斷性能極為穩(wěn)定。 彈簧儲(chǔ)能機(jī)構(gòu)采用模塊化設(shè)計(jì)，一件多用，使機(jī)構(gòu)主件分布合理，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，性能穩(wěn)定。 絕緣性能優(yōu)越可靠，順利通過了凝露試驗(yàn)，適合在最惡劣的環(huán)境條件下運(yùn)行，并具有比IEC和GB標(biāo)準(zhǔn)要求更高的爬電距離和電氣間隙。 接地方式可靠，確保了斷路器從工作位置到試驗(yàn)位置接地的連續(xù)性。
上傳時(shí)間： 2013-12-28
上傳用戶：ommshaggar
差動(dòng)保護(hù)整定范例一： 三圈變壓器參數(shù)如下表： 變壓器容量Se 31500KVA 變壓器接線方式 Yn，y，d11 變壓器變比Ue 110kV/35kV/10kV 110kV側(cè)TA變比nTA 300/5 35KV側(cè)TA變比nTA 1000/5 10KV側(cè)TA變比nTA 2000/5 TA接線 外部變換方式 一次接線 10kV側(cè)雙分支 調(diào)壓ΔU ±8×1.25% 電流互感器接線系數(shù)Kjx 當(dāng)為Y接線時(shí)為1，當(dāng)為Δ接線時(shí)為 區(qū)外三相最大短路電流 假設(shè)為1000A(此值需根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)情況計(jì)算確定) 計(jì)算： 高壓側(cè)二次額定電流 中壓側(cè)二次額定電流 低壓側(cè)二次額定電流
標(biāo)簽： 變壓器 差動(dòng)保護(hù) 工程師 整定
上傳時(shí)間： 2013-11-01
上傳用戶：edisonfather
脈沖變壓器也可稱作開關(guān)變壓器，或簡(jiǎn)單地稱作高頻變壓器。在傳統(tǒng)的高頻變壓器設(shè)計(jì)中，由于磁芯材料的限制，其工作頻率較低，一般在20kHz左右。隨著電源技術(shù)的不斷發(fā)展，電源系統(tǒng)的小型化、高頻化和大功率化已成為一個(gè)永恒的研究方向和發(fā)展趨勢(shì)。因此，研究使用頻率更高的電源變壓器是降低電源系統(tǒng)體積、提高電源輸出功率比的關(guān)鍵因素。
標(biāo)簽： 集成電路 性能參數(shù) 高頻變壓器
上傳時(shí)間： 2013-10-22
上傳用戶：wangfei22
采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長(zhǎng),電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時(shí)間,優(yōu)化了太陽能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時(shí)間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達(dá)6. 40 %。通過調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進(jìn)一步改善電池的性能。
上傳時(shí)間： 2013-11-21
上傳用戶：wanqunsheng
基于槽式聚光熱電聯(lián)供系統(tǒng)，深入分析晶硅電池陣列和砷化鎵電池陣列在高倍聚光下的輸出特性及輸出功率的影響因素+ 研究結(jié)果表明，聚光光強(qiáng)下砷化鎵電池陣列輸出性能優(yōu)于晶硅電池陣列，高光強(qiáng)會(huì)導(dǎo)致光伏電池禁帶寬度變窄，短路電流成倍增加，增加輸出功率，但同時(shí)耗盡層復(fù)合率變大，開路電壓降低，制約陣列的輸出功率；高光強(qiáng)還引起電池溫度升高，電池陣列串聯(lián)內(nèi)阻增加+ 分析表明聚光作用下電池陣列串聯(lián)內(nèi)阻對(duì)輸出功率影響巨大，串聯(lián)內(nèi)阻從&!增加!!，四種電池陣列輸出功率分別損失$*,*(-，*.,’)-，**,)&-和%(,&!- +
上傳時(shí)間： 2013-10-18
上傳用戶：趙一霞a
U 1TRAMARK 9彩超電源故障分析2例
上傳時(shí)間： 2014-01-16
上傳用戶：Jesse_嘉偉
摘要:介紹為負(fù)氫多峰離子源及注入系統(tǒng)而研制的一套新型高壓開關(guān)電源。該套電源采用新型脈寬調(diào)制技術(shù)、先進(jìn)的準(zhǔn)諧振半橋式變換原理,組件式、倍壓線路模塊化結(jié)構(gòu),整體性能優(yōu)良。關(guān)鍵詞:高壓電源;PWM2ZVS;組件式;模塊化
標(biāo)簽： 高壓開關(guān)電源
上傳時(shí)間： 2013-11-12
上傳用戶：guanliya
為分析基于LCL濾波器的雙饋風(fēng)電網(wǎng)側(cè)變換器在不同電流反饋控制結(jié)構(gòu)情況下的工作性能， 采取PI控制器對(duì)網(wǎng)側(cè)變換器網(wǎng)側(cè)電流反饋控制結(jié)構(gòu)和變換器側(cè)電流反饋控制結(jié)構(gòu)的電流閉環(huán)根軌跡進(jìn)行分析，對(duì)其在理想電網(wǎng)無阻尼電阻和有阻尼電阻、非理想電網(wǎng)無阻尼電阻3種情況下的特性進(jìn)行了比較。分析及仿真結(jié)果表明變換器側(cè)電流反饋控制結(jié)構(gòu)控制算法相對(duì)較復(fù)雜，但是系統(tǒng)穩(wěn)定性好，電網(wǎng)電流的諧波畸變率較低；而電網(wǎng)側(cè)電流反饋控制結(jié)構(gòu)較易實(shí)現(xiàn)網(wǎng)側(cè)單位功率因數(shù)控制，但穩(wěn)定性較差。
上傳時(shí)間： 2013-10-26
上傳用戶：huql11633
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