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批量生產(chǎn)(chǎn)

  • 基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計與制作

    基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計與制作

    標(biāo)簽： MOS N溝道 H橋驅(qū)動 電路設(shè)計

    上傳時間： 2014-08-01

    上傳用戶：1109003457

  • 采用歸零法的N進(jìn)制計數(shù)器原理

    計數(shù)器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計N進(jìn)制計數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計了3種36進(jìn)制計數(shù)器，并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計的計數(shù)器實現(xiàn)了36進(jìn)制計數(shù)的功能。基于集成計數(shù)器的N進(jìn)制計數(shù)器設(shè)計方法簡單、可行，運用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計和仿真具有省時、低成本、高效率的優(yōu)越性。

    標(biāo)簽： 歸零法 N進(jìn)制計數(shù)器原

    上傳時間： 2013-10-11

    上傳用戶：gtzj

  • p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標(biāo)簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時間： 2013-10-31

    上傳用戶：summery

  • N+緩沖層對PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

     N+緩沖層設(shè)計對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

    標(biāo)簽： PT-IGBT 緩沖層

    上傳時間： 2013-11-12

    上傳用戶：thesk123

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。

    標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時間： 2014-09-08

    上傳用戶：swing

  • 艾默生開關(guān)電源基礎(chǔ)

    艾默生開關(guān)電源基礎(chǔ)

    標(biāo)簽： 開關(guān)電源

    上傳時間： 2013-10-11

    上傳用戶：sjy1991

  • 佳生CCFL可調(diào)光護(hù)眼燈電路原理分析

    理想的閱讀光源應(yīng)具備白色光、無閃爍、亮度可調(diào)及光照均勻等特性，佳生護(hù)眼燈是一款亮度在600-1300LX范圍內(nèi)六擋可調(diào)，采用全新冷陰極熒光燈管（即CCFL），壽命可達(dá)15000小時的護(hù)眼燈，依實物測繪的原理圖見附圖所示，供參考。

    標(biāo)簽： CCFL 可調(diào)光 分 護(hù)眼燈

    上傳時間： 2013-10-17

    上傳用戶：3到15

  • FR-E500-CH變頻用戶手冊

    本內(nèi)容提供了FR-E500-CH變頻用戶手冊

    標(biāo)簽： FR-E 500 CH 用戶手冊

    上傳時間： 2013-11-13

    上傳用戶：xhz1993

  • （N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源應(yīng)用前景

    隨著我國通信、電力事業(yè)的發(fā)展，通信、電力網(wǎng)絡(luò)的規(guī)模越來越大，系統(tǒng)越來越復(fù)雜。與之相應(yīng)的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護(hù)越來越重要。在中國通信、電力網(wǎng)絡(luò)中，傳統(tǒng)的交流供電方案是以UPS或單機(jī)式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術(shù)的進(jìn)步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源已經(jīng)非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發(fā)達(dá)的國家，各大通信運營商、電力供應(yīng)商、軍隊均大量應(yīng)用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源具有以下明顯的優(yōu)點。

    標(biāo)簽： 熱插拔 模塊 并聯(lián) 應(yīng)用前景

    上傳時間： 2014-03-24

    上傳用戶：alan-ee

  • 艾默生電源系統(tǒng)節(jié)能休眠技術(shù)簡介

    在通訊電源的應(yīng)用中，電源的容量都大于實際負(fù)載的用量，這一方面是為了保證有足夠的容量用于電池充電，另一方面也是考慮擴(kuò)容的需要。這樣的話，往往電源系統(tǒng)由于帶載率低而低于最佳效率點運行。艾默生公司發(fā)明的電源休眠節(jié)能技術(shù)可以控制實際工作的整流模塊容量，從而使電源系統(tǒng)接近最佳效率點運行。其主要優(yōu)點是：

    標(biāo)簽： 電源系統(tǒng) 休眠 技術(shù)簡介 節(jié)能

    上傳時間： 2013-10-21

    上傳用戶：朗朗乾坤

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