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接地補(bǔ)(bǔ)償裝置

  • CMOS工藝下高擺幅共源共柵偏置電路

    共源共柵級放大器可提供較高的輸出阻抗和減少米勒效應(yīng),在放大器領(lǐng)域有很多的應(yīng)用。本文提出一種COMS工藝下簡單的高擺幅共源共柵偏置電路,且能應(yīng)用于任意電流密度。根據(jù)飽和電壓和共源共柵級電流密度的定義,本文提出器件寬長比與輸出電壓擺幅的關(guān)系,并設(shè)計(jì)一種高擺幅的共源共柵級偏置電路。

    標(biāo)簽: CMOS 工藝 共源共柵 偏置電路

    上傳時(shí)間: 2013-10-08

    上傳用戶:debuchangshi

  • PCB接地設(shè)計(jì)_中興

    PCB接地設(shè)計(jì)_中興

    標(biāo)簽: PCB 接地設(shè)計(jì) 中興

    上傳時(shí)間: 2013-11-10

    上傳用戶:葉山豪

  • PCB接地設(shè)計(jì)

    PCB接地設(shè)計(jì)

    標(biāo)簽: PCB 接地設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2013-11-05

    上傳用戶:wsq921779565

  • BGA焊球重置工藝

    BGA焊球重置工藝

    標(biāo)簽: BGA 焊球重置 工藝

    上傳時(shí)間: 2013-11-01

    上傳用戶:avensy

  • PCB板設(shè)計(jì)中的接地方法與技巧

    “地”通常被定義為一個(gè)等位點(diǎn),用來作為兩個(gè)或更多系統(tǒng)的參考電平。信號地的較好定義是一個(gè)低阻抗的路徑,信號電流經(jīng)此路徑返回其源。我們主要關(guān)心的是電流,而不是電壓。在電路中具有有限阻抗的兩點(diǎn)之間存在電壓差,電流就產(chǎn)生了。在接地結(jié)構(gòu)中的電流路徑?jīng)Q定了電路之間的電磁耦合。因?yàn)殚]環(huán)回路的存在,電流在閉環(huán)中流動,所以產(chǎn)生了磁場。閉環(huán)區(qū)域的大小決定著磁場的輻射頻率,電流的大小決定著噪聲的幅度。在實(shí)施接地方法時(shí)存在兩類基本方法:單點(diǎn)接地技術(shù)和多點(diǎn)接地技術(shù)。在每套方案中,又可能采用混合式的方法。針對某一個(gè)特殊的應(yīng)用,如何選擇最好的信號接地方法取決于設(shè)計(jì)方案。只要設(shè)計(jì)者依據(jù)電流流量和返回路徑的概念,就可以以同時(shí)采用幾種不同的方法綜合加以考慮

    標(biāo)簽: PCB 法與技巧

    上傳時(shí)間: 2013-11-15

    上傳用戶:498732662

  • 混合信號PCB設(shè)計(jì)中單點(diǎn)接地技術(shù)的研究

    混合信號系統(tǒng)中地平面的處理一直是一個(gè)困擾著很多硬件設(shè)計(jì)人員的難題"詳細(xì)講述了單點(diǎn)接地的原理"以及在工程應(yīng)用中的實(shí)現(xiàn)方法$

    標(biāo)簽: PCB 混合信號 接地技術(shù)

    上傳時(shí)間: 2013-11-11

    上傳用戶:旭521

  • 磁芯電感器的諧波失真分析

    磁芯電感器的諧波失真分析 摘  要:簡述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB,從而降低總諧波失真THD的歷史過程,分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響,提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞:比損耗系數(shù), 磁滯常數(shù)ηB ,直流偏置特性DC-Bias,總諧波失真THD  Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033   Abstract:    Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward.  Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD  近年來,變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家,在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上,進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施,促進(jìn)了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。  一、 歷史回顧 總諧波失真(Total harmonic distortion) ,簡稱THD,并不是什么新的概念,早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17-78“載波用鐵氧體罐形磁心”中,規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細(xì)的測試電路和方法。如圖一電路所示,利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實(shí)用方法,專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng),其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。  圖中  ZD   —— QF867 型阻容式載頻振蕩器,輸出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通濾波器,阻抗 150Ω,阻帶衰耗大于61dB,       Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB FD   —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP  —— Qp373 選頻電平表,輸入高阻抗, L ——被測無心罐形磁心及線圈, C  ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時(shí),所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝, (線架為一格) , 其空心電感值為 318μH(誤差1%) 被測磁心配對安裝好后,先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6~40KHz,  使輸出電平值為+17.4 dB, 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 (P2)為+17.4 dB,然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平(P3), 則三次諧波衰耗值為:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 為放大器增益dB 從以往的資料引證, 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作,其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器,信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán),阻抗必須匹配,薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成,以保證本身的“潔凈” ,不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求, 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初,1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠,從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié),出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式,改用真空爐,并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料,在此基礎(chǔ)上,還實(shí)現(xiàn)了高μ7000~10000材料的突破,從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM(頻率劃分調(diào)制)向PCM(脈沖編碼調(diào)制) 轉(zhuǎn)換時(shí)期, 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ,100KHz)的超優(yōu)鐵氧體材料<3>,其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵

    標(biāo)簽: 磁芯 電感器 諧波失真

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

    上傳用戶:7891

  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí),晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。

    標(biāo)簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時(shí)間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

  • 小電流接地系統(tǒng)單相接地選線裝置設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

    針對小電流接地故障診斷難的問題,設(shè)計(jì)了一個(gè)基于零序電流、零序電壓的實(shí)時(shí)檢測系統(tǒng),對供電系統(tǒng)進(jìn)行檢測并對故障線路進(jìn)行選線。采用了多任務(wù)、可移植、可裁剪的嵌入式操作系統(tǒng)μC/OS-II。為防止中性點(diǎn)帶補(bǔ)償系統(tǒng)對于故障線路的過補(bǔ)償影響,系統(tǒng)還加入了補(bǔ)償零序?qū)Ъ{判據(jù)對這種接地情況下的故障進(jìn)行檢測。選線系統(tǒng)采用零序電壓觸發(fā)方式,既提高了實(shí)時(shí)性,也增大了選線的準(zhǔn)確性。

    標(biāo)簽: 小電流 單相接地 接地系統(tǒng) 選線裝置

    上傳時(shí)間: 2014-01-18

    上傳用戶:海陸空653

  • 調(diào)匝式消弧線圈接地補(bǔ)償裝置

    調(diào)匝式消弧線圈接地補(bǔ)償裝置調(diào)匝式消弧線圈接地變成套補(bǔ)償裝置

    標(biāo)簽: 消弧線圈 接地補(bǔ)償裝置

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

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