半導(dǎo)體製程概論 ppt版
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GB-T4677.4-1984 印制板抗剝強度測試方法
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電子元器件抗ESD技術(shù)講義:引 言 4 第1 章 電子元器件抗ESD損傷的基礎(chǔ)知識 5 1.1 靜電和靜電放電的定義和特點 5 1.2 對靜電認識的發(fā)展歷史 6 1.3 靜電的產(chǎn)生 6 1.3.1 摩擦產(chǎn)生靜電 7 1.3.2 感應(yīng)產(chǎn)生靜電 8 1.3.3 靜電荷 8 1.3.4 靜電勢 8 1.3.5 影響靜電產(chǎn)生和大小的因素 9 1.4 靜電的來源 10 1.4.1 人體靜電 10 1.4.2 儀器和設(shè)備的靜電 11 1.4.3 器件本身的靜電 11 1.4.4 其它靜電來源 12 1.5 靜電放電的三種模式 12 1.5.1 帶電人體的放電模式(HBM) 12 1.5.2 帶電機器的放電模式（MM） 13 1.5.3 充電器件的放電模型 13 1.6 靜電放電失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效機理 15 第2章 制造過程的防靜電損傷技術(shù) 2.1 靜電防護的作用和意義 2.1.1 多數(shù)電子元器件是靜電敏感器件 2.1.2 靜電對電子行業(yè)造成的損失很大 2.1.3 國內(nèi)外企業(yè)的狀況 2.2 靜電對電子產(chǎn)品的損害 2.2.1 靜電損害的形式 2.2.2 靜電損害的特點 2.2.3 可能產(chǎn)生靜電損害的制造過程 2.3 靜電防護的目的和總的原則 2.3.1 目的和原則 2.3.2 基本思路和技術(shù)途徑 2.4 靜電防護材料 2.4.1 與靜電防護材料有關(guān)的基本概念 2.4.2 靜電防護材料的主要參數(shù) 2.5 靜電防護器材 2.5.1 防靜電材料的制品 2.5.2 靜電消除器（消電器、電中和器或離子平衡器） 2.6 靜電防護的具體措施 2.6.1 建立靜電安全工作區(qū) 2.6.2 包裝、運送和存儲工程的防靜電措施 2.6.3 靜電檢測 2.6.4 靜電防護的管理工作 第3章 抗靜電檢測及分析技術(shù) 3.1 抗靜電檢測的作用和意義 3.2 靜電放電的標準波形 3.3 抗ESD檢測標準 3.3.1 電子元器件靜電放電靈敏度（ESDS）檢測及分類的常用標準 3.3.2 標準試驗方法的主要內(nèi)容（以MIL-STD-883E 方法3015.7為例） 3.4 實際ESD檢測的結(jié)果統(tǒng)計及分析 3.4.1 試驗條件 3.4.2 ESD評價試驗結(jié)果分析 3.5 關(guān)于ESD檢測中經(jīng)常遇到的一些問題 3.6 ESD損傷的失效定位分析技術(shù) 3.6.1 端口I－V特性檢測 3.6.2 光學(xué)顯微觀察 3.6.3 掃描電鏡分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光輻射顯微分析技術(shù) 3.6.6 分層剝離技術(shù) 3.6.7 小結(jié) 3.7 ESD和EOS的判別方法討論 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS對器件損傷的分析判別方法 第4 章 電子元器件抗ESD設(shè)計技術(shù) 4.1 元器件抗ESD設(shè)計基礎(chǔ) 4.1.1抗ESD過電流熱失效設(shè)計基礎(chǔ) 4.1.2抗場感應(yīng)ESD失效設(shè)計基礎(chǔ) 4.2元器件基本抗ESD保護電路 4.2.1基本抗靜電保護電路 4.2.2對抗靜電保護電路的基本要求 4.2.3 混合電路抗靜電保護電路的考慮 4.2.4防靜電保護元器件 4.3 CMOS電路ESD失效模式和機理 4.4 CMOS電路ESD可靠性設(shè)計策略 4.4.1 設(shè)計保護電路轉(zhuǎn)移ESD大電流。 