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無(wú)線傳輸

  • pcb layout design(臺(tái)灣硬件工程師15年經(jīng)驗(yàn)

    PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD:在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER:單、雙層板之各層線路;多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER:通常指多層板之電源層。8. INNER PAD:多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD:多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍,不與零件腳相接。10. THERMAL PAD:多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD,一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊):除了SMD PAD 外,其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測試點(diǎn)供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測試用之TEST PAD(測試點(diǎn)),其原則如下:1. 一般測試點(diǎn)大小均為30-35mil,元件分布較密時(shí),測試點(diǎn)最小可至30mil.測試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點(diǎn)與測試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil,一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上,避免測試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點(diǎn)設(shè)置處:Setup􀃆pads􀃆stacks

    標(biāo)簽: layout design pcb 硬件工程師

    上傳時(shí)間: 2013-10-22

    上傳用戶:pei5

  • 電路板維修相關(guān)技術(shù)資料

    電路板故障分析 維修方式介紹 ASA維修技術(shù) ICT維修技術(shù) 沒有線路圖,無從修起 電路板太複雜,維修困難 維修經(jīng)驗(yàn)及技術(shù)不足 無法維修的死板,廢棄可惜 送電中作動(dòng)態(tài)維修,危險(xiǎn)性極高 備份板太多,積壓資金 送國外維修費(fèi)用高,維修時(shí)間長 對(duì)老化零件無從查起無法預(yù)先更換 維修速度及效率無法提升,造成公司負(fù)擔(dān),客戶埋怨 投資大量維修設(shè)備,操作複雜,績效不彰

    標(biāo)簽: 電路板維修 技術(shù)資料

    上傳時(shí)間: 2013-10-26

    上傳用戶:neu_liyan

  • 降壓-升壓型控制器簡化手持式產(chǎn)品的DCDC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

    對(duì)於輸出電壓處於輸入電壓範(fàn)圍之內(nèi) (這在鋰離子電池供電型應(yīng)用中是一種很常見的情形) 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì),可供采用的傳統(tǒng)解決方案雖有不少,但迄今為止都不能令人非常滿意

    標(biāo)簽: DCDC 降壓 升壓型 控制器

    上傳時(shí)間: 2013-11-19

    上傳用戶:urgdil

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。

    標(biāo)簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時(shí)間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • W波段反對(duì)稱漸變探針過渡轉(zhuǎn)換的設(shè)計(jì)

    介紹了一種反對(duì)稱漸變波導(dǎo)微帶探針過渡結(jié)構(gòu),采用高頻仿真軟件HFSS仿真分析了這個(gè)波導(dǎo)微帶過渡結(jié)構(gòu)在 W 頻段的特性,并對(duì)影響過渡性能的幾個(gè)因素進(jìn)行了敏感性分析,得出了可供工程應(yīng)用參考的設(shè)計(jì)曲線。在全波導(dǎo)帶寬內(nèi),實(shí)現(xiàn)了插入損耗小于0.088 dB,回波損耗大于27 dB。該結(jié)構(gòu)具有寬頻帶、結(jié)構(gòu)簡單和易加工等優(yōu)點(diǎn),可廣泛用于毫米波固態(tài)電路系統(tǒng)中。

    標(biāo)簽: W波段 對(duì)稱 探針 轉(zhuǎn)換

    上傳時(shí)間: 2013-11-13

    上傳用戶:名爵少年

  • S8JX開關(guān)電源(35/50/100/150-W型)

    符合全球標(biāo)準(zhǔn)的小巧電源•35~150 W容量支持5 V, 12 V和24 V輸出電壓(100 W, 150 W: 僅24 V型)• 支持DIN導(dǎo)軌安裝• 安全標(biāo)準(zhǔn)  :  UL 508/60950-1, EN 60950-1CSA C22.2 No. 60950-1

    標(biāo)簽: S8JX 100 150 35

    上傳時(shí)間: 2014-04-17

    上傳用戶:fklinran

  • 4x4鍵盤的設(shè)計(jì)與制作

    三種方法讀取鍵值􀂄 使用者設(shè)計(jì)行列鍵盤介面,一般常採用三種方法讀取鍵值。􀂉 中斷式􀂄 在鍵盤按下時(shí)產(chǎn)生一個(gè)外部中斷通知CPU,並由中斷處理程式通過不同位址讀資料線上的狀態(tài)判斷哪個(gè)按鍵被按下。􀂄 本實(shí)驗(yàn)採用中斷式實(shí)現(xiàn)使用者鍵盤介面。􀂉 掃描法􀂄 對(duì)鍵盤上的某一行送低電位,其他為高電位,然後讀取列值,若列值中有一位是低,表明該行與低電位對(duì)應(yīng)列的鍵被按下。否則掃描下一行。􀂉 反轉(zhuǎn)法􀂄 先將所有行掃描線輸出低電位,讀列值,若列值有一位是低表明有鍵按下;接著所有列掃描線輸出低電位,再讀行值。􀂄 根據(jù)讀到的值組合就可以查表得到鍵碼。4x4鍵盤按4行4列組成如圖電路結(jié)構(gòu)。按鍵按下將會(huì)使行列連成通路,這也是見的使用者鍵盤設(shè)計(jì)電路。 //-----------4X4鍵盤程序--------------// uchar keboard(void) { uchar xxa,yyb,i,key; if((PINC&0x0f)!=0x0f) //是否有按鍵按下 {delayms(1); //延時(shí)去抖動(dòng) if((PINC&0x0f)!=0x0f) //有按下則判斷 { xxa=~(PINC|0xf0); //0000xxxx DDRC=0x0f; PORTC=0xf0; delay_1ms(); yyb=~(PINC|0x0f); //xxxx0000 DDRC=0xf0; //復(fù)位 PORTC=0x0f; while((PINC&0x0f)!=0x0f) //按鍵是否放開 { display(data); } i=4; //計(jì)算返回碼 while(xxa!=0) { xxa=xxa>>1; i--; } if(yyb==0x80) key=i; else if(yyb==0x40) key=4+i; else if(yyb==0x20) key=8+i; else if(yyb==0x10) key=12+i; return key; //返回按下的鍵盤碼 } } else return 17; //沒有按鍵按下 }

