要想獲得最低的失調(diào)和漂移性能，斬波穩(wěn)定(自穩(wěn)零)放大器可能是唯一的解決方案。最好的雙極性放大器的失調(diào)電壓為25 V，漂移為0.1 V/ºC。斬波放大器盡管存在一些不利影響，但可提供低于5 V的失調(diào)電壓，而且不會出現(xiàn)明顯的失調(diào)漂移，
上傳時間： 2013-12-25
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PCB LAYOUT 術語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：單、雙層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點 LAYOUT 注意事項:PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點)，其原則如下：1. 一般測試點大小均為30-35mil，元件分布較密時，測試點最小可至30mil.測試點與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點與測試點間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點必須均勻分佈於PCB 上，避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點設置處:Setuppadsstacks
上傳時間： 2013-10-22
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•1-1 傳輸線方程式 •1-2 傳輸線問題的時域分析 •1-3 正弦狀的行進波 •1-4 傳輸線問題的頻域分析 •1-5 駐波和駐波比 •1-6 Smith圖 •1-7 多段傳輸線問題的解法 •1-8 傳輸線的阻抗匹配
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：laomv123
半導體的產(chǎn)品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2014-01-20
上傳用戶：蒼山觀海
文氏電橋正弦波發(fā)生器設計和參數(shù)計算
標簽： 文氏電橋 參數(shù)計算 正弦波發(fā)生器
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：yy541071797
在RC橋式正弦波振蕩電路的研究中，一般文獻只給出電路的振蕩條件、起振條件、振蕩頻率等技術指標，而不涉及電路輸出幅值的大小。本文通過理論分析、Multisim仿真實驗測試，研究了決定電路輸出幅值的因素，即輸出電壓的幅值與電路起振時電壓放大倍數(shù)的大小有關，在電路的線性工作范圍內(nèi)，起振時電壓放大倍數(shù)比3大得越多，最后的穩(wěn)定輸出電壓幅值也越大。研究結(jié)論有利于系統(tǒng)地研究振蕩電路的構(gòu)成及電路元件參數(shù)的選擇。
上傳時間： 2013-11-03
上傳用戶：潛水的三貢
滿足上海65 m射電望遠鏡噪聲注入要求，設計了一種新型的同軸環(huán)激勵圓波導耦合器，該耦合器有較低的同軸激勵口駐波和平坦的耦合值，利用環(huán)天線和傳輸線概念分析了該耦合器的工作原理，作為實例，設計了一個S波段的耦合器，加工了耦合器實物樣品，實驗測量表明，測量結(jié)果和仿真結(jié)果吻合良好。
上傳時間： 2013-11-16
上傳用戶：小鵬
經(jīng)典1000W純正弦波逆變器原理圖
上傳時間： 2013-11-10
上傳用戶：frank1234
反激式轉(zhuǎn)換器通常應用於具有多個輸出電壓並要求中低輸出功率的電源。配合采用一個反激式轉(zhuǎn)換器，多輸出僅增加極少的成本或復雜度––– 每個額外的輸出僅要求另一個變壓器繞組、整流器和輸出濾波電容器。
標簽： 反激式控制器 輸出 調(diào)節(jié) 性能
上傳時間： 2013-11-22
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對於集成電路而言，汽車是一種苛刻的使用環(huán)境，這裡，引擎罩下的工作溫度範圍可寬達 -40°C 至 125°C，而且，在電池電壓總線上出現(xiàn)大瞬變偏移也是預料之中的事
標簽： 集成 電流檢測 保護 汽車系統(tǒng)
上傳時間： 2013-11-20
上傳用戶：zhaiye
