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房地產

FLIR 雷達產品簡介

文件中詳細介紹 FLIR 雷達產品的各項技術數據

標簽： FLIR 雷達

上傳時間： 2015-03-18

上傳用戶：戴斗笠的神秘人
類比與介面裝置(AIPD)新產品研討會.pdf

雜志及論文專輯 19冊 720M類比與介面裝置(AIPD)新產品研討會.pdf

標簽：

上傳時間： 2014-05-05

上傳用戶：時代將軍
激光產品安全技術

激光產品安全、分類及技術應用，關於LED的使用規範及要求內容

標簽： 激光

上傳時間： 2021-01-05

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TL494做DC-DC產品輸出過衝.pdf

TL494做DC-DC產品,輸出過衝.pdfTL494做DC-DC產品,輸出過衝.pdfTL494做DC-DC產品,輸出過衝.pdf

標簽： tl494

上傳時間： 2021-12-09

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PCB LAYOUT設計規范手冊

　　PCB Layout Rule Rev1.70, 規範內容如附件所示, 其中分為: 　　(1) ”PCB LAYOUT 基本規範”:為R&D Layout時必須遵守的事項, 否則SMT,DIP,裁板時無法生產. 　　(2) “錫偷LAYOUT RULE建議規範”: 加適合的錫偷可降低短路及錫球. 　　(3) “PCB LAYOUT 建議規範”:為製造單位為提高量產良率,建議R&D在design階段即加入PCB Layout. 　　(4) ”零件選用建議規範”: Connector零件在未來應用逐漸廣泛, 又是SMT生產時是偏移及置件不良的主因,故製造希望R&D及採購在購買異形零件時能顧慮製造的需求, 提高自動置件的比例.

標簽： LAYOUT PCB 設計規范

上傳時間： 2013-10-28

上傳用戶：zhtzht
華碩內部的PCB基本規范

PCB LAYOUT 基本規範項次項目備註1 一般PCB 過板方向定義：􀀹 PCB 在SMT 生產方向為短邊過迴焊爐(Reflow), PCB 長邊為SMT 輸送帶夾持邊.􀀹 PCB 在DIP 生產方向為I/O Port 朝前過波焊爐(Wave Solder), PCB 與I/O 垂直的兩邊為DIP 輸送帶夾持邊.1.1 金手指過板方向定義：􀀹 SMT: 金手指邊與SMT 輸送帶夾持邊垂直.􀀹 DIP: 金手指邊與DIP 輸送帶夾持邊一致.2 􀀹 SMD 零件文字框外緣距SMT 輸送帶夾持邊L1 需≧150 mil.􀀹 SMD 及DIP 零件文字框外緣距板邊L2 需≧100 mil.3 PCB I/O port 板邊的螺絲孔(精靈孔)PAD 至PCB 板邊, 不得有SMD 或DIP 零件(如右圖黃色區).PAD

標簽： PCB 華碩

上傳時間： 2014-12-24

上傳用戶：jokey075
IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

標簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時間： 2014-01-20

上傳用戶：蒼山觀海
按鈕接通關斷控制器簡化了系統設計

手持式產品設計師常常需要找到實現便攜式設備接通/關斷按鈕的防反跳和控制的方法

標簽： 按鈕關斷控制器系統設計

上傳時間： 2013-11-14

上傳用戶：225588
按鈕接通關斷控制器簡化了系統設計

手持式產品設計師常常需要找到實現便攜式設備接通/關斷按鈕的防反跳和控制的方法

標簽： 按鈕關斷控制器系統設計

上傳時間： 2013-11-11

上傳用戶：dianxin61
透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

標簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時間： 2014-09-08

上傳用戶：swing