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時(shí)(shí)間片輪轉(zhuǎn)(zhuǎn)調(diào)(diào)度算法

  • 新型單片開關(guān)電源設(shè)計(jì)與應(yīng)用

    單片開關(guān)電源設(shè)計(jì)與應(yīng)用

    標(biāo)簽： 單片開關(guān) 電源設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間： 2013-11-14

    上傳用戶：熊少鋒

  • 單片開關(guān)電源

    單片開關(guān)電源

    標(biāo)簽： 單片開關(guān) 電源

    上傳時(shí)間： 2013-12-23

    上傳用戶：葉夜alex

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。

    標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時(shí)間： 2014-09-08

    上傳用戶：swing

  • 基于TOP243Y的單片反激開關(guān)電源設(shè)計(jì)

    介紹了一種具有多路輸出的單端反激式開關(guān)電源的設(shè)計(jì)方法，給出了利用單片開關(guān)電源集成芯片TOP243Y的電源設(shè)計(jì)實(shí)例，對外圍輸入EMI濾波電路、鉗位電路、高頻變壓器、輸出整流濾波電路等部分的設(shè)計(jì)過程進(jìn)行了詳細(xì)的分析和說明，并對設(shè)計(jì)樣機(jī)進(jìn)行組裝和調(diào)試。

    標(biāo)簽： 243Y TOP 243 反激

    上傳時(shí)間： 2013-10-27

    上傳用戶：huyanju

  • 芯片掃盲

    一.晶片的作用: 晶片為LED的主要原材料,LED主要依靠晶片來發(fā)光. 二.晶片的組成. 主要有砷(AS) 鋁(AL) 鎵(Ga) 銦(IN) 磷(P) 氮(N)鍶(Ｓi)這幾種元素中的若干種組成.

    標(biāo)簽： 芯片

    上傳時(shí)間： 2013-12-10

    上傳用戶：離殤

  • 單片開關(guān)電源設(shè)計(jì)實(shí)例

    單片開關(guān)電源設(shè)計(jì)實(shí)例

    標(biāo)簽： 單片開關(guān) 電源 設(shè)計(jì)實(shí)例

    上傳時(shí)間： 2013-11-22

    上傳用戶：xiaoyunyun

  • +12V、0.5A單片開關(guān)穩(wěn)壓電源電路

    +12V、0.5A單片開關(guān)穩(wěn)壓電源，其輸出功率為6W。當(dāng)輸入交流電壓在110～260V范圍內(nèi)變化時(shí)，電壓調(diào)整率Sv≤1％。當(dāng)負(fù)載電流大幅度變化時(shí)，負(fù)載調(diào)整率SI=5％～7％。

    標(biāo)簽： 0.5 12 單片開關(guān) 穩(wěn)壓電源電路

    上傳時(shí)間： 2014-12-24

    上傳用戶：han_zh

  • （N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源應(yīng)用前景

    隨著我國通信、電力事業(yè)的發(fā)展，通信、電力網(wǎng)絡(luò)的規(guī)模越來越大，系統(tǒng)越來越復(fù)雜。與之相應(yīng)的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護(hù)越來越重要。在中國通信、電力網(wǎng)絡(luò)中，傳統(tǒng)的交流供電方案是以UPS或單機(jī)式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術(shù)的進(jìn)步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源已經(jīng)非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發(fā)達(dá)的國家，各大通信運(yùn)營商、電力供應(yīng)商、軍隊(duì)均大量應(yīng)用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源具有以下明顯的優(yōu)點(diǎn)。

    標(biāo)簽： 熱插拔 模塊 并聯(lián) 應(yīng)用前景

    上傳時(shí)間： 2014-03-24

    上傳用戶：alan-ee

  • 分比功率架構(gòu)和V•I晶片靈活、優(yōu)越的功率系統(tǒng)方案

    當(dāng)今電子系統(tǒng)如高端處理器及記憶體，對電源的需求是趨向更低電壓、更高電流的應(yīng)用。同時(shí)、對負(fù)載的反應(yīng)速度也要提高。因此功率系統(tǒng)工程師要面對的挑戰(zhàn)，是要設(shè)計(jì)出符合系統(tǒng)要求的細(xì)小、價(jià)廉但高效率的電源系統(tǒng)。而這些要求都不是傳統(tǒng)功率架構(gòu)能夠完全滿足的。Vicor提出的分比功率架構(gòu)(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件，可提供革命性的功率轉(zhuǎn)換方案，應(yīng)付以上提及的各項(xiàng)挑戰(zhàn)。這些功率元件稱為V•I晶片。

    標(biāo)簽： 8226 分 功率架構(gòu) 功率

    上傳時(shí)間： 2013-11-15

    上傳用戶：yan2267246

  • 晶片wafer 平面工藝詳細(xì)介紹

    晶片wafer 平面工藝詳細(xì)介紹

    標(biāo)簽： wafer 晶片 工藝 詳細(xì)介紹

    上傳時(shí)間： 2013-11-21

    上傳用戶：jesuson

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