為了提高Linux操作系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性，研究了Linux操作系統(tǒng)System V信號量機(jī)制在內(nèi)核中的實(shí)現(xiàn)，發(fā)現(xiàn)其在實(shí)時(shí)應(yīng)用中存在的不足，提出并實(shí)現(xiàn)了一種對其進(jìn)行改進(jìn)的方法。經(jīng)測試表明，采用該方法后可以明顯降低實(shí)時(shí)進(jìn)程申請信號量的延遲時(shí)間，說明該方法有效提高了Linux操作系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性能。
標(biāo)簽： Linux 操作系統(tǒng) 信號量 機(jī)制
上傳時(shí)間： 2013-10-31
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上傳時(shí)間： 2013-10-30
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上傳時(shí)間： 2013-10-19
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PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：單、雙層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測試點(diǎn)供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測試點(diǎn)最小可至30mil.測試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點(diǎn)與測試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間： 2013-11-17
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LAYOUT REPORT .............. 1 目錄.................. 1 1. PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)......... 2 2. Test Point : ATE 測試點(diǎn)供工廠ICT 測試治具使用............ 2 3. 基準(zhǔn)點(diǎn) (光學(xué)點(diǎn)) -for SMD:........... 4 4. 標(biāo)記 (LABEL ING)......... 5 5. VIA HOLE PAD................. 5 6. PCB Layer 排列方式...... 5 7.零件佈置注意事項(xiàng) (PLACEMENT NOTES)............... 5 8. PCB LAYOUT 設(shè)計(jì)............ 6 9. Transmission Line ( 傳輸線 )..... 8 10.General Guidelines – 跨Plane.. 8 11. General Guidelines – 繞線....... 9 12. General Guidelines – Damping Resistor. 10 13. General Guidelines - RJ45 to Transformer................. 10 14. Clock Routing Guideline........... 12 15. OSC & CRYSTAL Guideline........... 12 16. CPU
上傳時(shí)間： 2013-10-29
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首先分析了細(xì)長軸車削加工時(shí)造成的位移，理論上分析了誤差的大小與位移量的關(guān)系，然后運(yùn)用材料力學(xué)公式得出切削點(diǎn)位移量與切削力的關(guān)系，又根據(jù)徑向切削力經(jīng)驗(yàn)公式獲得切削力與進(jìn)刀量的關(guān)系，推出了理論進(jìn)刀量與實(shí)際進(jìn)刀量的關(guān)系，提出了用進(jìn)刀量補(bǔ)償法減小細(xì)長軸車削加工誤差的模型。最后通過試驗(yàn)驗(yàn)證了采用進(jìn)刀量補(bǔ)償方法，在不改變機(jī)床精度的前提下顯著提高細(xì)長軸的加工精度。
上傳時(shí)間： 2013-10-18
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介紹S7-200 PLC在水處理設(shè)備給粉機(jī)上的應(yīng)用，并重點(diǎn)介紹模擬量的處理。以及模擬量的穩(wěn)定和抗干擾問題。
上傳時(shí)間： 2015-01-02
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針對油井礫石填充防砂作業(yè)過程中，準(zhǔn)確測量注砂量難度大、自動化程度低的情況，開展了基于聲波傳感器的礫石填充注砂量測量技術(shù)研究。本文介紹了礫石填充注砂的方法，分析了注砂時(shí)砂粒與管壁碰撞后產(chǎn)生的信號特點(diǎn)；提出了非接觸式的超聲波傳感器測量注砂量的方法，設(shè)計(jì)了基于DSP技術(shù)的注砂量信號采集和信號處理系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了礫石填充過程中注液量和注砂量的實(shí)時(shí)監(jiān)測。通過試驗(yàn)，驗(yàn)證了測量方法的可行性，系統(tǒng)操作方便、自動化程度高，測量精度較高，滿足現(xiàn)場的應(yīng)用的要求。
標(biāo)簽： 地面測量 系統(tǒng)研究
上傳時(shí)間： 2013-12-20
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LABVIEW最實(shí)用的技巧合集
標(biāo)簽： LABVIEW
上傳時(shí)間： 2013-11-15
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微電腦型單相交流集合式電表（單相二線系統(tǒng)） 特點(diǎn)： 精確度0.25%滿刻度±1位數(shù) 可同時(shí)量測與顯示交流電壓,電流,頻率,瓦特,(功率因數(shù)/視在功率) 交流電壓,電流,瓦特皆為真正有效值(TRMS) 交流電流,瓦特之小數(shù)點(diǎn)可任意設(shè)定 瓦特單位W或KW可任意設(shè)定 CT比可任意設(shè)定(1至999) 輸入與輸出絕緣耐壓 2仟伏特/1分鐘( 突波測試強(qiáng)度4仟伏特(1.2x50us) 數(shù)位RS-485界面 (Optional) 主要規(guī)格： 精確度: 0.1% F.S.±1 digit (Frequency) 0.25% F.S.±1 digit(ACA,ACV,Watt,VA) 0.25% F.S. ±0.25o(Power Factor) (-.300~+.300) 輸入負(fù)載: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大過載能力: Current related input: 3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input: maximum 2 x rated continuous 過載顯示: "doFL" 顯示值范圍: 0~600.0V(Voltage) 0~999.9Hz(Frequency)(<20% for voltage input) 0~19999 digit adjustable(Current,Watt,VA) 取樣時(shí)間: 2 cycles/sec. RS-485通訊位址: "01"-"FF" RS-485傳輸速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通信協(xié)議: Modbus RTU mode 溫度系數(shù): 100ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16 mm(0.4") 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E²PROM memory 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600 Vdc (input/output) 突波測試: ANSI c37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 4KV(1.2x50us) 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時(shí)間： 2015-01-03
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