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有源鉗位

高頻開關直流電源柜技術數(shù)據(jù)

（GZDW）高頻開關直流電源柜采用國內最新的有源三相功率因數(shù)校正技術，最大限度地提高了電力電源的功率因數(shù)，減少了對電網(wǎng)的污染，降低了電網(wǎng)損耗。交流輸入三級分區(qū)防雷保護。智能直流絕緣監(jiān)測系統(tǒng)及時監(jiān)測母線對地絕緣故障，自動接地選線。高頻開關直流電源柜具有高智能化、高可靠性、安全性好、易操作等優(yōu)點。具備“遙測、遙控、遙信、遙調”功能，通過MODEM和通信網(wǎng)可實現(xiàn)對電源系統(tǒng)的遠程監(jiān)控，實現(xiàn)無人值守。

標簽： 高頻開關直流電源柜技術數(shù)據(jù)

上傳時間： 2014-12-24

上傳用戶：zhyiroy
與電網(wǎng)電壓同步的正弦波發(fā)生電路設計

目前的有源電力濾波器通常是采用基于瞬時無功功率理論的諧波電流檢測方法。其中的ip-iq算法需要用到與電網(wǎng)電壓同步的正余弦信號，即與電網(wǎng)電壓同頻同相的標準正余弦信號。該信號的獲取可以采用鎖相環(huán)加正余弦函數(shù)發(fā)生器的方法，也可采用軟件查表的方法。本設計采用全硬件電路完成，即通過鎖相環(huán)加正弦函數(shù)發(fā)生器的方法，可自動實時跟蹤電網(wǎng)電壓的頻率和相位，不占用微處理器的軟、硬件資源，大大降低了諧波檢測算法編程的復雜度。

標簽： 電網(wǎng)電壓同步的正弦波發(fā)生電路設計

上傳時間： 2013-10-22

上傳用戶：wxnumen
硬開關與軟開關功率因數(shù)校正電路的研

目前，主要用來提高功率因數(shù)的方法有：電感無源濾波，這種方法對抑制高次諧波有效，但體積大，重量大，在產品設計中其應用將越來越少；逆變器有源濾波，對各次諧波響應快，但設備造價昂貴；三相高功率因數(shù)整流器，效率高、性能好，近年來其控制策略和拓樸結構處于不斷發(fā)展中。單相有源功率因數(shù)校正（APFC），通常采用Boost電路，CCM工作模式，因其良好的校正效果，目前在產品設計中得到越來越廣泛的應用。　　本文主要介紹了兩種常用的APFC芯片UC3854和UC3855的工作原理、功能特點及實驗波形分析，并作了對比性研究。

標簽： 硬開關功率因數(shù) 校正電路軟開關

上傳時間： 2013-11-05

上傳用戶：tonyshao
DCBM模式160瓦功率因數(shù)校正器的研制

介紹了有源功率因數(shù)校正器（7*4）的拓撲結構和幾種工作模式，分析了電流斷續(xù)臨界模式（3456 ）控制的7*4 電路的工作原理，并給出了#-)8 7*4 電路參數(shù)的選取方法、實驗波形和結果。實驗結果表明此類7*4 具有高效率、高功率因數(shù)及低成本等優(yōu)點。

標簽： DCBM 160 模式功率因數(shù)

上傳時間： 2013-10-23

上傳用戶：604759954
單相正弦波逆變蓄電池回饋放電裝置IGBT驅動電路的設計

提出采用雙級變換電路的方法,研制出一種新型的單相有源逆變蓄電池回饋放電裝置,主要介紹了本放電裝置中IGBT器件的驅動電路的設計,對從事電力電子技術特別是對從蓄電池放電技術研究的工程技術人員具有較高的參考價值。