    標(biāo)簽: 4x4 鍵盤

    上傳時(shí)間: 2013-11-12

    上傳用戶:a673761058

  • W波段寬帶倍頻器的設(shè)計(jì)與仿真

    本文介紹了一種由低次級(jí)聯(lián)形式構(gòu)成的W波段寬帶六倍頻器。輸入信號(hào)先經(jīng)過MMIC得到二倍頻,再由反向并聯(lián)二極管對(duì)平衡結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)寬帶三倍頻,從而將Ku波段信號(hào)六倍頻到W波段。該倍頻器的輸入端口為玻璃絕緣子同軸轉(zhuǎn)換接頭,輸出為 WR-10 標(biāo)準(zhǔn)矩形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。仿真結(jié)果表明當(dāng)輸入信號(hào)功率為20dBm時(shí),三倍頻器在整個(gè)W波段的輸出三次諧波功率為4.5dBm左右,變頻損耗小于17dB。該設(shè)計(jì)可以降低毫米波設(shè)備的主振頻率,擴(kuò)展已有微波信號(hào)源的工作頻段。

    標(biāo)簽: W波段 寬帶 倍頻器 仿真

    上傳時(shí)間: 2013-11-16

    上傳用戶:qingzhuhu

  • W波段雷達(dá)導(dǎo)引頭技術(shù)分析

    由于電子對(duì)抗技術(shù)的飛速發(fā)展,低頻段電子干擾設(shè)備已經(jīng)非常完善,低頻段主動(dòng)雷達(dá)的工作效能相應(yīng)地大幅度降低。為了提高雷達(dá)系統(tǒng)的抗干擾能力,通過對(duì)國內(nèi)外雷達(dá)技術(shù)發(fā)展趨勢的研究,以及影響雷達(dá)系統(tǒng)抗干擾能力主要因素的分析,說明了采用更高頻段的雷達(dá)導(dǎo)引頭技術(shù)發(fā)展的重要性。以W波段雷達(dá)導(dǎo)引頭技術(shù)發(fā)展及應(yīng)用為前提,對(duì)其中需要解決的關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了分解,論述了W波段雷達(dá)導(dǎo)引頭的基本實(shí)現(xiàn)方案、關(guān)鍵技術(shù)解決途徑,得出W波段雷達(dá)導(dǎo)引頭技術(shù)發(fā)展具有策略上的必要性和技術(shù)上的可行性的結(jié)論。

    標(biāo)簽: W波段 雷達(dá)導(dǎo)引頭 技術(shù)分析

    上傳時(shí)間: 2013-12-04

    上傳用戶:mikesering

  • W-RXM2013高性能ASK無線超外差射頻接收模塊

    W-RXM2013基于高性能ASK無線超外差射頻接收芯片 設(shè)計(jì),是一款完整的、體積小巧的、低功耗的無線接 收模塊。 模塊采用超高性價(jià)比ISM頻段接收芯片設(shè)計(jì) 主要設(shè)定為315MHz-433MHz頻段,標(biāo)準(zhǔn)傳輸速率下接 收靈敏度可達(dá)到-115dbm。并且具有行業(yè)內(nèi)同類方案W-RXM2013 Micrel、SYNOXO、PTC等知名品牌的芯片所不具備的超強(qiáng)抗干擾能力。外圍省去10.7M的中頻 器件模塊將芯片的使能腳引出,可作休眠喚醒控制,也可通過電阻跳線設(shè)置使能置高控制。 本公司推出該款模塊力求解決客戶開發(fā)產(chǎn)品過程中無線射頻部分的成本壓力,為客戶提供 性能卓越價(jià)格優(yōu)勢突出的電子組件。模塊接口采用金手指方式,方便生產(chǎn)及應(yīng)用。天線輸入部 分可以將接收天線焊接在模塊上面,也可以通過接口轉(zhuǎn)接至客戶主機(jī)板上,應(yīng)用非常靈活。 優(yōu)勢應(yīng)用:機(jī)電控制板、電源控制板、高低溫環(huán)境數(shù)據(jù)監(jiān)測等復(fù)雜條件下 的控制指令的無線傳輸。 1.1 基本特性 λ ●省電模式下,低電流損耗 ●方便投入應(yīng)用 ●高效的串行編程接口 ●工作溫度范圍:﹣40℃~+85℃ ●工作電壓:2.4~ 5.5 Volts. ●有效頻率:250-348Mhz, 400-464Mhz ●靈敏度高(-115dbm)、功耗低在3.5mA@315MHz應(yīng)用下 ●待機(jī)電流小于1uA,系統(tǒng)喚醒時(shí)間5ms(RF Input Power=-60dbm)

    標(biāo)簽: W-RXM 2013 ASK 性能

    上傳時(shí)間: 2013-10-08

    上傳用戶:dapangxie

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