IP2716是一款集成USB TYPE-C輸入輸出協議、USB Power Delivery（PD3.0）輸入輸出協議、QC3.0/2.0輸出快充協議（兼容DCP識別功能，兼容BC1.2、蘋果和三星手機）等多功能。高集成度與豐富功能，使其在應用時僅需極少的外圍器件。如果原有的普通方案輸出功率和輸出電壓范圍滿足需求，只需額外增加外擴的功率MOS就可以實現在原有方案的基礎上升級為支持TYPE-C、PD3.0、QC3.0/2.0的高級快充方案。適當提升DC-DC或AC-DC元件性能，可以輕松實現最高100W（20V 5A）輸出能力，為移動電源、適配器、車充提供完整的TYPE-C解決方案。
標簽： ip2716
上傳時間： 2022-04-09
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標簽： python
上傳時間： 2022-06-06
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本文主要是基于氮化鋅（GaN）器件射頻功率放大電路的設計，在s波段頻率范圍內，應用CREE公司的氮化稼（GaN）高電子遷移速率品體管（CGH40010和CGH40045）進行的寬帶功率放大電路設計.主要工作有以下幾個方面：首先，設計功放匹配電路。在2.7GHz~3.5GHz頻帶范圍內，對中間級和末級功放晶體管進行穩定性分析并設置其靜態工作點，繼而進行寬帶阻抗匹配電路的設計。本文采用雙分支平衡漸變線拓撲電路結構，使用ADS軟件對其進行仿真優化，設計出滿足指標要求的匹配電路。具體指標如下：通帶寬度為800MHz，在通帶范圍內的增益dB（S（2，1）>）10dB、駐波比VSWR1<2.VSWR2<2，3dB輸出功率壓縮點分別大于40dBm46dBm，效率大于40%.其次，設計功放偏置電源電路。電路要求是負電壓控制正電壓并帶有過流保護功能，借助Orcad模擬電路仿真軟件，設計出滿足要求的電源電路。最后，分別運用AutoCAD和Altium Designer Summer 08制圖軟件，繪制了功率放大電路和偏置電源電路的印制電路板，并通過對硬件電路的調試，最終使得整體電路滿足了設計性能的要求。
上傳時間： 2022-06-20
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2011年，Realtek(瑞昱)開發出了業界公認的低功耗，高性能的USB3.0 Hub 主控，RTS5401-GR。它超小的體積(QFN76)和規范化的設計(USB IF認證，BC1.2和支持蘋果設備快充)，贏得了行內一致認可。如今，打磨再打磨，瑞昱在原有的優勢基礎上，又新推一款更具性價比的USB3.0 Hub 主控IC，RTS5411-GR。此款IC的推出目的就是優化功耗，提高性能，降低客戶Bom成本。那么，此款主控到底有何改善和更新呢？ 眾所周知，目前世面上的Hub 主控，諸如創唯(GL3520) 威盛(VL812) 等等，都需要外掛一顆Flash，把配置文件(Bin文件)燒錄其中，才能控制各個下行端口的設置。 而且，還需要一顆降壓IC(5.5~3V to 1.2V)。 如此才能是整塊板子正常工作，達到設計要求。 而現在，RTS5411-GR內置Efuse功能，可把Bin程序燒錄到IC內部，這樣就省去外掛SPI FLASH，使客戶再次Cost Down. 另外，該IC已內置降壓IC(5.5~3V to 1.2V) 因此，在整個Bom設計中，無需再加一顆降壓IC。 上述兩點，可以讓整個Bom節省大約RMB1.00的成本，這使得客戶的Hub產品更具價格優勢！
上傳時間： 2022-06-22
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RTS5411 USB3.0 HUB Controller v1.22011年，Realtek(瑞昱)開發出了業界公認的低功耗，高性能的USB3.0 Hub 主控，RTS5401-GR。它超小的體積(QFN76)和規范化的設計(USB IF認證，BC1.2和支持蘋果設備快充)，贏得了行內一致認可。如今，打磨再打磨，瑞昱在原有的優勢基礎上，又新推一款更具性價比的USB3.0 Hub 主控IC，RTS5411-GR。此款IC的推出目的就是優化功耗，提高性能，降低客戶Bom成本。那么，此款主控到底有何改善和更新呢？ 眾所周知，目前世面上的Hub 主控，諸如創唯(GL3520) 威盛(VL812) 等等，都需要外掛一顆Flash，把配置文件(Bin文件)燒錄其中，才能控制各個下行端口的設置。 而且，還需要一顆降壓IC(5.5~3V to 1.2V)。 如此才能是整塊板子正常工作，達到設計要求。 而現在，RTS5411-GR內置Efuse功能，可把Bin程序燒錄到IC內部，這樣就省去外掛SPI FLASH，使客戶再次Cost Down. 另外，該IC已內置降壓IC(5.5~3V to 1.2V) 因此，在整個Bom設計中，無需再加一顆降壓IC。 上述兩點，可以讓整個Bom節省大約RMB1.00的成本，這使得客戶的Hub產品更具價格優勢！
上傳時間： 2022-06-22
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凌陽GPMW5019B電源方案，節省了LM324、TL431可以節約0.4的成本，轉化效率高。
