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感測(cè)

  • 51的匯編教程

    51的匯編教程,感于單片機(jī)教材及自學(xué)單片機(jī)的痛苦經(jīng)歷,決定做這一版,以幫助那些和我一樣,身邊沒(méi)有一個(gè)老師可以問(wèn)的人。現(xiàn)先放上一個(gè)關(guān)于宏匯編軟件的說(shuō)明,內(nèi)容竭盡詳細(xì)。

    標(biāo)簽: 匯編 教程

    上傳時(shí)間: 2013-06-01

    上傳用戶(hù):dbs012280

  • 用VC制作屏保程序.pdf

    我們自己做個(gè)性屏保。在當(dāng)前發(fā)達(dá)繁盛的互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代, 我們可以輕而易舉的獲取制作精良的屏幕保護(hù)程序, 制作一個(gè)屬于自己的屏保可能會(huì)更使人感興趣。其實(shí), 制作屏保并不是一件很困難的事情, 下面我就來(lái)向大家 介紹一種用VC制作屏幕保護(hù)程序的方法。

    標(biāo)簽: VC制作 屏保 程序

    上傳時(shí)間: 2013-06-25

    上傳用戶(hù):abc123456.

  • 觸控屏的控制電路制作小記相關(guān)代碼

    觸控屏的控制電路制作小記相關(guān)代碼,如對(duì)此制作感興趣,請(qǐng)進(jìn)入http://www.21ic.com/app/ce/201209/141514.htm

    標(biāo)簽: 觸控屏 控制電路 代碼

    上傳時(shí)間: 2013-06-17

    上傳用戶(hù):PresidentHuang

  • C語(yǔ)言陷阱和缺陷

    這書(shū)還沒(méi)看過(guò),不知道怎樣。感興趣的可以下載看看。

    標(biāo)簽: C語(yǔ)言 缺陷

    上傳時(shí)間: 2013-04-24

    上傳用戶(hù):小鵬

  • 基于FPGA的SDRAM設(shè)計(jì)

    原版的外文書(shū),基于FPGA的SDRAM設(shè)計(jì),相信大家都會(huì)感興趣!

    標(biāo)簽: SDRAM FPGA

    上傳時(shí)間: 2013-08-19

    上傳用戶(hù):heart_2007

  • FPGA實(shí)現(xiàn)SPI的內(nèi)核驅(qū)動(dòng)

    FPGA實(shí)現(xiàn)SPI的內(nèi)核驅(qū)動(dòng) 相信感興趣的朋友一定會(huì)喜歡

    標(biāo)簽: FPGA SPI 內(nèi)核 驅(qū)動(dòng)

    上傳時(shí)間: 2013-08-24

    上傳用戶(hù):hehuaiyu

  • dsp下載器cpld程序

    dsp下載器cpld程序\r\n感興趣的朋友可以下來(lái)

    標(biāo)簽: cpld dsp 下載器 程序

    上傳時(shí)間: 2013-09-02

    上傳用戶(hù):tedo811

  • protel畢業(yè)設(shè)計(jì)電路圖

    protel畢業(yè)設(shè)計(jì)電路圖,是自動(dòng)化專(zhuān)業(yè)的,感興趣的可以看看

    標(biāo)簽: protel 畢業(yè)設(shè)計(jì) 電路圖

    上傳時(shí)間: 2013-09-11

    上傳用戶(hù):bhqrd30

  • 步進(jìn)頻率雷達(dá)系統(tǒng)的模擬與測(cè)試

    任何雷達(dá)接收器所接收到的回波(echo)訊號(hào),都會(huì)包含目標(biāo)回波和背景雜波。雷達(dá)系統(tǒng)的縱向解析度和橫向解析度必須夠高,才能在充滿背景雜波的環(huán)境中偵測(cè)到目標(biāo)。傳統(tǒng)上都會(huì)使用短週期脈衝波和寬頻FM 脈衝來(lái)達(dá)到上述目的。

    標(biāo)簽: 步進(jìn)頻率 模擬 雷達(dá)系統(tǒng) 測(cè)試

    上傳時(shí)間: 2014-12-23

    上傳用戶(hù):zhqzal1014

  • COOLMOS_原理結(jié)構(gòu)

    看到不少網(wǎng)友對(duì)COOLMOS感興趣,把自己收集整理的資料、個(gè)人理解發(fā)出來(lái),與大家共享。個(gè)人理解不一定完全正確,僅供參考。COOLMOS(super junction)原理,與普通VDMOS的差異如下: 對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu),大家都知道Rdson與BV這一對(duì)矛盾關(guān)系,要想提高BV,都是從減小EPI參雜濃度著手,但是外延層又是正向電流流通的通道,EPI參雜濃度減小了,電阻必然變大,Rdson就大了。所以對(duì)于普通VDMOS,兩者矛盾不可調(diào)和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是對(duì)于COOLMOS,這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過(guò)設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū),大大提高了BV,同時(shí)對(duì)Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū),就能大大提高耐壓呢?

    標(biāo)簽: COOLMOS

    上傳時(shí)間: 2014-12-23

    上傳用戶(hù):標(biāo)點(diǎn)符號(hào)

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