電視干擾與抑制方法
標(biāo)簽： 電視干擾
上傳時(shí)間： 2022-01-23
上傳用戶：jiabin
本書包括電路中噪聲抑制技術(shù)實(shí)踐應(yīng)用的方方面面。涵蓋了兩種基本的噪聲控制方法:屏蔽和接地；介紹了其他一些噪聲抑制技術(shù):如電路平衡、去禍、濾波等;還介紹了電纜布線、無源器件、觸點(diǎn)保護(hù)、本征噪聲源、有源器件的噪聲等方面的內(nèi)容;同時(shí)還介紹了數(shù)字電路與靜電放電的噪聲和輻射方面的問題。本書適合于從事電子設(shè)備或系統(tǒng)設(shè)計(jì)的工程師使用，也可作為實(shí)用噪聲抑制技術(shù)的教材。此書網(wǎng)上可下載的都有亂碼 本身對此全部糾正極大方便了閱讀
上傳時(shí)間： 2022-02-16
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從3G-5G小區(qū)間干擾抑制技術(shù)綜述一、概述： 干擾,泛指一切進(jìn)入信道或通信系統(tǒng)對合法信號(hào)的正常工作造成了影響非期 望信號(hào)。移動(dòng)通信系統(tǒng)的干擾是影響無線網(wǎng)絡(luò)掉話率、接通率等系統(tǒng)指標(biāo)的重要 因素之一。它嚴(yán)重影響了網(wǎng)絡(luò)的正常運(yùn)行和用戶的通話質(zhì)量。 1.1、干擾的分類： （1）、從頻段上可分為上行干擾與下行干擾。上行干擾定義為干擾信號(hào)在移 動(dòng)網(wǎng)絡(luò)上行段,基站受外界射頻干擾源干擾。上行干擾的后果是造成基站覆蓋率 的降低。物理上看,在無上行干擾的情況下,基站能夠接收較遠(yuǎn)處手機(jī)信號(hào)。當(dāng)上 行干擾出現(xiàn)時(shí),期望的手機(jī)信號(hào)需強(qiáng)于干擾信號(hào),基站才能與手機(jī)聯(lián)絡(luò),因此手機(jī) 必須離基站更近,因此造成了基站覆蓋率的降低。下行干擾是指干擾源所發(fā)干擾 信號(hào)在移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)下行頻段,手機(jī)接收到干擾信號(hào),無法區(qū)分正常基站信號(hào),使手機(jī) 與基站聯(lián)絡(luò)中斷,造成掉話或無法登記。由于基站下行信號(hào)通常較強(qiáng),對 GSM 來說, 當(dāng)某一下行頻點(diǎn)被干擾時(shí),手機(jī)能夠選擇次強(qiáng)頻點(diǎn),與其他基站聯(lián)絡(luò)。而 CDMA 本 身即自擾系統(tǒng),因此上行干擾的危害比下行干擾更嚴(yán)重。
標(biāo)簽： 3g 綜述 區(qū)間 干擾 抑制 5g
上傳時(shí)間： 2022-02-25
上傳用戶：kingwide
設(shè)計(jì)功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路時(shí)需重點(diǎn)考慮寄生參數(shù)對電路的影響。米勒電容作為MOSFET器件的一項(xiàng)重要參數(shù),在驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)時(shí)需要重點(diǎn)關(guān)注。重點(diǎn)觀察了MOSFET的開通和關(guān)斷過程中柵極電壓、漏源極電壓和漏源極電流的變化過程,并分析了米勒電容、寄生電感等寄生參數(shù)對漏源極電壓和漏源極電流的影響。分析了柵極電壓在米勒平臺(tái)附近產(chǎn)生振蕩的原因,并提出了抑制措施,對功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)具有一定的指導(dǎo)意義。When designing the drive circuit of power MOSFET,the influence of parasitic parameters on the circuit should be concerned.As an important parameter of MOSFET device,Miller capacitance should be considered in the design of drive circuit.The variation of gate voltage,drain source voltage and drain source current during the turn-on and turn-off of MOSFET were observed.The influences of parasitic parameters such as Miller capacitance and parasitic inductance on drain source voltage and drain source current were analyzed.The reasons of gate voltage oscillation nearby Miller plateau were analyzed,and the restraining measures were put forward.This research was instructive for the drive design of power MOSFET.
