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氮化鎵功率器件

校準(zhǔn)終測(cè)的基本原理 13.1.1校準(zhǔn) 、終測(cè)的目的現(xiàn)在生產(chǎn)的相同型號(hào)手機(jī)雖然使用都是相同器件,但這相同器件還是有的一定的偏差,由此組合的手機(jī)就必然存在著差異,但這差異是在一定的范圍,超出了

校準(zhǔn)終測(cè)的基本原理 13.1.1校準(zhǔn) 、終測(cè)的目的現(xiàn)在生產(chǎn)的相同型號(hào)手機(jī)雖然使用都是相同器件,但這相同器件還是有的一定的偏差,由此組合的手機(jī)就必然存在著差異,但這差異是在一定的范圍,超出了就視為手機(jī)不良。因此校準(zhǔn)的目的就是將手機(jī)的這種差異調(diào)整在符合國(guó)標(biāo)的范圍，而終測(cè)是對(duì)于校準(zhǔn)的檢查，因?yàn)樾?zhǔn)無(wú)法對(duì)手機(jī)的每個(gè)信道，每個(gè)功率級(jí)都進(jìn)行調(diào)整，只能選擇有代表性的（試驗(yàn)經(jīng)驗(yàn)點(diǎn)）進(jìn)行，所以校準(zhǔn)通過(guò)的手機(jī)并不能肯定它是良品，只有通過(guò)終測(cè)檢驗(yàn)合格的才算是，我們現(xiàn)在生產(chǎn)線上的校準(zhǔn)終測(cè)測(cè)試程序都是將這兩個(gè)部分合并（除了DA8和EMP平臺(tái)）。

標(biāo)簽： 校準(zhǔn) 器件手機(jī) 13

上傳時(shí)間： 2014-12-08

上傳用戶：dengzb84
Tmos功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理和應(yīng)用 292頁(yè) 9.9M.pdf

器件數(shù)據(jù)手冊(cè)專輯 120冊(cè) 2.15GTmos功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理和應(yīng)用 292頁(yè) 9.9M.pdf

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上傳時(shí)間： 2014-05-05

上傳用戶：時(shí)代將軍
新編功率晶體管實(shí)用手冊(cè) NPN管 1404頁(yè) 35.4M.pdf

器件數(shù)據(jù)手冊(cè)專輯 120冊(cè) 2.15G新編功率晶體管實(shí)用手冊(cè) NPN管 1404頁(yè) 35.4M.pdf

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上傳時(shí)間： 2014-05-05

上傳用戶：時(shí)代將軍
國(guó)內(nèi)外功率晶體管實(shí)用手冊(cè) 下冊(cè) 1439頁(yè) 20.5M.pdf

器件數(shù)據(jù)手冊(cè)專輯 120冊(cè) 2.15G國(guó)內(nèi)外功率晶體管實(shí)用手冊(cè) 下冊(cè) 1439頁(yè) 20.5M.pdf

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上傳時(shí)間： 2014-05-05

上傳用戶：時(shí)代將軍
VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其應(yīng)用 225頁(yè) 3.2M.pdf

器件數(shù)據(jù)手冊(cè)專輯 120冊(cè) 2.15GVMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其應(yīng)用 225頁(yè) 3.2M.pdf

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上傳時(shí)間： 2014-05-05

上傳用戶：時(shí)代將軍
功率放大器

里面包含多種功率放大器，有OCT和OTL功率放大器，主要器件有三極管和二極管等構(gòu)成。

標(biāo)簽： 功率放大器

上傳時(shí)間： 2016-12-06

上傳用戶：bestjgc
模具鋼表面TD法制備碳化釩覆層的研究

通過(guò)在工件表面形成一層高硬度的耐磨材料是提高工件耐磨，抗咬合，耐蝕等性能，從而提高其使用壽命的有效而又經(jīng)濟(jì)的方法，TD覆層處理技術(shù)以碳化釩覆層為例，其表面硬度可達(dá)HV3200左右，較傳統(tǒng)的表面處理方法如滲碳HV~900；滲氮HV~1200；鍍硬鉻HV~1000；甚至滲硼HV 1200~1800等表面處理的硬度高得多，因此具有遠(yuǎn)優(yōu)于這些表面處理方法的耐磨性能。

標(biāo)簽： 模具表面釩

上傳時(shí)間： 2018-01-30

上傳用戶：yanjianwen
常見(jiàn)電阻功率與封裝的關(guān)系

常見(jiàn)電阻功率與封裝的關(guān)系，圖形化表示，簡(jiǎn)單便于學(xué)習(xí)

標(biāo)簽： 電阻功率封裝

上傳時(shí)間： 2019-04-09

上傳用戶：wuluwang
推挽式DC-DC開(kāi)關(guān)電源混合電路設(shè)計(jì)

