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上傳時(shí)間： 2017-09-26
上傳用戶(hù)：杜瑩12345
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標(biāo)簽： 三菱 程序
上傳時(shí)間： 2016-10-19
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上傳時(shí)間： 2017-02-06
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標(biāo)簽： 三公想拿到大牌的有什么辦法
IAP，全稱(chēng)是“In-Application Programming”，中文解釋為“在程序中編程”。 IAP 是一種 對(duì)通過(guò)微控制器的對(duì)外接口（如 USART， IIC， CAN， USB，以太網(wǎng)接口甚至是無(wú)線射頻通道） 對(duì)正在運(yùn)行程序的微控制器進(jìn)行內(nèi)部程序的更新的技術(shù)（注意這完全有別于 ICP 或者 ISP 技 術(shù)）
標(biāo)簽： STM IAP 32 方案
上傳時(shí)間： 2017-05-15
上傳用戶(hù)：Freesky1
電力電子器件及應(yīng)用技術(shù)電力電子器件及應(yīng)用技電電力電子器件及應(yīng)用技術(shù)力電子器件及應(yīng)用技術(shù)術(shù)
標(biāo)簽： 電力電子器件及應(yīng)用技術(shù)
上傳時(shí)間： 2019-07-01
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呈現(xiàn)了一個(gè)地鐵網(wǎng)絡(luò)修復(fù)策略的展現(xiàn)，算法是采用遺傳算法進(jìn)行的
標(biāo)簽： 地鐵 網(wǎng)絡(luò) 策略
上傳時(shí)間： 2021-10-12
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電磁兼容學(xué)科是一門(mén)綜合性交叉學(xué)科，實(shí)用性很強(qiáng)。本書(shū)注重從實(shí)際出發(fā)，結(jié)合強(qiáng)電類(lèi)工程實(shí)際的特點(diǎn)，介紹了電磁兼容的基本知識(shí)，包括電磁干擾的產(chǎn)生和電磁兼容性的實(shí)現(xiàn)技術(shù)，以及一些常見(jiàn)的電磁干擾問(wèn)題及其解決方法。
標(biāo)簽： 華為 pcb emc
上傳時(shí)間： 2021-10-16
上傳用戶(hù)：bluedrops
電磁兼容學(xué)科是一門(mén)綜合性交叉學(xué)科，實(shí)用性很強(qiáng)。本書(shū)注重從實(shí)際出發(fā)，結(jié)合強(qiáng)電類(lèi)工程實(shí)際的特點(diǎn)，介紹了電磁兼容的基本知識(shí)，包括電磁干擾的產(chǎn)生和電磁兼容性的實(shí)現(xiàn)技術(shù)，以及一些常見(jiàn)的電磁干擾問(wèn)題及其解決方法。本書(shū)第1 章介紹了電磁兼容的基本概念和電磁干擾源及危害。第2 章介紹了傳導(dǎo)和輻射兩類(lèi)干擾的產(chǎn)生機(jī)理。第3 章至第5 章介紹了接地、屏蔽和濾波等三種主要的電磁兼容性技術(shù)。第6 章介紹了電磁干擾的發(fā)射和敏感性測(cè)量技術(shù)。第7 至第9 章結(jié)合實(shí)際，具體介紹了靜電防護(hù)、電子系統(tǒng)的電磁兼容設(shè)計(jì)和浪涌抑制技術(shù)。第10 章介紹了與電力系統(tǒng)相關(guān)的一些典型的電磁兼容問(wèn)題。
標(biāo)簽： 電磁兼容
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作者：何亮，劉揚(yáng)論文摘要：氮 化 鎵 (G a N )材 料 具 有 優(yōu) 異 的 物 理 特 性 ，非 常 適 合 于 制 作 高 溫 、高 速 和 大 功 率 電 子 器 件 ，具 有 十 分 廣 闊 的 市場(chǎng)前景 。 S i襯 底 上 G a N 基 功 率 開(kāi) 關(guān) 器 件 是 目 前 的 主 流 技 術(shù) 路 線 ，其 中 結(jié) 型 柵 結(jié) 構(gòu) （p 型 柵 ）和 共 源 共 柵 級(jí) 聯(lián) 結(jié) 構(gòu) (C asco de)的 常 關(guān) 型 器 件 已 經(jīng) 逐 步 實(shí) 現(xiàn) 產(chǎn) 業(yè) 化 ，并 在 通 用 電 源 及 光 伏 逆 變 等 領(lǐng) 域 得 到 應(yīng) 用 。但 是 鑒 于 以 上 兩 種 器 件 結(jié) 構(gòu) 存 在 的 缺 點(diǎn) ，業(yè) 界 更 加 期 待 能 更 充 分 發(fā) 揮 G a N 性能的 “ 真 ” 常 關(guān) M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面實(shí)用 化 ，仍 然 面 臨 著 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 穩(wěn) 定 性 方 面 的 挑 戰(zhàn) 。
標(biāo)簽： 第三代半導(dǎo)體 GaN 功率開(kāi)關(guān)器件
上傳時(shí)間： 2021-12-08
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