本書是“實用電子電路設計叢書”之一。本書內容分基礎部分（1~5章）和應用部分（6~9章）。前者主要介紹OP放大器的零點、漂移及噪聲，增益與桶位，相位補償及技馬，OP放大器的選擇和系統設計；后者則主要介紹OP放大器作為反相放大器、正相放大器、差動放大器的應用，OP放大囂在恒壓、恒流電路和微分、積分電路中的應用以及基于非線性元件的應用，比較放大器中的應用，等等.本書面向實際需要，理論聯系實際，列舉大量實用性、技術性強的電路，使讀者從原理到應用，對OP放大器有個系統的了解，以便能夠應付電路中可能出現的更加復雜的情況和故障。本書適用對象是相關領域工程技術人員以及大學相關專業本科生、研究生；也可供廣大的愛好者學習參考。
上傳時間： 2022-06-23
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液晶屏接口類型有LVDS接口、MIPIDSIDSI接口（下文只討論液晶屏LVDS接口，不討論其它應用的LVDS接口，因此說到LVDS接口時無特殊說明都是指液晶屏LVDS接口），它們的主要信號成分都是5組差分對，其中1組時鐘CLK，4組DATA（MIPIDSI接口中稱之為lane），它們到底有什么區別，能直接互聯么？在網上搜索“MIPIDSI接口與LVDS接口區別”找到的答案基本上是描述MIPIDSl接口是什么，LVDS接口是什么，沒有直接回答該問題。深入了解這些資料后，有了一些眉目，整理如下。首先，兩種接口里面的差分信號是不能直接互聯的，準確來說是互聯后無法使用，MIPIDSI轉LVDS比較簡單，有現成的芯片，例如ICN6201、ZA7783；LVDS轉MIPIDSI比較復雜暫時沒看到通用芯片，基本上是特制模塊，而且原理也比較復雜。其次，它們的主要區別總結為兩點：1、LVDS接口只用于傳輸視頻數據，MIPIDSI不僅能夠傳輸視頻數據，還能傳輸控制指令；2、LVDS接口主要是將RGBTTL信號按照SPWG/JEIDA格式轉換成LVDS信號進行傳輸，MIPILDSI接口則按照特定的握手順序和指令規則傳輸屏幕控制所需的視頻數據和控制數據。
上傳時間： 2022-06-24
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引言液晶顯示器（LCD）作為一種成熟的顯示技術已經深入到了人們生活的各個領域，但LCD也存在一些不足之處，例如亮度低、響應速度慢以及工作溫度范圍狹窄等。近年來各種新型顯示器件不斷出現，有機電致發光器件（OLEDD就是其中一種。有機發光顯示是指有機半導體材料和發光材料在電場驅動下，通過載流子注入和復合導致發光的現象。與LCD相比，OLED能夠主動發光（不需要背光源源，使用溫度范圍寬（-40℃~80℃），視角廣（接近180°），同時具有厚度薄、功耗低的特點，且抗震性能優異。目前，OLED一般都具有8位數據并行接口，但在單片機IVO管腳資源緊張的情況下，采用八位數據總線方式就需要對單片機的IVO進行擴展，這樣就增加了硬件電路的復雜程度。本文選用維信諾公司的VGG12864L-S002模塊，用比較少的單片機口線實現顯示信號的輸入。
上傳時間： 2022-06-24
上傳用戶：默默
神經網絡神經網絡是指用大量的簡單計算單元構成的非線性系統，它在一定程度上模仿了人腦神經系統的信息處理、存儲和檢索功能，是對人腦神經網絡的某種簡化、抽象和模擬。1943年心理學家McCulloch和數學家Pitts合作提出了神經元的數學模型M-P神經元模型，證明了單個神經元能執行邏輯功能，從此開創了神經科學理論研究的時代。M-P模型，是按照生物神經元的結構和工作原理構造出來的一個抽象和簡化了的神經元模型。權重當輸入進入神經元時，它會乘以一個權重。例如，如果一個神經元有兩個輸入，則每個輸入都將具有分配給它的一個關聯權重。隨機初始化權重，并在模型訓練過程中更新這些權重。偏置除了權重之外，另一個被應用于輸入的線性分量被稱為偏置。它被加到權重與輸入相乘的結果中。添加偏置的目的是改變權重與輸入相乘所得結果的范圍。激活函數激活函數的主要作用是加入非線性因素，以解決線性模型表達能力不足的缺陷，在整個神經網絡中至關重要。常用的激活函數有Sigmoid、Tanh、ReLU。
上傳時間： 2022-06-24
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以太網供電（POE）概述POE（Power Over Ethernet）指的是在現有的以太網 Cat.5布線基礎架構不作做何改動的情況下，在為一些基于IP的終端（如IP電話機、無線局域網接入點AP、網絡攝像機等）傳輸數據信號的同時，還能為此類設備提供直流供電的技術。POE技術能在確保現有結構化布線安全的同時保證現有網絡的正常運作，最大限度地降低成本。POE也被稱為基于局域網的供電系統（POL，Power overLAN）或有源以太網（Active Ethernet），有時也被簡稱為以太網供電，這是利用現存標準以太網傳輸電纜的同時傳送數據和電功率的最新標準規范，并保持了與現存以太網系統和用戶的兼容性。IEEE802.3af標準是基于以太網供電系統POE的新標準，它在IEEE802.3的基礎上增加了通過網線直接供電的相關標準，是現有以太網標準的擴展，也是第一個關于電源分配的國際標準。IEEE在1999年開始制定該標準，最早參與的廠商有3Com，Intel，PowerDsine，Nortel，Mitel和National Semiconductor。但是，該標準的缺點一直制約著市場的擴大。直到2003年6月，IEEE批準了802.3af標準，它明確規定了遠程系統中的電力檢測和控制事項，并對路由器、交換機和集線器通過以太網電纜向IP電話、安全系統以及無線LAN接入點等設備供電的方式進行了規定。IEEE802.3af的發展包含了許多公司專家的努力，這也使得該標準可以在各方面得到檢驗。
