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推挽功放電路

  • 對于電源故障保護應(yīng)用,超級電容器能夠替代后備電池

    在越來越多的短時間能量存貯應(yīng)用以及那些需要間歇式高能量脈衝的應(yīng)用中,超級電容器找到了自己的用武之地。電源故障保護電路便是此類應(yīng)用之一,在該電路中,如果主電源發(fā)生短時間故障,則接入一個後備電源,用於給負載供電

    標簽: 電源故障保護 后備電池 超級電容器

    上傳時間: 2014-01-08

    上傳用戶:lansedeyuntkn

  • 內(nèi)高頻環(huán)逆變器的設(shè)計

    本文主要研究了一種比較簡單的正弦輸出的逆變器的設(shè)計。本設(shè)計采用全橋逆變電路和用推挽升壓的方式獲得逆變器的直流輸入電壓的設(shè)計方法來獲得較大的輸出功率和較高的功率因數(shù).在直流升壓過程中用PWM集成控制器輸出相位相反具有一定占空比的兩高頻脈沖電壓來控制開關(guān)管的導通與關(guān)斷,進而控制推挽升壓變壓器的輸出直流電壓,再利用SPWM調(diào)制信號控制逆變器開關(guān)管的導通與關(guān)斷,再用LC濾波濾掉逆變器輸出高頻部分,得到正弦波形,最后利用保護控制電路使逆變輸出一個穩(wěn)定的滿足要求的交流波形。

    標簽: 高頻 逆變器

    上傳時間: 2013-10-20

    上傳用戶:acwme

  • 使用簡易閂鎖電路保護電源

    設(shè)計時需要過一款簡單、低成本的閂鎖電路 (latch circuit) ?圖一顯示的就是這樣一款電路,基本上是一個可控矽整流器(SCR),結(jié)合了一些離散組件,只需低成本的元件便可以提供電源故障保護。

    標簽: 閂鎖電路 保護電源

    上傳時間: 2013-11-11

    上傳用戶:zq70996813

  • 可替代整合型MOSFET的獨立元件

    在電源設(shè)計中,工程人員時常會面臨控制 IC 驅(qū)動電流不足的問題,或者因為閘極驅(qū)動損耗導致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題,工程人員通常會採用外部驅(qū)動器。目前許多半導體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動器解決方案,但因為成本考量,工程師往往會選擇比較低價的獨立元件。