標簽： IGBT 單相正弦波逆變蓄電池放電

上傳時間： 2014-03-24

上傳用戶：laozhanshi111
38V/100A可直接并聯(lián)大功率AC/DC變換器

38V/100A可直接并聯(lián)大功率AC/DC變換器隨著電力電子技術的發(fā)展，電源技術被廣泛應用于計算機、工業(yè)儀器儀表、軍事、航天等領域，涉及到國民經(jīng)濟各行各業(yè)。特別是近年來，隨著IGBT的廣泛應用，開關電源向更大功率方向發(fā)展。研制各種各樣的大功率，高性能的開關電源成為趨勢。某電源系統(tǒng)要求輸入電壓為AC220V，輸出電壓為DC38V，輸出電流為100A，輸出電壓低紋波，功率因數(shù)>0.9，必要時多臺電源可以直接并聯(lián)使用，并聯(lián)時的負載不均衡度<5％。設計采用了AC/DC/AC/DC變換方案。一次整流后的直流電壓，經(jīng)過有源功率因數(shù)校正環(huán)節(jié)以提高系統(tǒng)的功率因數(shù)，再經(jīng)半橋變換電路逆變后，由高頻變壓器隔離降壓，最后整流輸出直流電壓。系統(tǒng)的主要環(huán)節(jié)有DC/DC電路、功率因數(shù)校正電路、PWM控制電路、均流電路和保護電路等。 1 有源功率因數(shù)校正環(huán)節(jié) 由于系統(tǒng)的功率因數(shù)要求0.9以上，采用二極管整流是不能滿足要求的，所以，加入了有源功率因數(shù)校正環(huán)節(jié)。采用UC3854A/B控制芯片來組成功率因數(shù)電路。UC3854A/B是Unitrode公司一種新的高功率因數(shù)校正器集成控制電路芯片，是在UC3854基礎上的改進。其特點是：采用平均電流控制，功率因數(shù)接近1，高帶寬，限制電網(wǎng)電流失真≤3％[1]。圖1是由UC3854A/B控制的有源功率因數(shù)校正電路。該電路由兩部分組成。UC3854A/B及外圍元器件構成控制部分，實現(xiàn)對網(wǎng)側輸入電流和輸出電壓的控制。功率部分由L2，C5，V等元器件構成Boost升壓電路。開關管V選擇西門康公司的SKM75GB123D模塊，其工作頻率選在35kHz。升壓電感L2為2mH/20A。C5采用四個450V/470μF的電解電容并聯(lián)。因為，設計的PFC電路主要是用在大功率DC/DC電路中，所以，在負載輕的時候不進行功率因數(shù)校正，當負載較大時功率因數(shù)校正電路自動投入使用。此部分控制由圖1中的比較器部分來實現(xiàn)。R10及R11是負載檢測電阻。當負載較輕時，R10及R11上檢測的信號輸入給比較器，使其輸出端為低電平，D2導通，給ENA(使能端)低電平使UC3854A/B封鎖。在負載較大時ENA為高電平才讓UC3854A/B工作。D3接到SS（軟啟動端），在負載輕時D3導通，使SS為低電平；當負載增大要求UC3854A/B工作時，SS端電位從零緩慢升高，控制輸出脈沖占空比慢慢增大實現(xiàn)軟啟動。 2 DC/DC主電路及控制部分分析 2.1 DC/DC主電路拓撲在大功率高頻開關電源中，常用的主變換電路有推挽電路、半橋電路、全橋電路等[2]。其中推挽電路的開關器件少，輸出功率大，但開關管承受電壓高（為電源電壓的2倍），且變壓器有六個抽頭，結構復雜；全橋電路開關管承受的電壓不高，輸出功率大，但是需要的開關器件多（4個），驅動電路復雜。半橋電路開關管承受的電壓低，開關器件少，驅動簡單。根據(jù)對各種拓撲方案的工程化實現(xiàn)難度，電氣性能以及成本等指標的綜合比較，本電源選用半橋式DC/DC變換器作為主電路。圖2為大功率開關電源的主電路拓撲圖。

標簽： 100 38 AC DC

上傳時間： 2013-11-13

上傳用戶：ukuk
計算器（可以算好多東西）

可以算RC常數(shù)，色環(huán)電阻，電阻串并聯(lián)，變壓器，有源濾波，無源濾波，二分頻，三分頻等

標簽： 計算器

上傳時間： 2013-10-12

上傳用戶：黃蛋的蛋黃
2.4寸液晶屏資料及51單片機代碼

2.4寸TFT 240370PQ 1.TFT電源：屏幕電源為2.8-3.3V;切記不能用5V; 2．本TFT兼容8/16位數(shù)據(jù)接口。切換方式通過排線上的R1,R2實現(xiàn)，0歐姆電阻短接R1為16位模式，短接R2為8位模式。默認發(fā)貨短接R2,既默認為8位數(shù)據(jù)接口，8位模式下，使用高8位(即DB7-DB15); 3.數(shù)據(jù)口電平:理論上不能讓數(shù)據(jù)口電平超過3.3V,如果一定要用5V的單片機IO連接數(shù)據(jù)總線，由于tft內部有電壓鉗位,用是可以用，不過始終是不規(guī)范的。做實驗做樣品測試可以，批量做產品的時候，為提高產品穩(wěn)定性，最好還是想辦法控制單片機的數(shù)據(jù)總線上的高電平電壓為3.3V. （AVR的IO輸出高電平能力強，TFT數(shù)據(jù)總線內部的電壓鉗位能力有限，使用AVR驅動的時候請務必使用3.3V給單片機供電.如果一定要使用5V供電的AVR，需要在數(shù)據(jù)線上使用兩個電阻分壓）

