一種高電源抑制比全工藝角低溫漂CMOS基準(zhǔn)電壓源
基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝,設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比,同時(shí)可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準(zhǔn)電路。首先采用一個(gè)具有高電源抑制比的基準(zhǔn)電壓,通過電壓放大器放大得到穩(wěn)定的電壓,以提供給帶隙核心電路作為供電電源,從而提高了電源抑制比。另外,將電路中的關(guān)鍵電阻設(shè)置為可調(diào)電阻,從而可以改變...
基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝,設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比,同時(shí)可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準(zhǔn)電路。首先采用一個(gè)具有高電源抑制比的基準(zhǔn)電壓,通過電壓放大器放大得到穩(wěn)定的電壓,以提供給帶隙核心電路作為供電電源,從而提高了電源抑制比。另外,將電路中的關(guān)鍵電阻設(shè)置為可調(diào)電阻,從而可以改變...
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空調(diào)專用 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片 uln2003a電路圖...
電阻電壓降的空氣擊穿強(qiáng)度為 500KV/m 已是共識(shí),然而筆者在研制“低壓電源避雷絕緣子”專利產(chǎn)品過程中,發(fā)現(xiàn)小間隙的電阻電壓降的空氣擊穿強(qiáng)度大大高于此值,于是就對(duì)空氣微小間隙放電的伏距特性進(jìn)行了測(cè)試研究。發(fā)現(xiàn)了空氣間隙放電的伏距特性隨著間隙的增大由...