Highlights the LTC1062 as a lowpass filter in a phase lock loop. Describes how the loop's bandwidth can be increased and the VCO output jitter reduced when the LTC1062 is the loop filter. Compares it with a passive RC loop filter. Also discussed is the use of LTC1062 as simple bandpass and bandstop filter.
上傳時間： 2013-10-24
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數和磁滯常數ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調控方向。 關鍵詞：比損耗系數， 磁滯常數ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產廠家和軟磁鐵氧體生產廠家，在電感器和變壓器產品的總諧波失真指標控制上，進行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術上采取了不少有效措施，促進了質量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設備的遙測振蕩器和線路放大器系統，其非線性失真有很嚴格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時，所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調節振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發現諧波失真的測量是一項很精細的工作，其中測量系統的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩定性要求， 必須生產低損耗高穩定磁心。上世紀 70 年代初，1409 所和四機部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結，出窯后經真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結、冷卻氣氛。技術上采用共沉淀法攻關試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩定材料，在此基礎上，還實現了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業的技術差異。當時正處于通信技術由FDM（頻率劃分調制）向PCM（脈沖編碼調制） 轉換時期， 日本人明石雅夫發表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優鐵氧體材料<3>，其磁滯系數降為優鐵
上傳時間： 2014-12-24
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N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降，得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構，N+緩沖層濃度及厚度存在最優值，只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。
上傳時間： 2013-11-12
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LK1628是一種帶鍵盤掃描接口的LED驅動控制專用電路，內部集成有MCU數字接口、數據鎖存器、LED驅動、鍵盤掃描等電路。且在輸入端口內置上拉，可在應用方案中省去外部上拉電阻。采用CMOS工藝，VDD供電為5V，超強的輸入端口干擾能力，輸入端口內置上拉電阻，顯示模式：4位×13段—7位×10段，按鍵掃描：10×2位。輝度調節電路（占空比8級可調），串行接口（CLK,STB,DI/O），振蕩方式：內置RC振蕩，內置上電復位電路，ESD HBM:﹥8KV，SOP28的封裝形式。
上傳時間： 2013-10-17
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高的工作電壓高達100V N雙N溝道MOSFET同步驅動 The D810DCDC is a synchronous step-down switching regulator controller that can directly step-down voltages from up to 100V, making it ideal for telecom and automotive applications. The D810DCDC uses a constant on-time valley current control architecture to deliver very low duty cycles with accurate cycle-by-cycle current limit, without requiring a sense resistor. A precise internal reference provides 0.5% DC accuracy. A high bandwidth (25MHz) error amplifi er provides very fast line and load transient response. Large 1Ω gate drivers allow the D810DCDC to drive multiple MOSFETs for higher current applications. The operating frequency is selected by an external resistor and is compensated for variations in VIN and can also be synchronized to an external clock for switching-noise sensitive applications. Integrated bias control generates gate drive power from the input supply during start-up and when an output shortcircuit occurs, with the addition of a small external SOT23 MOSFET. When in regulation, power is derived from the output for higher effi ciency.
上傳時間： 2013-10-24
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When a system designer specifies a nonisolated dc/dc powermodule, considering the needed input voltage range isequally as important as considering the required performanceattributes and features. Generally, nonisolated moduleshave either a narrow or a wide input voltage range. Narrowinputmodules typically have a nominal input voltage of3.3, 5, or 12 V. For systems that operate from a tightlyregulated input bus—such as those that do not use batterybackup—a narrow-input module is often adequate sincethe input remains fairly stable.Offering greater flexibility, wide-input modules operatewithin a range of 7 to 36 V, which includes the popular12- or 24-V industrial bus. This enables a single module tobe used for generating multiple voltages. These modulesare ideal for industrial controls, HVAC systems, vehicles,medical instrumentation, and other applications that usea loosely regulated distribution bus. In addition, systemspowered by a rectifier/battery charger with lead-acidbattery backup almost always require wide-input modules.System designers who choose power supplies may wantto take a close look at the latest generation of wide-inputdc/dc modules.
標簽： Wide-input modules offer dc
上傳時間： 2014-12-24
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找一塊電源仔細看一下，在電源部分中，跨接L-N之間的小方塊（單位是μF）電容就是X電容，通常在是電源入口的第一個；同樣，在電源部分的跨接L-PE和N-PE之間的藍色的安規電容（單位pF）就是Y電容，通常是成對出現的。 或者你可以形象的看，X電容具有2個輸入端，2個輸出端，很象X；Y電容具有一個輸入端，一個輸出端以及一個公共的大地，很象一個Y 沒有什么概念的，一個在差模回路上，一個在共模回路上，X、Y的名稱純粹是一個稱呼，就象是X和Y軸一樣 X電容主要用于流電源線路中，此時當電容失時不致產生線間放電。X電容器的測試條件是：在交流電壓的有效值*1.5的電壓下工作100Hour；再加上1KV的高壓測試。Y電容器在一旦失效會導致放電危險（尤其是對外殼）時是強制使用的。Y類型電容器的測試條件是：在交流電壓的有效值*1.7的電壓下工作100Hour，加上2KV高壓測試。如果電容器用于不接地的II類產品中，則要增加至4KV。
上傳時間： 2013-10-24
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四個按鍵，第一個按鍵時分秒的選擇，可閃爍哦，第二個按鍵和第三個按鍵調時分秒的加減，第四個按鍵控制12和24的轉換，希望下載的親好好分析哦，歡迎下載。
上傳時間： 2013-10-24
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24秒倒計時和相關LED燈亮
上傳時間： 2013-11-07
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單片機籃球24秒 c語言
標簽： 倒計時器
上傳時間： 2013-11-01
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