    標簽: MOSFET 獨立元件

    上傳時間: 2013-11-19

    上傳用戶:阿譚電器工作室

  • 38V/100A可直接并聯(lián)大功率AC/DC變換器

    38V/100A可直接并聯(lián)大功率AC/DC變換器 隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展,電源技術(shù)被廣泛應(yīng)用于計算機、工業(yè)儀器儀表、軍事、航天等領(lǐng)域,涉及到國民經(jīng)濟各行各業(yè)。特別是近年來,隨著IGBT的廣泛應(yīng)用,開關(guān)電源向更大功率方向發(fā)展。研制各種各樣的大功率,高性能的開關(guān)電源成為趨勢。某電源系統(tǒng)要求輸入電壓為AC220V,輸出電壓為DC38V,輸出電流為100A,輸出電壓低紋波,功率因數(shù)>0.9,必要時多臺電源可以直接并聯(lián)使用,并聯(lián)時的負載不均衡度<5%。   設(shè)計采用了AC/DC/AC/DC變換方案。一次整流后的直流電壓,經(jīng)過有源功率因數(shù)校正環(huán)節(jié)以提高系統(tǒng)的功率因數(shù),再經(jīng)半橋變換電路逆變后,由高頻變壓器隔離降壓,最后整流輸出直流電壓。系統(tǒng)的主要環(huán)節(jié)有DC/DC電路、功率因數(shù)校正電路、PWM控制電路、均流電路和保護電路等。 1 有源功率因數(shù)校正環(huán)節(jié) 由于系統(tǒng)的功率因數(shù)要求0.9以上,采用二極管整流是不能滿足要求的,所以,加入了有源功率因數(shù)校正環(huán)節(jié)。采用UC3854A/B控制芯片來組成功率因數(shù)電路。UC3854A/B是Unitrode公司一種新的高功率因數(shù)校正器集成控制電路芯片,是在UC3854基礎(chǔ)上的改進。其特點是:采用平均電流控制,功率因數(shù)接近1,高帶寬,限制電網(wǎng)電流失真≤3%[1]。圖1是由UC3854A/B控制的有源功率因數(shù)校正電路。   該電路由兩部分組成。UC3854A/B及外圍元器件構(gòu)成控制部分,實現(xiàn)對網(wǎng)側(cè)輸入電流和輸出電壓的控制。功率部分由L2,C5,V等元器件構(gòu)成Boost升壓電路。開關(guān)管V選擇西門康公司的SKM75GB123D模塊,其工作頻率選在35kHz。升壓電感L2為2mH/20A。C5采用四個450V/470μF的電解電容并聯(lián)。因為,設(shè)計的PFC電路主要是用在大功率DC/DC電路中,所以,在負載輕的時候不進行功率因數(shù)校正,當負載較大時功率因數(shù)校正電路自動投入使用。此部分控制由圖1中的比較器部分來實現(xiàn)。R10及R11是負載檢測電阻。當負載較輕時,R10及R11上檢測的信號輸入給比較器,使其輸出端為低電平,D2導通,給ENA(使能端)低電平使UC3854A/B封鎖。在負載較大時ENA為高電平才讓UC3854A/B工作。D3接到SS(軟啟動端),在負載輕時D3導通,使SS為低電平;當負載增大要求UC3854A/B工作時,SS端電位從零緩慢升高,控制輸出脈沖占空比慢慢增大實現(xiàn)軟啟動。 2 DC/DC主電路及控制部分分析 2.1 DC/DC主電路拓撲 在大功率高頻開關(guān)電源中,常用的主變換電路有推挽電路、半橋電路、全橋電路等[2]。其中推挽電路的開關(guān)器件少,輸出功率大,但開關(guān)管承受電壓高(為電源電壓的2倍),且變壓器有六個抽頭,結(jié)構(gòu)復雜;全橋電路開關(guān)管承受的電壓不高,輸出功率大,但是需要的開關(guān)器件多(4個),驅(qū)動電路復雜。半橋電路開關(guān)管承受的電壓低,開關(guān)器件少,驅(qū)動簡單。根據(jù)對各種拓撲方案的工程化實現(xiàn)難度,電氣性能以及成本等指標的綜合比較,本電源選用半橋式DC/DC變換器作為主電路。圖2為大功率開關(guān)電源的主電路拓撲圖。

    標簽: 100 38 AC DC

    上傳時間: 2013-11-13

    上傳用戶:ukuk

  • 如何讓單片機端口上電復位時為低電平

    普通8051單片機上電復位時普通I/O口為弱上拉高電平輸出,而很多實際應(yīng)用要求上電時某些工/0口為低電平輸出,否則所控制的系統(tǒng)(如馬達)就會誤動作,現(xiàn)STC12系列單片機由于既有弱上拉輸出又有強推挽輸出,就可以很輕松的解決此問題。

    標簽: 單片機 上電復位 低電平 端口

    上傳時間: 2013-10-27

    上傳用戶:aesuser

  • HT45F23 ADC 功能應(yīng)用實例

    具備處理外部模擬信號功能是很多電子設(shè)備的基本要求。為了將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信 號,就需要藉助A/D 轉(zhuǎn)換器。將A/D 功能和MCU 整合在一起,就可減少電路的元件數(shù)量和 電路板的空間使用。 HT45F23 微控制器內(nèi)建6 通道,12 位解析度的A/D 轉(zhuǎn)換器。在本應(yīng)用說明中,將介紹如何 使用HT45F23 微控制器的A/D 功能。

