EMC設(shè)計(jì)中的濾波器通常指由L，C構(gòu)成的低通濾波器。濾波器結(jié)構(gòu)的選擇是由"最大不匹配原則"決定的。即在任何濾波器中，電容兩端存在高阻 抗，電感兩端存在低阻抗。
標(biāo)簽： EMC 設(shè)計(jì)技巧
上傳時(shí)間： 2014-12-23
上傳用戶：123啊
本文結(jié)合研究所科研項(xiàng)目需要，基于16 位高速ADC 芯片LTC2204，設(shè)計(jì)了一種滿足課題要求的高速度高性能的16 位模數(shù)轉(zhuǎn)換板卡方案。該方案中的輸入電路和時(shí)鐘電路采用差分結(jié)構(gòu)，輸出電路采用鎖存器隔離結(jié)構(gòu)，電源電路采用了較好的去耦措施，并且注重了板卡接地設(shè)計(jì)，使其具有抗噪聲干擾能力強(qiáng)、動(dòng)態(tài)性能好、易實(shí)現(xiàn)的特點(diǎn)。
標(biāo)簽： 模數(shù)轉(zhuǎn)換 模塊 動(dòng)態(tài) 性能測(cè)試
上傳時(shí)間： 2013-11-10
上傳用戶：cc1
分析了對(duì)功率MOSFET器件的設(shè)計(jì)要求；設(shè)計(jì)了基于EXB841驅(qū)動(dòng)模塊的功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，實(shí)用性強(qiáng)，響應(yīng)速度快等特點(diǎn)。在電渦流測(cè)功機(jī)勵(lì)磁線圈驅(qū)動(dòng)電路中的實(shí)際應(yīng)用證明，該電路驅(qū)動(dòng)能力及保護(hù)功能效果良好。
標(biāo)簽： MOSFET 功率 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路 方案
上傳時(shí)間： 2014-01-25
上傳用戶：hz07104032
針時(shí)引起電磁干技的主要因素一縫隙．本文提出了縫隙轉(zhuǎn)移阻抗等效建模方法，并在文中詳細(xì)論述，為快速、正確預(yù)測(cè)電于設(shè)備中電磁兼容的性能提供方法和理論依據(jù)。
標(biāo)簽： 電子設(shè)備 仿真 模型研究 電磁兼容
上傳時(shí)間： 2013-10-25
上傳用戶：hullow
BucK變換器在開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換瞬間．由于線路上存在感抗，會(huì)在主功率管和二極管上產(chǎn)生電壓尖峰，使之承受較大的電壓應(yīng)力和電流沖擊，從而導(dǎo)致器件熱損壞及電擊穿 因此，為避免此現(xiàn)象，有必要對(duì)電壓尖峰的原因進(jìn)行分析研究，找出有效的解決辦法。
上傳時(shí)間： 2013-10-15
上傳用戶：youth25
本文的目的在于，介紹如何計(jì)算具有狹窄氣隙的圓形轉(zhuǎn)子電機(jī)中的繞組感應(yīng)。我們僅處理理想化的氣隙磁場(chǎng)，不考慮槽、外部周邊或傾斜電抗。但我們將考察繞組磁動(dòng)勢(shì)（MMF）的空間諧頻。 在圖1中，給出了12槽定子的軸截面示意圖。實(shí)際上，所顯示的是薄鋼片的形狀，或用于構(gòu)成磁路的層片。鐵芯由薄片構(gòu)成，以控制渦流電流損耗。厚度將根據(jù)工作頻率而變，在60Hz的電機(jī)中（大體積電機(jī)，工業(yè)用）層片的厚度典型為.014”（.355毫米）。它們堆疊在一起，以構(gòu)成具有恰當(dāng)長(zhǎng)度的磁路。繞組位于該結(jié)構(gòu)的槽內(nèi)。 在圖1中，給出了帶有齒結(jié)構(gòu)的梯形槽，在大部分長(zhǎng)度方向上具有近乎均勻的截面，靠近氣隙處較寬。齒端與相對(duì)狹窄的槽凹陷區(qū)域結(jié)合在一起，通過(guò)改善氣隙場(chǎng)的均勻性、增加氣隙磁導(dǎo)、將繞組保持在槽中，有助于控制很多電機(jī)轉(zhuǎn)子中的寄生損耗。請(qǐng)注意，對(duì)于具有名為“形式纏繞”線圈的大型電機(jī)，它具有直邊矩形槽，以及非均勻截面齒。下面的介紹針對(duì)兩類電機(jī)。
標(biāo)簽： 如何計(jì)算 轉(zhuǎn)子 電機(jī) 繞組
上傳時(shí)間： 2013-10-13
上傳用戶：我干你啊
