\r\n經典的Protel99se入門教程，孫輝著北京郵電大學出版社出版
上傳時間： 2013-09-11
上傳用戶：Yukiseop
用于定量表示ADC動態性能的常用指標有六個，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數)、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態 范圍)
上傳時間： 2014-01-22
上傳用戶：魚哥哥你好
Dongle泛指任何能插到電腦上的小型硬體，PC TV dongle則是用來在PC上觀看電視節目所用的擴充裝置。一般來說，依照採用的電視訊號規格，PC TV dongle可區分成兩大類：若使用的訊源為數位訊號，則屬於數位PC TV dongle；若使用的是類比訊號，則屬於類比PC TV dongle。全球各地皆有不同的採納階段，且推行的廣播標準也不盡相同。
上傳時間： 2013-12-12
上傳用戶：lifangyuan12
基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作
上傳時間： 2014-08-01
上傳用戶：1109003457
計數器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎，用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器，并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能。基于集成計數器的N進制計數器設計方法簡單、可行，運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。
上傳時間： 2013-10-11
上傳用戶：gtzj
在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：summery
Recent advances in low voltage silicon germaniumand BiCMOS processes have allowed the design andproduction of very high speed amplifi ers. Because theprocesses are low voltage, most of the amplifi er designshave incorporated differential inputs and outputs to regainand maximize total output signal swing. Since many lowvoltageapplications are single-ended, the questions arise,“How can I use a differential I/O amplifi er in a single-endedapplication?” and “What are the implications of suchuse?” This Design Note addresses some of the practicalimplications and demonstrates specifi c single-endedapplications using the 3GHz gain-bandwidth LTC6406differential I/O amplifi er.
上傳時間： 2013-11-23
上傳用戶：rocketrevenge
LAYOUT REPORT .............. 1 目錄.................. 1 1. PCB LAYOUT 術語解釋(TERMS)......... 2 2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用............ 2 3. 基準點 (光學點) -for SMD:........... 4 4. 標記 (LABEL ING)......... 5 5. VIA HOLE PAD................. 5 6. PCB Layer 排列方式...... 5 7.零件佈置注意事項 (PLACEMENT NOTES)............... 5 8. PCB LAYOUT 設計............ 6 9. Transmission Line ( 傳輸線 )..... 8 10.General Guidelines – 跨Plane.. 8 11. General Guidelines – 繞線....... 9 12. General Guidelines – Damping Resistor. 10 13. General Guidelines - RJ45 to Transformer................. 10 14. Clock Routing Guideline........... 12 15. OSC & CRYSTAL Guideline........... 12 16. CPU
上傳時間： 2013-12-20
上傳用戶：康郎
N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降，得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構，N+緩沖層濃度及厚度存在最優值，只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
鋰離子正極電池材料 1. 目前主要的技術工藝制法： 1.1. 高溫固相反應法：高溫固相反應法是以FeC2O4·2H2O，(NH4)H2PO4，Li2CO3等為原料，按LiFePO4的化學組成配料研磨混合均勻，在惰性氣氛（如Ar，N2）的保護下高溫焙燒反應制得。目前，由于高溫固相反應法存在合成溫度高、粒徑分布大、顆粒粗大等缺點，極大地限制了L iFePO4的電化學性能。 1.2. 溶膠——凝膠合成法：溶膠——凝膠法以三價鐵的醋酸鹽或硝酸鹽為原料，按化學計量加入LiOH后加入檸檬酸，然后再將其加入到H3PO4中，用氨水調節pH，加熱至60℃得到凝膠，加熱使凝膠分解，高溫燒結得到LiFePO4。溶膠——凝膠法的優點是前驅體溶液化學均勻性好，凝膠熱處理溫度低，粉體顆粒粒徑小而且分布窄，粉體燒結性能好，反應過程易于控制，設備簡單；但是在干燥時收縮大，工業化生產難度較大，合成周期較長。
上傳時間： 2013-11-16
上傳用戶：blacklee