標簽： 2.4 液晶屏 51單片機代碼

上傳時間： 2013-10-26

上傳用戶：lanjisu111
SDRAM的原理和時序

SDRAM的原理和時序 SDRAM內存模組與基本結構我們平時看到的SDRAM都是以模組形式出現(xiàn)，為什么要做成這種形式呢？這首先要接觸到兩個概念：物理Bank與芯片位寬。1、物理Bank 傳統(tǒng)內存系統(tǒng)為了保證CPU的正常工作，必須一次傳輸完CPU在一個傳輸周期內所需要的數(shù)據(jù)。而CPU在一個傳輸周期能接受的數(shù) 據(jù)容量就是CPU數(shù)據(jù)總線的位寬，單位是bit（位）。當時控制內存與CPU之間數(shù)據(jù)交換的北橋芯片也因此將內存總線的數(shù)據(jù)位寬等同于CPU數(shù)據(jù)總線的位寬，而這個位寬就稱之為物理Bank（Physical Bank，下文簡稱P-Bank）的位寬。所以，那時的內存必須要組織成P-Bank來與CPU打交道。資格稍老的玩家應該還記得Pentium剛上市時，需要兩條72pin的SIMM才能啟動，因為一條72pin -SIMM只能提供32bit的位寬，不能滿足Pentium的64bit數(shù)據(jù)總線的需要。直到168pin-SDRAM DIMM上市后，才可以使用一條內存開機。不過要強調一點，P-Bank是SDRAM及以前傳統(tǒng)內存家族的特有概念，RDRAM中將以通道（Channel）取代，而對于像Intel E7500那樣的并發(fā)式多通道DDR系統(tǒng)，傳統(tǒng)的P-Bank概念也不適用。2、芯片位寬上文已經(jīng)講到SDRAM內存系統(tǒng)必須要組成一個P-Bank的位寬，才能使CPU正常工作，那么這個P-Bank位寬怎么得到呢？這就涉及到了內存芯片的結構。每個內存芯片也有自己的位寬，即每個傳輸周期能提供的數(shù)據(jù)量。理論上，完全可以做出一個位寬為64bit的芯片來滿足P-Ban k的需要，但這對技術的要求很高，在成本和實用性方面也都處于劣勢。所以芯片的位寬一般都較小。臺式機市場所用的SDRAM芯片位寬最高也就是16bit，常見的則是8bit。這樣，為了組成P-Bank所需的位寬，就需要多顆芯片并聯(lián)工作。對于16bi t芯片，需要4顆（4×16bit=64bit）。對于8bit芯片，則就需要8顆了。以上就是芯片位寬、芯片數(shù)量與P-Bank的關系。P-Bank其實就是一組內存芯片的集合，這個集合的容量不限，但這個集合的總位寬必須與CPU數(shù)據(jù)位寬相符。隨著計算機應用的發(fā)展，

標簽： SDRAM 時序

上傳時間： 2013-11-04

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8051單片機系統(tǒng)擴展與接口技術

8051單片機系統(tǒng)擴展與接口技術:第一節(jié) 8051 單片機系統(tǒng)擴展概述第二節(jié) 單片機外部存儲器擴展第三節(jié) 單片機輸入輸出（I/O）口擴展及應用第四節(jié) LED顯示器接口電路及顯示程序第五節(jié) 單片機鍵盤接口技術第六節(jié) 單片機與數(shù)模（D／A）及模數(shù)（A／D）轉換1、地址總線（Address Bus，簡寫為AB）地址總線可傳送單片機送出的地址信號，用于訪問外部存儲器單元或I/O端口。A 地址總線是單向的，地址信號只是由單片機向外發(fā)出。B 地址總線的數(shù)目決定了可直接訪問的存儲器單元的數(shù)目。例如N位地址，可以產生2N個連續(xù)地址編碼，因此可訪問2N個存儲單元，即通常所說的尋址范圍為 2N個地址單元。MCS—51單片機有十六位地址線，因此存儲器展范圍可達216 = 64KB地址單元。C 掛在總線上的器件，只有地址被選中的單元才能與CPU交換數(shù)據(jù)，其余的都暫時不能操作，否則會引起數(shù)據(jù)沖突。2、數(shù)據(jù)總線（Data Bus，簡寫為DB）數(shù)據(jù)總線用于在單片機與存儲器之間或單片機與I/O端口之間傳送數(shù)據(jù)。A 單片機系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的位數(shù)與單片機處理數(shù)據(jù)的字長一致。例如MCS—51單片機是8位字長，所以數(shù)據(jù)總線的位數(shù)也是8位。B 數(shù)據(jù)總線是雙向的，即可以進行兩個方向的數(shù)據(jù)傳送。3、控制總線（Control Bus，簡寫為CB）控制總線實際上就是一組控制信號線，包括單片機發(fā)出的，以及從其它部件送給單片機的各種控制或聯(lián)絡信號。對于一條控制信號線來說，其傳送方向是單向的，但是由不同方向的控制信號線組合的控制總線則表示為雙向的。總線結構形式大大減少了單片機系統(tǒng)中連接線的數(shù)目，提高了系統(tǒng)的可靠性，增加了系統(tǒng)的靈活性。此外，總線結構也使擴展易于實現(xiàn)，各功能部件只要符合總線規(guī)范，就可以很方便地接入系統(tǒng)，實現(xiàn)單片機擴展。

標簽： 8051 單片機系統(tǒng)擴展接口技術

上傳時間： 2013-10-18

上傳用戶：assef