在電子產(chǎn)品迅速發(fā)展的今天，電源設(shè)計(jì)，特別是開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)，在新產(chǎn)品的研制中占了相當(dāng)重要的位置。對(duì)于廣大的電源設(shè)計(jì)師而言，單純靠經(jīng)驗(yàn)來(lái)搭建試驗(yàn)電路的傳統(tǒng)辦法已經(jīng)不可能滿足當(dāng)今電源產(chǎn)品的設(shè)計(jì)要求，而且無(wú)論從設(shè)計(jì)周期方面還是開(kāi)發(fā)成本方面也都是難以承受的。因此借助先進(jìn)的CAD技術(shù)，可提高電源產(chǎn)品的設(shè)計(jì)質(zhì)量。本文首先簡(jiǎn)要介紹了開(kāi)關(guān)電源基本原理和基本結(jié)構(gòu)，然后結(jié)合一款具體產(chǎn)品，詳細(xì)分析了推挽式開(kāi)關(guān)電源的基本原理，并對(duì)各部分電路進(jìn)行分別設(shè)計(jì)，尤其詳細(xì)說(shuō)明了磁性器件的設(shè)計(jì)，所搭建的實(shí)驗(yàn)電路能夠基本滿足設(shè)計(jì)要求，但仿真結(jié)果不理想，本文分析了仿真結(jié)果不理想的原因。為下一步改進(jìn)工作提供基礎(chǔ)關(guān)鍵詞：厚膜混合電路、開(kāi)關(guān)電源、推挽模式、PWM、磁性器件任何電子設(shè)備都離不開(kāi)可靠的電源，它們對(duì)電源的要求也越來(lái)越高。電子設(shè)備的小型化和低成木化使電源以輕、薄、小和高效率為發(fā)展方向。傳統(tǒng)的品體管串聯(lián)調(diào)整穩(wěn)壓電源是連續(xù)控制的線性穩(wěn)壓電源。這種傳統(tǒng)的穩(wěn)壓電源技術(shù)比較成熟，但是其通常都需要體積大且笨重的工頻變壓器與體積和重量都很大的濾波器而且調(diào)整管功耗較大，電源效率很低，一般只有45%左右。另外，由于在調(diào)整管上消耗較大的功率，所以需要采用大功率調(diào)整管并裝有體積很大的散熱器，很難滿足現(xiàn)代電子設(shè)備發(fā)展的要求。20世紀(jì)50年代，美國(guó)宇航局以小型化、重量輕為目標(biāo)，為搭載火箭開(kāi)發(fā)了開(kāi)關(guān)電源。在近半個(gè)世紀(jì)的發(fā)展過(guò)程中，開(kāi)關(guān)電源因具有體積小、重量輕、效率高、發(fā)熱量低、性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)而逐漸取代傳統(tǒng)技術(shù)制造的連續(xù)工作電源，并廣泛應(yīng)用于電子整機(jī)與設(shè)備中，20世紀(jì)80年代，計(jì)算機(jī)全面實(shí)現(xiàn)了開(kāi)關(guān)電源化，率先完成計(jì)算機(jī)的電源換代。20世紀(jì)9年代，開(kāi)關(guān)電源在電子、電器設(shè)備、家電領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，開(kāi)關(guān)電源技術(shù)進(jìn)入了快速發(fā)展期

標(biāo)簽： 開(kāi)關(guān)電源

上傳時(shí)間： 2022-03-16

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靜電放電ESD保護(hù)器件的模擬與仿真

靜電放電（Electrostatic Discharge，ESD）是構(gòu)成集成電路可靠性的主要因素之一，存在于生產(chǎn)到使用的每一個(gè)環(huán)節(jié)，并成為開(kāi)發(fā)新一代工藝技術(shù)的難點(diǎn)之一，近年來(lái)，對(duì)ESD的研究也因而越來(lái)越受到重視，仿真工具在ESD領(lǐng)域的應(yīng)用使得ESD防護(hù)的研究變得更為便利，可大幅縮短研發(fā)周期然而，由于ESD現(xiàn)象復(fù)雜的物理機(jī)制，極端的電場(chǎng)及溫度條件，以及ESD仿真中頻繁的不收斂現(xiàn)象，都使得FSD的仿真變得極為困難本文詳細(xì)闡述了ESD的來(lái)源、造成的危害以及如何測(cè)試集成電路的防靜電沖擊能力，并基于 Sentaurus軟件，對(duì)ESD防護(hù)器件展開(kāi)了的分析、研究，內(nèi)容包括1）掌握ESD保護(hù)的基本理論、測(cè)試方法和防護(hù)機(jī)理2）研究了工藝仿真流程的步驟以及網(wǎng)格定義在工藝仿真中的重要性，并對(duì)網(wǎng)格定義的方法進(jìn)行了探討3）硏究了器件仿真流程以及器件仿真中的物理模型和模型函數(shù)，并對(duì)描述同一物理機(jī)制的的各種不同模型展開(kāi)對(duì)比分析.主要包括傳輸方程模型、能帶模型、各種遷移率退化模型、雪崩離化模型和復(fù)合模型4）研究了雙極型晶體管和可控硅（Silicon Controlled rectifier，SCR）防護(hù)器件的仿真，并通過(guò)對(duì)仿真結(jié)果的分析，研究了ESD保護(hù)器件在ESD應(yīng)力作用下的工作機(jī)理關(guān)鍵詞：靜電放電；網(wǎng)格；器件仿真；雙極型晶體管；可控硅

標(biāo)簽： 靜電放電 esd

上傳時(shí)間： 2022-03-30

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