<noframes id="wya60"></noframes> <abbr id="wya60"></abbr> 在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢(shì)壘的形狀以及勢(shì)壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對(duì)研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
上傳時(shí)間： 2013-10-31
上傳用戶：summery
這個(gè)文件只是漢化了PROTEL99SE的菜單文件帶英文的，比較適合初學(xué)者，把它解壓放在系統(tǒng)盤WINDOWS目錄下，注意要先關(guān)掉PROTEL99SE軟件，再覆蓋掉原文件，網(wǎng)上也有很多漢化菜單的文件，但功能都不齊全，這個(gè)是本人自己修改過(guò)來(lái)的，包括板層設(shè)置，材料清單等功能都很齊全，和大家分享！
上傳時(shí)間： 2013-12-18
上傳用戶：aa17807091
Multisim_11.0詳細(xì)的_安裝+漢化+破解_全過(guò)程
上傳時(shí)間： 2013-10-29
上傳用戶：gxmm
徹底解決99在以往不能完全漢化的問(wèn)題，全面實(shí)現(xiàn)漢化，具體到每個(gè)對(duì)話框和工作表，對(duì)初學(xué)者和英文不好的用戶非常實(shí)用，也非常簡(jiǎn)單！ 用過(guò)的，麻煩頂一下我，或加一點(diǎn)分，謝謝啦！
上傳時(shí)間： 2013-10-08
上傳用戶：1079836864
Arduino教程_Arduino圖形化編程軟件_ArduBlock
標(biāo)簽： Arduino ArduBlock 教程 圖形化編程
上傳時(shí)間： 2013-11-24
上傳用戶：pans0ul
為了提高交錯(cuò)并聯(lián)變換器的性能，對(duì)四相交錯(cuò)并聯(lián)雙向DC/DC變換器中不對(duì)稱耦合電感進(jìn)行分析，推導(dǎo)出等效穩(wěn)態(tài)電感和等效暫態(tài)電感的數(shù)學(xué)表達(dá)式。結(jié)合提出的耦合電感結(jié)構(gòu)進(jìn)行不對(duì)稱耦合電感對(duì)稱化研究。通過(guò)Saber和3D Maxwell軟件進(jìn)行仿真驗(yàn)證和樣機(jī)實(shí)驗(yàn)，驗(yàn)證了理論分析和仿真結(jié)果的正確性。
標(biāo)簽： 交錯(cuò)并聯(lián) 變換器 耦合電感 對(duì)稱
上傳時(shí)間： 2013-10-19
上傳用戶：wangfei22
為了提高Forward變換器非線性系統(tǒng)的控制性能，采用了精確線性化控制方法。首先采用開關(guān)函數(shù)和開關(guān)周期平均算子建立適合微分幾何方法的仿射非線性系統(tǒng)模型。從理論上證明了該模型滿足系統(tǒng)精確線性化的條件。對(duì)非線性坐標(biāo)變換后得到的線性系統(tǒng)，利用二次型最優(yōu)控制策略推導(dǎo)出非線性狀態(tài)反饋控制律。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，系統(tǒng)具有良好的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能，驗(yàn)證了該控制方法的有效性和正確性。
上傳時(shí)間： 2013-11-10
上傳用戶：xywhw1
N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。
上傳時(shí)間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
IGBT驅(qū)動(dòng)電路模塊化設(shè)計(jì)。
標(biāo)簽： IGBT 驅(qū)動(dòng)電路 模塊化設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-10-21
上傳用戶：yczrl
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。
上傳時(shí)間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
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