4.4.2 使輸入/輸出晶體管自身的ESD閾值達到最大。 4.5 CMOS電路基本ESD保護電路的設(shè)計 4.5.1 基本ESD保護電路單元 4.5.2 CMOS電路基本ESD保護電路 4.5.3 ESD設(shè)計的輔助工具－TLP測試 4.5.4 CMOS電路ESD保護設(shè)計方法 4.5.5 CMOS電路ESD保護電路示例 4.6 工藝控制和管理
上傳時間： 2013-07-13
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專輯類-電子工藝-質(zhì)量及可靠性相關(guān)專輯-80冊-9020M 半導(dǎo)體製程概論-20.8M-ppt版.zip
上傳時間： 2013-07-25
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本文主要圍繞車用CAN總線抗電磁干擾能力進行了研究。 首先，在在參考國內(nèi)外相關(guān)研究資料的基礎(chǔ)上，依據(jù)FORD公司的ES-XW7T-1A278-AC電磁兼容標準、IS07637-3對非電源線的瞬態(tài)傳導(dǎo)抗干擾測試標準和IS011452-4大電流注入(BCI)電磁兼容性標準，利用瑞士EMTEST公司的UCS-200M、CSW500D等設(shè)備，搭建了3個用于測試CAN總線抗干擾能力的實驗平臺。 在所搭建的測試平臺上，著重從CAN總線通訊介質(zhì)選擇和CAN節(jié)點抗干擾設(shè)計兩個方面進行了理論分析和對比實驗研究，得出了當(dāng)采用屏蔽雙絞線和非屏蔽雙絞線作為總線通訊介質(zhì)時，影響其抗干擾能力的因素；當(dāng)CAN總線節(jié)點采用的不同的物理層參數(shù)時，如光耦、共模線圈、磁珠、濾波電容、分裂端接電阻、不同的總線發(fā)送電平、不同的CAN收發(fā)器等，對CAN總線抗干擾能力的影響，給出了一些增強CAN節(jié)點電路抗干擾能力的建議及一種推薦電路。 最后提出了一種新的提高CAN總線抗干擾能力的方法，即通過把CAN總線的CANH和CANL數(shù)據(jù)線分別通過一個電阻連接到總線收發(fā)器的地和電源端，使總線的差分電平整體下拉，從而降低總線收發(fā)器對某些干擾引起的電平波動所產(chǎn)生的誤判斷以達到增強抗電磁干擾的目的。并在基于FORD公司的ES-XW7T-1A278-AC電磁兼容標準所搭建的CAN總線測試平臺上進行實驗，驗證了其有效性。
上傳時間： 2013-06-19
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本文在此背景下，針對非線性PID控制、自抗擾控制以及Smith預(yù)估器和前饋控制展開研究。為了提高控制器的穩(wěn)定性和魯棒性，設(shè)計了ADRC-Smith預(yù)估控制器和前饋ADRC控制器，將其應(yīng)用于大時滯溫度控制系統(tǒng)，并在此基礎(chǔ)上設(shè)計了吹塑機控制系統(tǒng)解決方案，通過大量的理論研究、仿真和實驗，實現(xiàn)了良好的控制效果。論文的主要工作有： 1.研究了自抗擾技術(shù)和溫度控制的現(xiàn)狀以及溫度控制的特點。 2.研究了ADRC的發(fā)展史，深入了解ADRC的原理與優(yōu)點。ADRC在控制非線性對象時比PID具有更好的控制性能，但是參數(shù)調(diào)節(jié)理論不完善，阻礙了其廣泛應(yīng)用。 3.通過MATLAB仿真，得到ADRC參數(shù)之間的內(nèi)在規(guī)律，通過將ADRC的參數(shù)統(tǒng)一到一個時間因子上，達到簡化調(diào)節(jié)參數(shù)個數(shù)的目的，從而降低調(diào)試難度，同時，在無時滯溫控實驗平臺上進行實驗，驗證了參數(shù)調(diào)節(jié)規(guī)律的可行性。 