信號完整性是高速數字系統中要解決的一個首要問題之一，如何在高速PCB 設計過程中充分考慮信號完整性因素,并采取有效的控制措施,已經成為當今系統設計能否成功的關鍵。在這方面，差分線對具有很多優勢，比如更高的比特率 ,更低的功耗 ,更好的噪聲性能和更穩定的可靠性等。目前，差分線對在高速數字電路設計中的應用越來越廣泛，電路中最關鍵的信號往往都要采用差分線對設計。介紹了差分線對在PCB 設計中的一些要點，并給出具體設計方案。
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：540750247
討論了高速PCB 設計中涉及的定時、反射、串擾、振鈴等信號完整性( SI)問題,結合CA2DENCE公司提供的高速PCB設計工具Specctraquest和Sigxp,對一采樣率為125MHz的AD /DAC印制板進行了仿真和分析,根據布線前和布線后的仿真結果設置適當的約束條件來控制高速PCB的布局布線,從各個環節上保證高速電路的信號完整性。
上傳時間： 2013-11-06
上傳用戶：zhang97080564
第二部分：DRAM 內存模塊的設計技術..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內存的比較..........................................................................143第二章 內存模塊的疊層設計.............................................................................145第三章 內存模塊的時序要求.............................................................................1493.1 無緩沖（Unbuffered）內存模塊的時序分析.......................................1493.2 帶寄存器（Registered）的內存模塊時序分析...................................154第四章 內存模塊信號設計.................................................................................1594.1 時鐘信號的設計.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信號的設計..............................................................................1624.3 地址和控制線的設計...............................................................................1634.4 數據信號線的設計...................................................................................1664.5 電源，參考電壓Vref 及去耦電容.........................................................169第五章 內存模塊的功耗計算.............................................................................172第六章 實際設計案例分析.................................................................................178 目前比較流行的內存模塊主要是這三種：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS內存采用阻抗受控制的串行連接技術,在這里我們將不做進一步探討，本文所總結的內存設計技術就是針對SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。現在我們來簡單地比較一下SDR 和DDR，它們都被稱為同步動態內存，其核心技術是一樣的。只是DDR 在某些功能上進行了改進，所以DDR 有時也被稱為SDRAM II。DDR 的全稱是Double Data Rate，也就是雙倍的數據傳輸率，但是其時鐘頻率沒有增加，只是在時鐘的上升和下降沿都可以用來進行數據的讀寫操作。對于SDR 來說,市面上常見的模塊主要有PC100/PC133/PC166,而相應的DDR內存則為DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
上傳時間： 2014-01-13
上傳用戶：euroford
本文將接續介紹電源與功率電路基板，以及數字電路基板導線設計。寬帶與高頻電路基板導線設計a.輸入阻抗1MHz，平滑性(flatness)50MHz 的OP增幅器電路基板圖26 是由FET 輸入的高速OP 增幅器OPA656 構成的高輸入阻抗OP 增幅電路，它的gain取決于R1、R2，本電路圖的電路定數為2 倍。此外為改善平滑性特別追加設置可以加大噪訊gain，抑制gain-頻率特性高頻領域時峰值的R3。圖26 高輸入阻抗的寬帶OP增幅電路圖27 是高輸入阻抗OP 增幅器的電路基板圖案。降低高速OP 增幅器反相輸入端子與接地之間的浮游容量非常重要，所以本電路的浮游容量設計目標低于0.5pF。如果上述部位附著大浮游容量的話，會成為高頻領域的頻率特性產生峰值的原因，嚴重時頻率甚至會因為feedback 阻抗與浮游容量，造成feedback 信號的位相延遲，最后導致頻率特性產生波動現象。此外高輸入阻抗OP 增幅器輸入部位的浮游容量也逐漸成為問題，圖27 的電路基板圖案的非反相輸入端子部位無full ground設計，如果有外部噪訊干擾之虞時，接地可設計成網格狀(mesh)。圖28 是根據圖26 制成的OP 增幅器Gain－頻率特性測試結果，由圖可知即使接近50MHz頻率特性非常平滑，-3dB cutoff頻率大約是133MHz。
標簽： PCB
上傳時間： 2013-11-13
上傳用戶：hebanlian
半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2014-01-20
上傳用戶：蒼山觀海
電路板故障分析 維修方式介紹 ASA維修技術 ICT維修技術 沒有線路圖,無從修起 電路板太複雜,維修困難 維修經驗及技術不足 無法維修的死板,廢棄可惜 送電中作動態維修,危險性極高 備份板太多,積壓資金 送國外維修費用高,維修時間長 對老化零件無從查起無法預先更換 維修速度及效率無法提升,造成公司負擔,客戶埋怨 投資大量維修設備,操作複雜,績效不彰
上傳時間： 2013-10-26
上傳用戶：neu_liyan
通過實驗測試了硅能電池、閥控式鉛酸電池和超級電容的各項性能，分析了三種電池在運行中與終端后備電源有關的特性；對比硅能電池與傳統閥控式鉛酸蓄電池特性，證實了硅能電池作為終端后備電源要強于鉛酸蓄電池；分析了超級電容作為終端后備電源的可行性，證實了超級電容在高低溫下均能達到很有效的容量保持率。針對蓄電池和超級電容的突出優點，結合具體的終端應用場合，給出了三種后備電源解決方案。
上傳時間： 2013-11-11
上傳用戶：jasonheung
為研究功率型鋰離子電池性能，對某35 Ah功率型鋰離子電池單體進行了充放電特性試驗和分析，由此獲得功率型電池在不同溫度和不同倍率下的充放電特性、內阻特性和溫升特性。研究結果表明，低溫下電池的充放電內阻較大，充放電性能衰減顯著；常溫下電池的內阻較小，充放電溫升較小，大電流充放電的容量穩定性好，質量比能量高，作為電傳動車輛主要或輔助動力源具有良好的應用前景。
上傳時間： 2013-11-13
上傳用戶：清風冷雨
FT833A11-10V0.3A驅動器是一款無需變壓器繞組檢測和供電LED驅動器，它可以在85Vac至264Vac的 輸入電壓范圍內為LED燈串提供額定電壓3~10Vdc、額定電流0.3A的驅動。 本驅動使用的是FMD最新推出的FT833電源管理IC，它無需變壓器輔助，可進一步降低整個驅動的成本。 在成本降低同時，還能保持較高的電流精度與調整率。 本驅動提供全面的保護功能，包括環路和輸出短路保護并自動重新啟動。輸出過壓限制可避免在負載斷 開時可能對電源造成的損壞。開關周期限流保護功能能讓LED系統工作更加安全可靠。 此設計主要目標是小體積，低成本和高效率。本驅動可輕松放進市面上絕大多數的LED燈杯內，并將工 作時溫升保持在可接受范圍以內。
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：yangzhiwei
時至今日，以太網供電 (PoE) 技術仍在當今的網絡世界中不斷地普及。由供電設備 (PSE) 提供並傳輸至受電設備 (PD) 輸入端的 12.95W 功率是一種通用電源
上傳時間： 2013-11-06
上傳用戶：xmsmh
