這是一本詳細(xì)介紹電子技術(shù)入門(mén)類的書(shū)籍 很適合對(duì)電子技術(shù)感興趣的人
標(biāo)簽： 電子電路 電子技術(shù)
上傳時(shí)間： 2013-07-30
上傳用戶：面具愛(ài)人丿
51的匯編教程，感于單片機(jī)教材及自學(xué)單片機(jī)的痛苦經(jīng)歷，決定做這一版，以幫助那些和我一樣，身邊沒(méi)有一個(gè)老師可以問(wèn)的人。現(xiàn)先放上一個(gè)關(guān)于宏匯編軟件的說(shuō)明，內(nèi)容竭盡詳細(xì)。
標(biāo)簽： 匯編 教程
上傳時(shí)間： 2013-06-01
上傳用戶：dbs012280
我們自己做個(gè)性屏保。在當(dāng)前發(fā)達(dá)繁盛的互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代, 我們可以輕而易舉的獲取制作精良的屏幕保護(hù)程序, 制作一個(gè)屬于自己的屏保可能會(huì)更使人感興趣。其實(shí), 制作屏保并不是一件很困難的事情, 下面我就來(lái)向大家 介紹一種用VC制作屏幕保護(hù)程序的方法。
標(biāo)簽： VC制作 屏保 程序
上傳時(shí)間： 2013-06-25
上傳用戶：abc123456.
觸控屏的控制電路制作小記相關(guān)代碼，如對(duì)此制作感興趣，請(qǐng)進(jìn)入http://www.21ic.com/app/ce/201209/141514.htm
標(biāo)簽： 觸控屏 控制電路 代碼
上傳時(shí)間： 2013-06-17
上傳用戶：PresidentHuang
這書(shū)還沒(méi)看過(guò)，不知道怎樣。感興趣的可以下載看看。
標(biāo)簽： C語(yǔ)言 缺陷
上傳時(shí)間： 2013-04-24
上傳用戶：小鵬
原版的外文書(shū)，基于FPGA的SDRAM設(shè)計(jì)，相信大家都會(huì)感興趣！
標(biāo)簽： SDRAM FPGA
上傳時(shí)間： 2013-08-19
上傳用戶：heart_2007
FPGA實(shí)現(xiàn)SPI的內(nèi)核驅(qū)動(dòng) 相信感興趣的朋友一定會(huì)喜歡
標(biāo)簽： FPGA SPI 內(nèi)核 驅(qū)動(dòng)
上傳時(shí)間： 2013-08-24
上傳用戶：hehuaiyu
dsp下載器cpld程序\r\n感興趣的朋友可以下來(lái)
標(biāo)簽： cpld dsp 下載器 程序
上傳時(shí)間： 2013-09-02
上傳用戶：tedo811
protel畢業(yè)設(shè)計(jì)電路圖，是自動(dòng)化專業(yè)的，感興趣的可以看看
標(biāo)簽： protel 畢業(yè)設(shè)計(jì) 電路圖
上傳時(shí)間： 2013-09-11
上傳用戶：bhqrd30
看到不少網(wǎng)友對(duì)COOLMOS感興趣，把自己收集整理的資料、個(gè)人理解發(fā)出來(lái)，與大家共享。個(gè)人理解不一定完全正確，僅供參考。COOLMOS（super junction）原理，與普通VDMOS的差異如下： 對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)，大家都知道Rdson與BV這一對(duì)矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson就大了。所以對(duì)于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是對(duì)于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過(guò)設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對(duì)Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？
標(biāo)簽： COOLMOS
上傳時(shí)間： 2014-12-23
上傳用戶：標(biāo)點(diǎn)符號(hào)
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