標簽： POE
上傳時間： 2022-06-25
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AN222944 HX3PD硬件設計指南和檢查表硬件（英文名Hardware）是計算機硬件的簡稱（中國大陸及香港用語，臺灣叫作:硬體），是指計算機系統中由電子，機械和光電元件等組成的各種物理裝置的總稱。這些物理裝置按系統結構的要求構成一個有機整體為計算機軟件運行提供物質基礎。簡而言之，硬件的功能是輸入并存儲程序和數據，以及執行程序把數據加工成可以利用的形式。從外觀上來看，微機由主機箱和外部設備組成。主機箱內主要包括CPU、內存、主板、硬盤驅動器、光盤驅動器、各種擴展卡、連接線、電源等；外部設備包括鼠標、鍵盤等。
標簽： HX3PD
上傳時間： 2022-06-25
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疊層芯片封裝技術，簡稱3D.是指在不改變封裝體外型尺J的前提下，在同一個封裝體內于垂直方向疊放兩個以上的芯片的封裝技術，它起源于快閃存儲器（NCYNA\D）及SURAM的疊層封裝。由于疊層芯片封裝技術具有大容量、多功能、小尺寸、低成本的特點，2005年以來3D技術研究逐漸成為主流。TSOP封裝因其具有低成本、后期加工的柔韌而在快閃存儲器領域得到廣泛應用，因此，基于TSP的3D封裝研究顯得非常重要。由TSOP3D封裝技術的實用性極強，研究方法主要以實驗為主。在具體實驗的基礎上，成功地掌握了TSP疊層封裝技術，并且找到了三種不同流程的TSP疊層芯片封裝的工藝。另外，還通過大量的實驗研究，成功地解決了疊層芯片封裝中的關鍵問題。目前，TSP疊層芯片技術已經用于生產實踐并且帶來了良好的經濟效益。
上傳時間： 2022-06-25
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1引言現代電力電子學是研究用大功率半導體器件對電能進行變換與控制，達到節能、省材、高頻、優化之目的。隨著電力電子學的發展，工作頻率已逐步由低頻，向中頻、高頻方向發展。在電力電子學中，一般定義工作在400赫茲以下的頻率稱為低頻；400赫茲以上、10千赫茲以下為中頻；10千赫茲以上為高頻。在實踐中，人們逐漸認識到高頻化潛在著巨大的優越性甚至不僅僅是量的變化，而是質的變化，是電力電子發展的飛躍。就電源而言，從工作在低頻下50Hz傳統直流電源到今天的開關電源（指廣義開關電源）不仗達到小塑輕量化的自的，而直潛在著對應用對象的工藝性能有極大的改善如高頻逆變式整流焊機電源、高頻直流電渡電源等。然而這些電源都要進行高頻整流。高頻整流中一些在低頻整流中被忽視的問題而在高頻設計中必須被認真考慮，予以重視。
標簽： 高頻
上傳時間： 2022-06-26
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整流二極管和穩壓二極管的參數及選擇原則電子愛好者經常要用二極管。二極管具有單向導電性， 主要用于整流、穩壓和混頻等電路中。本文介紹整流二極管和穩壓二極管的參數及選擇原則。(一)整流二極管的主要參數1.IF— 最大平均整流電流。指二極管長期工作時允許通過的最大正向平均電流。該電流由PN 結的結面積和散熱條件決定。使用時應注意通過二極管的平均電流不能大于此值， 并要滿足散熱條件。例如1N4000 系列二極管的IF 為1A。2.VR — 最大反向工作電壓。指二極管兩端允許施加的最大反向電壓。若大于此值， 則反向電流(IR)劇增，二極管的單向導電性被破壞， 從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓(VB) 的一半作為(VR)。例如1N4001 的VR 為50V，1N4007 的VR 為1OOOV.3.IR— 反向電流。指二極管未擊穿時反向電流值。溫度對IR 的影響很大。例如1N4000 系列二極管在100°C 條件IR 應小于500uA; 在25°C 時IR 應小于5uA 。4.VR — 擊穿電壓。指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點的電壓值。反向為軟特性時， 則指給定反向漏電流條件下的電壓值。
上傳時間： 2022-06-26
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本資源為解析文檔。引言GJB151B-2013《軍用設備和分系統電磁發射和敏感度要求與測量》（以下簡稱GJB151B或本標準）于2013年7月10日發布，2013年10月l日開始實施。該標準替代GJB151A-1997《軍用設備和分系統電磁發射和敏感度要求》（以下簡稱GJB151A）和GJB 152A-1997《軍用設備和分系統電磁發射和敏感度測量》（以下簡稱GJB152A）。本文對GJB151B的內容進行介紹，并重點介紹修改后的正文內容。為了便于描述，將本文的圖表號分為2類：—GJB151B中的圖表號，如“增加了可選的多次掃描方式，見表2的表注”中的“表2”指的是GJB151B中的表號；——為本文專門編排的圖表號，在相應的圖表號前冠以“本文的”定語以示區別，例如“引用標準的修改見本文的表！”。本文中的條款號指的是GJB151B的條款號，例如“增加了對可更換模塊類設備的要求，見4.2.4”中的“4.2.4”指的是GJB151B的4.2.4條款。
標簽： 電磁發射
上傳時間： 2022-06-29
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