Construction Strategy of ESD Protection CircuitAbstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic conceptions of ESD protection design are presented.Key words：ESD protection/On circuit, ESD design window, ESD current path1 引言靜電放電（ESD，Electrostatic Discharge）給電子器件環(huán)境會(huì)帶來(lái)破壞性的后果。它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS，Complementary Metal-Oxide Semiconductor）的特征尺寸不斷縮小，金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的柵氧厚度越來(lái)越薄，MOS 管能承受的電流和電壓也越來(lái)越小，因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗ESD 性能，需要從全芯片ESD 保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)來(lái)進(jìn)行考慮。
標(biāo)簽： Construction Strategy ESD of
上傳時(shí)間： 2013-11-09
上傳用戶：Aidane
鋁電解電容器：詳細(xì)介紹原理，應(yīng)用，使用技巧 電容器(capacitor)在音響組件中被廣泛運(yùn)用，濾波、反交連、高頻補(bǔ)償、直流回授...隨處可見(jiàn)。但若依功能及制造材料、制造方法細(xì)分，那可不是一朝一夕能說(shuō)得明白。所以縮小范圍，本文只談電解電容，而且只談電源平滑濾波用的鋁質(zhì)電解電容。 每臺(tái)音響機(jī)器都要吃電源─除了被動(dòng)式前級(jí)，既然需要供電，那就少不了「濾波」這個(gè)動(dòng)作。不要和我爭(zhēng)，采用電池供電當(dāng)然無(wú)必要電源平滑濾波。但電池充電電路也有整流及濾波，故濾波電容器還是會(huì)存在。 我們現(xiàn)在習(xí)用的濾波電容，正式的名稱應(yīng)是：鋁箔干式電解電容器。就我的觀察，除加拿大Sonic Frontiers真空管前級(jí)，曾在高壓穩(wěn)壓線路中選用PP塑料電容做濾波外，其它機(jī)種一概都是采用鋁箔干式電解電容；因此網(wǎng)友有必要對(duì)它多做了解。 面對(duì)電源穩(wěn)壓線路中擔(dān)任電源平滑濾波的電容器，你首先想到的會(huì)是什幺？─容量？耐壓？電容器的封裝外皮上一定有容量標(biāo)示，那是指靜電容量；也一定有耐壓標(biāo)示，那是指工作電壓或額定電壓。 工作電壓(working voltage)簡(jiǎn)稱WV，為絕對(duì)安全值；若是surge voltage(簡(jiǎn)稱SV或Vs)，就是涌浪電壓或崩潰電壓;，超過(guò)這個(gè)電壓值就保證此電容會(huì)被浪淹死─小心電容會(huì)爆！根據(jù)國(guó)際IEC 384-4規(guī)定，低于315V時(shí)，Vs=1.15×Vr，高于315V時(shí)，Vs=1.1×Vr。Vs是涌浪電壓，Vr是額定電壓(rated voltage)。
標(biāo)簽： 鋁電解電容器 詳細(xì)介紹 使用技巧
上傳時(shí)間： 2013-12-23
上傳用戶：gundan
低電壓差分信號(hào)(LVDS)是一種高速點(diǎn)到點(diǎn)應(yīng)用通信標(biāo)準(zhǔn)。多點(diǎn)LVDS (M-LVDS)則是一種面向多點(diǎn)應(yīng)用的類似標(biāo)準(zhǔn)。LVDS和M-LVDS均使用差分信號(hào)，通過(guò)這種雙線式通信方法，接收器將根據(jù)兩個(gè)互補(bǔ)電信號(hào)之間的電壓差檢測(cè)數(shù)據(jù)。這樣能夠極大地改善噪聲抗擾度，并將噪聲輻射降至最低。
上傳時(shí)間： 2013-11-22
上傳用戶：fhjdliu
撓性印制板很容易在大應(yīng)力的作用下造成開(kāi)裂或斷裂，在設(shè)計(jì)時(shí)常在拐角處采用抗撕裂結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以更好地改善FPC的抗撕裂的性能。
上傳時(shí)間： 2013-11-22
上傳用戶：crazyer
蟲(chóng)蟲(chóng)下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號(hào)-1