    標簽: 45F F23 ADC HT

    上傳時間: 2013-10-27

    上傳用戶:nostopper

  • 單片機控制的正弦波逆變電源

    摘要:介紹一種采用單片機控制的小功率DC/AC逆變電源,直流升壓控制部分采用電流型控制芯片UC3846,該控制方案能顯著地抑制推挽變壓器的磁偏,同時提高負載的動態(tài)響應(yīng)速度。

    標簽: 單片機控制 正弦波逆變電源

    上傳時間: 2013-10-08

    上傳用戶:sun_pro12580

  • 基于單片機的后備式UPS的實現(xiàn)

    摘要:研究了用單片機控制的單相后備式方波輸出UPS的控制技術(shù)及實現(xiàn),分析了系統(tǒng)的工作原理,給出了硬件實現(xiàn)電路和算法框圖,并測出了市電逆變相互轉(zhuǎn)換等主要實驗結(jié)果。關(guān)鍵詞:不間斷電源;單片機;推挽變換器

    標簽: UPS 單片機

    上傳時間: 2013-10-28

    上傳用戶:1051290259

  • 帶2K字節(jié)Flash的8位微控制器AT89LP216的主要功

    AT89LP216是一款低功耗、高性能CMOS8位單片機,它有2k字節(jié)ISPFlash存儲器。產(chǎn)品生產(chǎn)采用Atmel的高密度非易失性存儲器技術(shù)而且和工業(yè)標準de的MCS51指令集相兼容。AT89LP216基于一個加強性CPU內(nèi)核,每時鐘周期讀取單子節(jié)指令。在經(jīng)典8051結(jié)構(gòu)中,每次讀取需要6個時鐘周期,使得執(zhí)行指令需要12、24或者48個時鐘周期。在AT89LP216CPU中,指令只需要1到4個時鐘周期就可以達到傳統(tǒng)8051速度的6到12倍。70%的指令字節(jié)數(shù)與執(zhí)行的時鐘周期數(shù)相等,而且其他指令只需要一個額外時鐘。在相同功耗下增強型CPU內(nèi)核可達到20MIPS,而傳統(tǒng)8051CPU只能達到4MIPS。相反地,在相同的工作速率下,新CPU內(nèi)核比傳統(tǒng)的8051擁有更低的時鐘速率和功耗。AT89LP216也擁有下列標準的特性:2K字節(jié)ISPFlash存儲器,128字節(jié)RAM、多達12個I/O口、2個16位定時器/計數(shù)器,兩PWM輸出,一個可編程看門狗定時器,一個全雙工串口,一個串行外圍接口,一個內(nèi)部RC振蕩器,片上石英振蕩器和一個4級、6矢量中斷系統(tǒng)。AT89LP216里的兩個定時器/計數(shù)器增加了兩個新模式。模式0可以被設(shè)置為9到16位的定時器/計數(shù)器,模式1可被設(shè)置位16位自動裝載定時器/計數(shù)器。此外,定時器/計數(shù)器可以獨立驅(qū)動PWM輸出。AT89LP216里面的I/O口能被獨立配置為4種工作模式的其中一種。在準雙工模式中,I/O口的工作模式和傳統(tǒng)8051一樣。在輸入模式中,接口是三態(tài)門。推挽輸出模式提供足夠的CMOS驅(qū)動,開漏模式則起到一個下拉的作用。另外,Port1的所有8個引腳可以作為通用中斷接口。AT89LP216的I/O口能承受的電壓可超出電源電壓達到5.5V。當器件的電源電壓為2.4V而I/O口輸入5.5V時,所有I/O口的反向電流總和不超過100μA。

    標簽: Flash 216 89 AT

    上傳時間: 2013-10-24

    上傳用戶:曹云鵬

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