上傳時間： 2022-06-23
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本文在介紹了氮化嫁材料的基本結構特征及物理化學特性之后，從氮化擦的外延結構的屬性和氮化擦基高性能芯片設計兩個方面對氮化家材料和器件結構展開了討論。其中材料屬性部分，介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主要應用范圍，然后根據實驗分析了TEM圖片，包括GaN多量子阱，重點分析了V型缺陷和塊狀缺陷的高分辨圖形，分析了他們對材料屬性的影響。然后分析了多種氮化擦樣品的光致發光譜和電致發光譜，并解釋其光譜藍移和紅移現象。在屬性部分最后介紹了基于密度泛函理論和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料屬性上的應用。在芯片結構設計部分，本文提出了三種高效率LED芯片的設計結構，分別是基于雙光子晶體的LED芯片，基于微球模型的LED芯片，基于激光剝離襯底的大功率LED芯片。涉及到光子晶體理論，蒙特卡羅理論及激光剝離理論，本文分別介紹和分析了各類理論基礎，并在此基礎上提出新的設計結構，給出仿真分析結果。雙光子晶體可以提供較完善的反射層，出射層。微球LED可以利用大尺寸表面結構來大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剝離襯底的大功率LED可以實現較好散熱效果和功率。
標簽： led
上傳時間： 2022-06-25
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英飛凌EiceDRIVER門極驅動芯片選型指南2019門極驅動芯片相當于控制信號(數字或模擬控制器)與功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之間的接口。集成的門極驅動解決方案有助于您降低設計復雜度，縮短開發時間，節省用料(BOM)及電路板空間，相較于分立的方式實現的門極驅動解決方案，可提高方案的可靠度。每一個功率器件都需要一個門極驅動，同時每一個門極驅動都需要一個功率器件。英飛凌提供一系列擁有各種結構類型、電壓等級、隔離級別、保護功能和封裝選項的驅動芯片產品。這些靈活的門極驅動芯片是英飛凌分立式器件和模塊——包括硅MOSFET(CoolMOS?、OptiMOS?和StrongIRFET?)和碳化硅MOSFET(CoolSiC?)、氮化鎵HEMT(CoolGaN?)，或者作為集成功率模塊的一部分(CIPOS? IPM和iMOTION? smart IPM)——最完美的搭檔。
標簽： 門極驅動
上傳時間： 2022-07-16
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第01講-電子元器件-電阻.mp4 第02講-電子元器件-電感電容保險絲.mp4 第03講-電子元器件-IC變壓器運算放大器.mp4 第04講-電子元器件-TL431光耦.mp4 第05講-電子元器件-二極管.mp4 第06講-電子元器件-三極管.mp4 第07講-電子元器件-MOS管.mp4 第08講-電源常識-安規-PCB-插頭.mp4 第09講-電源常識差模共模干擾-EMI-變壓器.mp4 第10講-電源常識-雷擊-靜電-耐壓-功率因素(1).mp4 第11講-變壓器設計.mp4 第12講-變壓器感量設計.mp4 第13講-變壓器繞制.mp4 第14講-變壓器效率.mp4 第15講-繞制變壓器實操.mp4 第16講-電路原理反激式.mp4 第17講-電路原理LM358.mp4 第18講-BUCK電路原理.mp4 第19講-快充QC2.0-QC3.0.mp4 第20講-同步整流詳解.mp4 第21講-PFC電路詳解.mp4 第22講-BOOST電路原理.mp4 第23講-RCC電路詳解.mp4 …………
上傳時間： 2013-04-15
上傳用戶：eeworm
第01講-電子元器件-電阻.mp4 第02講-電子元器件-電感電容保險絲.mp4 第03講-電子元器件-IC變壓器運算放大器.mp4 第04講-電子元器件-TL431光耦.mp4 第05講-電子元器件-二極管.mp4 第06講-電子元器件-三極管.mp4 第07講-電子元器件-MOS管.mp4 第08講-電源常識-安規-PCB-插頭.mp4 第09講-電源常識差模共模干擾-EMI-變壓器.mp4 第10講-電源常識-雷擊-靜電-耐壓-功率因素(1).mp4 第11講-變壓器設計.mp4 第12講-變壓器感量設計.mp4 第13講-變壓器繞制.mp4 第14講-變壓器效率.mp4 第15講-繞制變壓器實操.mp4 第16講-電路原理反激式.mp4 第17講-電路原理LM358.mp4 第18講-BUCK電路原理.mp4 第19講-快充QC2.0-QC3.0.mp4 第20講-同步整流詳解.mp4 第21講-PFC電路詳解.mp4 第22講-BOOST電路原理.mp4 第23講-RCC電路詳解.mp4 …………
上傳時間： 2013-06-03
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