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測(cè)(cè)試參數(shù)(shù)

  • C波段頻率源設(shè)計(jì)及性能分析

    采用鎖相環(huán)技術(shù)設(shè)計(jì)了一種穩(wěn)定、低噪聲的C波段頻率源。建立了鎖相環(huán)的相位噪聲模型并分析影響相位噪聲的因素，進(jìn)行了鎖相環(huán)低通濾波器的設(shè)計(jì)。利用軟件對(duì)環(huán)路的穩(wěn)定性和相位噪聲進(jìn)行仿真，相位裕度在45°以上，環(huán)路工作穩(wěn)定，且具有較好的相位噪聲特性

    標(biāo)簽： C波段 頻率源 性能分析

    上傳時(shí)間： 2014-12-23

    上傳用戶：吾學(xué)吾舞

  • 基于粒子群模糊C均值聚類的快速圖像分割

    模糊C-均值聚類算法是一種無(wú)監(jiān)督圖像分割技術(shù)，但存在著初始隸屬度矩陣隨機(jī)選取的影響，可能收斂到局部最優(yōu)解的缺點(diǎn)。提出了一種粒子群優(yōu)化與模糊C-均值聚類相結(jié)合的圖像分割算法，根據(jù)粒子群優(yōu)化算法強(qiáng)大的全局搜索能力，有效地避免了傳統(tǒng)的FCM對(duì)隨機(jī)初始值的敏感，容易陷入局部最優(yōu)的缺點(diǎn)。實(shí)驗(yàn)表明，該算法加快了收斂速度，提高了圖像的分割精度。

    標(biāo)簽： 粒子群 模糊 均值聚類 圖像分割

    上傳時(shí)間： 2013-10-25

    上傳用戶：llandlu

  • pcb layout規(guī)則

    LAYOUT REPORT .............. 1   目錄.................. 1     1. PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)......... 2     2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用............ 2     3. 基準(zhǔn)點(diǎn) (光學(xué)點(diǎn)) -for SMD:........... 4     4. 標(biāo)記 (LABEL ING)......... 5     5. VIA HOLE PAD................. 5     6. PCB Layer 排列方式...... 5     7.零件佈置注意事項(xiàng) (PLACEMENT NOTES)............... 5     8. PCB LAYOUT 設(shè)計(jì)............ 6     9. Transmission Line ( 傳輸線 )..... 8     10.General Guidelines – 跨Plane.. 8     11. General Guidelines – 繞線....... 9     12. General Guidelines – Damping Resistor. 10     13. General Guidelines - RJ45 to Transformer................. 10     14. Clock Routing Guideline........... 12     15. OSC & CRYSTAL Guideline........... 12     16. CPU

    標(biāo)簽： layout pcb

    上傳時(shí)間： 2013-12-20

    上傳用戶：康郎

  • 小型DFN封裝的電子電路斷路器免除了檢測(cè)電阻器

    一直以來(lái)， 電子電路斷路器( E C B ) 都是由一個(gè)MOSFET、一個(gè) MOSFET 控制器和一個(gè)電流檢測(cè)電阻器所組成的。

    標(biāo)簽： DFN 封裝 電子電路 斷路器

    上傳時(shí)間： 2013-10-18

    上傳用戶：qwerasdf

  • 透過(guò)MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。

    標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時(shí)間： 2014-09-08

    上傳用戶：swing

  • 2012TI杯陜西賽題C題--簡(jiǎn)易直流電子負(fù)載

    2012TI杯陜西賽題H題，2012TI杯陜西賽題C題--簡(jiǎn)易直流電子負(fù)載。

    標(biāo)簽： 2012 TI 直流電子負(fù)載

    上傳時(shí)間： 2013-10-17

    上傳用戶：wangfei22

  • 跟我學(xué)數(shù)字電子技朮

    數(shù)字電子技朮

    標(biāo)簽：

    上傳時(shí)間： 2013-10-09

    上傳用戶：1101055045

  • PIC16F876A制作數(shù)控電源(完整C程序+HEX+仿真+

    PIC16F876A制作數(shù)控電源(完整C程序+HEX+仿真+電路圖)

    標(biāo)簽： F876 876A PIC 16F

    上傳時(shí)間： 2014-01-08

    上傳用戶：dumplin9

  • 51單片機(jī)C語(yǔ)言全新教程

    c語(yǔ)言學(xué)習(xí)教程

    標(biāo)簽： 51單片機(jī)C語(yǔ)言 教程

    上傳時(shí)間： 2014-12-24

    上傳用戶：Ants

  • 單片機(jī)c語(yǔ)言資料

    62157843單片機(jī)c語(yǔ)言資料

    標(biāo)簽： 單片機(jī)c語(yǔ)言

    上傳時(shí)間： 2013-10-11

    上傳用戶：mh_zhaohy

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