在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級(jí)的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程
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上傳時(shí)間： 2020-06-05
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自行開發(fā)的簡(jiǎn)單FLASH動(dòng)畫，透過簡(jiǎn)單的音樂及畫面可以了解到藝術(shù)的氣息，且容易修改
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網(wǎng)絡(luò)奇技贏巧大搜捕
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新型智慧驅(qū)動(dòng)器可簡(jiǎn)化開關(guān)電源隔離拓樸結(jié)構(gòu)中同步整流器
標(biāo)簽： 驅(qū)動(dòng) 開關(guān)電源 同步整流器
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專輯類-網(wǎng)絡(luò)及電腦相關(guān)專輯-114冊(cè)-4.31G 網(wǎng)絡(luò)奇技贏巧大搜捕.pdf
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數(shù)字電子技朮
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LABVIEW最實(shí)用的技巧合集
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HTML 技 巧 集
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C++編程技考高級(jí)文檔資料
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大商集團(tuán)新東方電腦廣場(chǎng)技服醫(yī)院網(wǎng)站源碼
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