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4_10kV三相干式非晶合金變壓器專用技術(shù)規(guī)范

4_10kV三相干式非晶合金變壓器專用技術(shù)規(guī)范

標(biāo)簽： 10 kV 三相 非晶

上傳時(shí)間： 2013-11-20

上傳用戶：JamesB

跟我學(xué)數(shù)字電子技朮

數(shù)字電子技朮

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上傳時(shí)間： 2013-10-09

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源級(jí)驅(qū)動(dòng)技術(shù)介紹_晶豐明源

上海晶豐明源半導(dǎo)體有限公司(Bright Power Semiconductor ) 是一家從事電源管理芯片設(shè)計(jì)和銷售的公司，公司主要產(chǎn)品是大功率LED驅(qū)動(dòng)芯片.

標(biāo)簽： 源級(jí)驅(qū)動(dòng) 晶豐明源

上傳時(shí)間： 2013-10-16

上傳用戶：aysyzxzm

NIP型非晶硅薄膜太陽能電池的研究

采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時(shí)間,優(yōu)化了太陽能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時(shí)間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達(dá)6. 40 %。通過調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進(jìn)一步改善電池的性能。

標(biāo)簽： NIP 非晶硅 薄膜太陽能電池

上傳時(shí)間： 2013-11-21

上傳用戶：wanqunsheng

晶閘管中頻電源運(yùn)行中的抗干擾問題研究

　隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和電力電子元器件制造水平的提高，中頻感應(yīng)加熱技術(shù)日臻完善。中頻感應(yīng)加熱以其便捷高效的加熱性能正逐步取代煤、油等燃料加熱而成為工業(yè)加熱的首選方式。作為感應(yīng)加熱裝置的電源，KGPS（晶閘管靜止變頻裝置）與傳統(tǒng)BPS機(jī)組（中頻發(fā)電機(jī)組）相比，負(fù)載適應(yīng)性強(qiáng)，效率高，易于形成自動(dòng)加熱線，已在工業(yè)加熱領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。

標(biāo)簽： 晶閘管 中頻電源 抗干擾 運(yùn)行

上傳時(shí)間： 2014-01-06

上傳用戶：dave520l

分比功率架構(gòu)和V•I晶片靈活、優(yōu)越的功率系統(tǒng)方案

當(dāng)今電子系統(tǒng)如高端處理器及記憶體，對(duì)電源的需求是趨向更低電壓、更高電流的應(yīng)用。同時(shí)、對(duì)負(fù)載的反應(yīng)速度也要提高。因此功率系統(tǒng)工程師要面對(duì)的挑戰(zhàn)，是要設(shè)計(jì)出符合系統(tǒng)要求的細(xì)小、價(jià)廉但高效率的電源系統(tǒng)。而這些要求都不是傳統(tǒng)功率架構(gòu)能夠完全滿足的。Vicor提出的分比功率架構(gòu)(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件，可提供革命性的功率轉(zhuǎn)換方案，應(yīng)付以上提及的各項(xiàng)挑戰(zhàn)。這些功率元件稱為V•I晶片。

標(biāo)簽： 8226 分 功率架構(gòu) 功率

上傳時(shí)間： 2013-11-15

上傳用戶：yan2267246

利用宏晶科技的IAP單片機(jī)開發(fā)自己的ISP程序?qū)嵗?/a>

標(biāo)簽： IAP ISP 宏晶科技 單片機(jī)開發(fā)

上傳時(shí)間： 2014-01-08

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利用宏晶科技的IAP單片機(jī)開發(fā)自己的ISP程序

利用宏晶科技的IAP單片機(jī)開發(fā)自己的ISP程序

標(biāo)簽： IAP ISP 宏晶科技 單片機(jī)開發(fā)

上傳時(shí)間： 2013-11-21

上傳用戶：netwolf

晶片wafer 平面工藝詳細(xì)介紹

晶片wafer 平面工藝詳細(xì)介紹

標(biāo)簽： wafer 晶片 工藝 詳細(xì)介紹

上傳時(shí)間： 2013-11-21

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介電體超晶格的研究

介電體超晶格是一種新型的有序微結(jié)構(gòu)材料。它具有通常均質(zhì)材料所不具有的獨(dú)特的優(yōu)異性能，展現(xiàn)出重要的應(yīng)用前景。本文介紹南京大學(xué)研究組關(guān)于介電體超晶格研究所取得的進(jìn)展，如將多個(gè)獨(dú)立的光參量過程集成于一塊介電體超晶格之中獲得了多波長激光的同時(shí)輸出，研制成超晶格全固態(tài)三基色原型激光器，在介電體超晶格中將拉曼散射強(qiáng)度增強(qiáng)到10的4次方-10的5次方倍，用超晶格研制的器件填補(bǔ)了體波超聲器件從幾百M(fèi)Hz到幾千MHz的空白頻段，發(fā)現(xiàn)了微波與超晶格振動(dòng)的強(qiáng)烈耦合以及研究了由此而產(chǎn)生的極化激元(polariton)的激發(fā)與傳播等。

標(biāo)簽： 介電體 晶格

上傳時(shí)間： 2013-11-01

上傳用戶：清山綠水