標(biāo)簽： mosfet
上傳時(shí)間： 2022-04-02
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本文檔是村田噪聲抑制基礎(chǔ)教程電子書歡迎免費(fèi)下載
標(biāo)簽： 噪聲抑制
上傳時(shí)間： 2022-05-12
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GD32F103的移植說明和開發(fā)指南，幫助新手快速了解GD32F103芯片，縮短上手時(shí)間。本教程結(jié)合官方的用戶手冊以及固件庫例程，通過實(shí)際例程講解以及實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象來幫助讀者理解和使 用 GD32F130xx 這 個(gè) 系 列 的 芯 片 。 軟 件 平 臺(tái) 使 用 的 是 MDK-ARM 和 官 方 外 設(shè) 驅(qū) 動(dòng) 庫 GD32F1x0_Firmware_Library_v3.1.0（庫函數(shù)開發(fā)），硬件使用技新 GD32F130G8U6 核心板 V1.0 和 GD-LINK 下載&調(diào)試器。 教程從開發(fā)平臺(tái)介紹、開發(fā)環(huán)境搭建、建立工程等基礎(chǔ)內(nèi)容，到 GD13F130xx 外設(shè)應(yīng)用，包括： GPIO應(yīng)用、EXTI應(yīng)用、CLK應(yīng)用、USART 應(yīng)用、TIMER 應(yīng)用、I2C應(yīng)用、SPI應(yīng)用、ADC應(yīng)用、FWDGT 應(yīng)用和 WWDGT 應(yīng)用等十大部分內(nèi)容。外設(shè)應(yīng)用部分的內(nèi)容都配有源碼，并配合硬件平臺(tái)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)講 解。教程面對的對象是具有一定的 MCU 編程基礎(chǔ)以及 C 語言基礎(chǔ)的，主旨是幫助開發(fā)者快速入門和快速 開發(fā)使用 GD32F130xx 系列產(chǎn)品。
標(biāo)簽： gd32f103
上傳時(shí)間： 2022-06-18
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自20世紀(jì)80年代以來，以IGBT為代表的雙極型復(fù)合器件的迅速發(fā)展，使得電力電子器件沿著高電壓、大電流、高頻化、模塊化的方向發(fā)展，逆變技術(shù)日趨大容量化、高性能化，這使得采用大功率逆變電源作為艦船的主要供電電源成為可能。以igBT為主開關(guān)件的船大功逆變電源設(shè)計(jì)中，由于 KBт開關(guān)頻率、開關(guān)速度的提高以及容量的提升（目前3 300 V-1 500 A的 KBT模塊已投入實(shí)際應(yīng)用），流經(jīng)KBT的電流迅速變化，主電路母線的分布電感產(chǎn)生的瞬時(shí)電壓尖峰會(huì)施加在KBT兩端，如果處理不當(dāng)，會(huì)使KBT的開關(guān)工作軌跡超出器件的SOA（Safe Operation Area安全工作區(qū)域），從而對逆變電源的正常運(yùn)行構(gòu)成威脅"1.本文對大功率逆變電源KBT關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生電壓尖峰的機(jī)理進(jìn)行了說明，并對影響關(guān)斷電壓尖峰的主要因素進(jìn)行了分析。通過應(yīng)用疊層復(fù)合母排降低了主電路母線的分布電感，通過設(shè)計(jì)合適的吸收電路改善了開關(guān)軌跡，從而抑制關(guān)斷電壓尖峰，使大功率逆變電源的開關(guān)器件運(yùn)行在可靠的工作范圍內(nèi)。
上傳時(shí)間： 2022-06-21
上傳用戶：d1997wayne
由于來自電路的EMI噪聲發(fā)射、傳導(dǎo)和輻射的過程十分復(fù)雜，因此抑制這種EM噪聲非常困難。為了提高靜噪效率，必須全面考察采取靜噪措施的位置和方法。在本手冊的前半部分，我們將通過引用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)闡述電路發(fā)射EMI噪聲的原理以及EM噪聲通過電路傳導(dǎo)和輻射的原理。同時(shí)，我們還將闡述抑制EMI噪聲的方法。在本手冊的后半部分，將講述使用EM靜噪濾波器采取靜噪措施的注意事項(xiàng)，并給出EM靜噪濾波器在典型電路中的應(yīng)用示例。我們衷心希望您在考慮靜噪措施時(shí)參考本手冊。由于發(fā)生EMI噪聲問題的電路中使用很多IC，使得EMI噪聲發(fā)射過程變得非常復(fù)雜。為了能夠?qū)MI噪聲現(xiàn)象說明得簡單清楚，本章將通過使用2、3個(gè)C的實(shí)驗(yàn)電路示例來描述電路發(fā)射EM噪聲的過程。
上傳時(shí)間： 2022-07-06
上傳用戶：XuVshu
當(dāng)雷達(dá)波束照射海面時(shí)，海浪也能反射電波，使顯示器熒光屏上出現(xiàn)雜亂脈沖或不均勻閃爍斑點(diǎn)，時(shí)隱時(shí)現(xiàn)，且位置不固定，這種看起來類似噪聲的后向散射回波，被稱為海雜波。簡單來說，海雜波就是來自于被雷達(dá)發(fā)射信號(hào)照射的一片海面的后向散射回波。航海雷達(dá)檢測海面上的或者接近海面上空的目標(biāo)物體時(shí)，需要克服海面本身的海雜波，但由于海雜波具有變化多端和對目標(biāo)物體的回波強(qiáng)度干擾大的缺點(diǎn)，故在很多情況下，限制了航海雷達(dá)的探測能力，所以說對于海雜波的抑制成為航海雷達(dá)必須解決的一個(gè)重要問題。研究海雜波抑制技術(shù)不僅具有理論上的重要性，而且具有實(shí)踐上的重要性，在海浪監(jiān)測、軍事偵察中均具有重大價(jià)值和廣泛需求。如何精確將淹沒于強(qiáng)海雜波背景中的目標(biāo)信息提取出來是海雜波抑制技術(shù)的關(guān)鍵。目前抑制海雜波的方法即國大多都是從信號(hào)處理角度提出的，但由于海雜波信號(hào)具有很強(qiáng)的相關(guān)性，例如海尖峰效應(yīng)-]，這種相關(guān)性導(dǎo)致了從信號(hào)處理角度無法完全抑制海雜波。所以本文另辟蹊徑，提出了一種系統(tǒng)的從圖像處理角度去抑制海雜波的方法。此方法能夠有效地消除噪聲對海雜波圖像影響，并能準(zhǔn)確地將目標(biāo)圖像從海雜波圖像中
標(biāo)簽： 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)
上傳時(shí)間： 2022-07-09
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開關(guān)電源中電磁干擾的抑制
標(biāo)簽： 開關(guān)電源 電磁干擾
上傳時(shí)間： 2022-07-20
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