4.自抗擾控制器在大時滯溫控上的應(yīng)用，以前文獻一般將時滯環(huán)節(jié)等效成一階慣性環(huán)節(jié)，這樣就要求增加ADRC的階次，增加了調(diào)節(jié)參數(shù)個數(shù)，在參數(shù)調(diào)節(jié)理論不完善的情況下無疑是增加了調(diào)試難度。本文將ADRC分別與Smith預(yù)估器和前饋控制器相結(jié)合，設(shè)計了ADRC-Smith預(yù)估控制器和前饋ADRC控制器來解決具有大時滯控制問題。這兩類新控制器的優(yōu)點是不增加ADRC的階次，是解決不確定大時滯被控對象的新途徑，也是ADRC控制器實際應(yīng)用上的一次創(chuàng)新。 5.在可編程計算機控制器(PCC)搭建的大時滯溫控實驗平臺上進行實驗，將前饋ADRC控制器和貝加萊專用溫度控制器PIDXH的控制效果進行比較，實驗結(jié)果表明前饋ADRC控制器在穩(wěn)定性、魯棒性等方面都優(yōu)于PIDXH控制器。 6.研究了吹塑機控制系統(tǒng)解決方案，并在吹塑機上實驗前饋ADRc控制器，得到了良好的控制效果，進一步驗證了算法的可行性。
標簽： 自抗擾 控制器 溫控系統(tǒng)
上傳時間： 2013-04-24
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主要講述靜電放電、射頻輻射電磁場、電快速瞬變脈 沖群、雷擊浪涌、由射頻場引起的傳導(dǎo)干擾、工頻磁場、 電壓跌落和衰減振蕩波等八項抗擾度試驗，其中前七項試 驗在通用抗擾度標準中已經(jīng)見到；后一項試驗（衰減振蕩 波抗擾度試驗）則在電力系統(tǒng)設(shè)備的抗擾度試驗中經(jīng)常可 以見到。考慮到國內(nèi)在引進生產(chǎn)家用電器的企業(yè)中經(jīng)常采 用的高頻噪聲模擬器，本章予以補充介紹。此外，汽車工 業(yè)在我國的迅速發(fā)展，拉動了與之配套的汽車電子與電器 行業(yè)的迅速發(fā)展。對后者的質(zhì)量控制與檢測問題便成為業(yè) 內(nèi)人士所關(guān)注的一個熱點。
上傳時間： 2013-05-24
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·期刊論文：抗噪聲語音識別技術(shù)研究
上傳時間： 2013-06-10
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數(shù)字容性隔離器的應(yīng)用環(huán)境通常包括一些大型電動馬達、發(fā)電機以及其他產(chǎn)生強電磁場的設(shè)備。暴露在這些磁場中，可引起潛在的數(shù)據(jù)損壞問題，因為電勢（EMF，即這些磁場形成的電壓）會干擾數(shù)據(jù)信號傳輸。由于存在這種潛在威脅，因此許多數(shù)字隔離器用戶都要求隔離器具備高磁場抗擾度 (MFI)。許多數(shù)字隔離器技術(shù)都聲稱具有高 MFI，但容性隔離器卻因其設(shè)計和內(nèi)部結(jié)構(gòu)擁有幾乎無窮大的MFI。本文將對其設(shè)計進行詳細的介紹。
上傳時間： 2013-10-26
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由于CMOS器件靜電損傷90%是延遲失效，對整機應(yīng)用的可靠性影響太大，因而有必要對CMOS器件進行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機理，從而對設(shè)計人員提出了幾種在線路設(shè)計中如何抗靜電，以保護CMOS器件不受損傷。
上傳時間： 2013-11-05
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