恒流源設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： 恒流源電路
上傳時(shí)間： 2013-10-27
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高效數(shù)控恒流源設(shè)計(jì)報(bào)告(最終版)
標(biāo)簽： 數(shù)控恒流源 報(bào)告
上傳時(shí)間： 2013-10-16
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針對(duì)電源設(shè)備出廠老化測(cè)試電能浪費(fèi)問題，設(shè)計(jì)了一種基于TMS320F28335DSP的恒流型饋能式電子負(fù)載。描述了一種原邊帶箝位二極管的ZVS移相全橋變換器的工作特點(diǎn)，采用了一種簡便易行的移相波形數(shù)字控制方法；基于DC/DC電壓前饋、DC/AC電壓電流雙環(huán)控制方法，研制出一臺(tái)3.5 kW試驗(yàn)樣機(jī)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：該系統(tǒng)性能穩(wěn)定、調(diào)節(jié)速度快，能很好地滿足測(cè)試?yán)匣梆伨W(wǎng)要求。
標(biāo)簽： F28335 28335 320F TMS
上傳時(shí)間： 2013-10-13
上傳用戶：yd19890720
介紹了一種在大功率運(yùn)放()PA549基礎(chǔ)上的數(shù)控精密恒流源設(shè)計(jì)方法。該方法采用閉環(huán)控制，大功率運(yùn)放提高了輸出電流，同時(shí)具有過溫、電流過載保護(hù)功能，輸出電流精度達(dá)到0.05000.
上傳時(shí)間： 2013-11-18
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:設(shè)計(jì)了一種基于單片機(jī)控制的數(shù)控恒流源。數(shù)控恒流源以AT89S52 為控制核心,采用了高共模抑制比低溫漂的運(yùn)算放大器OP07 和達(dá)林頓管TIP122 構(gòu)成恒流源的主體,配以高精度12 bit D/ A 芯片MAX532 以及16 bit A/ D 芯片AD7715 完成單片機(jī)對(duì)輸出電流的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。
標(biāo)簽： 單片機(jī) 恒流源 技術(shù)研究
上傳時(shí)間： 2013-12-17
上傳用戶：asasasas
運(yùn)放電路中的恒流源電路分析方法 普通鏡像恒流源、多集電極恒流源、高精度鏡像恒流源、高內(nèi)阻恒流源和鏡像微恒流源電路，以及恒流源電路輸出電阻的計(jì)算等。 分析恒流源電路的方法是： （1）確定恒流源電路中的基準(zhǔn)晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管； （2） 計(jì)算或確定基準(zhǔn)電流； &nbbsp; （4）繪制恒流部分的交流通路，確定恒流源的內(nèi)阻。 由于恒流源的內(nèi)阻較大，計(jì)算恒流源內(nèi)阻時(shí)不能忽略三極管集電極與發(fā)射極之間，或場(chǎng)效應(yīng)管漏極與源極之間的動(dòng)態(tài)電阻
上傳時(shí)間： 2013-10-09
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DM11C 是專為LED 顯示應(yīng)用所設(shè)計(jì)的沈入電流式恒流驅(qū)動(dòng)芯片。內(nèi)建移位緩存器，數(shù)據(jù)鎖存器，以及恒流電路組件于硅CMOS 芯片上。8 個(gè)輸出通道的電流可由一外掛電阻調(diào)整。內(nèi)建開/短路偵測(cè)電路組件幫助使用者偵測(cè)LED 異常(開路與短路)。系統(tǒng)可藉由讀回串行輸出端的偵測(cè)數(shù)據(jù)與原始數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)以判定哪一通道發(fā)生異常。過溫?cái)嚯姽δ軇t可保護(hù)芯片避免在高溫環(huán)境使用下而毀損
標(biāo)簽： LED 8位 恒流驅(qū)動(dòng)芯片 錯(cuò)誤
上傳時(shí)間： 2013-11-09
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DM634 16通道LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片可編程PWM輸出
上傳時(shí)間： 2013-11-04
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基于串聯(lián)潴振電路結(jié)構(gòu)。同定導(dǎo)通時(shí)間、變頻控制以及零電流切換的技術(shù) ，為激光器高壓儲(chǔ)能電容設(shè)計(jì)了20kV／50mA的恒流充電電源。對(duì)隨著充電電 增高，諧振頻率漂移引起的開關(guān)非零切換問題，設(shè)汁了零電流同步開天探測(cè)控制電路。充電電壓和充電電流的大小}I1微處理器控制。前者正比丁充電電流脈沖的總個(gè)數(shù)，后者則正比于開關(guān)工作頻率。
上傳時(shí)間： 2013-10-10
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文章針對(duì)LDO穩(wěn)定性的問題，提出了一種內(nèi)部動(dòng)態(tài)頻率補(bǔ)償電路，使LDO線性穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性不 受負(fù)載電容的等效串聯(lián)電阻的影響，其單位增益帶寬也不隨負(fù)載電流變化而改變，大大提高了瞬態(tài)響應(yīng)特性； 采用Hynix 0．5 1TI CMOS工藝模型對(duì)電路進(jìn)行仿真；此外，該電路在實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)頻率補(bǔ)償?shù)幕A(chǔ)上又加人了 系統(tǒng)的過流保護(hù)功能，當(dāng)負(fù)載電流大于限制電流時(shí)，LDO不能正常工作；當(dāng)負(fù)載電流小于限制電流時(shí)，又自動(dòng) 恢復(fù)到正常工作狀態(tài)
標(biāo)簽： LDO 穩(wěn)壓器 動(dòng)態(tài) 頻率補(bǔ)償
上傳時(shí)間： 2013-10-27
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