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熱敏電阻

  • 低成本m48+熱敏電阻做的多路溫度顯示及音樂警報裝置!

    低成本m48+熱敏電阻做的多路溫度顯示及音樂警報裝置!

    標(biāo)簽： 48 多路

    上傳時間： 2014-01-12

    上傳用戶：清風(fēng)冷雨

  • 低成本m48+熱敏電阻做的多路溫度顯示及音樂警報裝置!

    低成本m48+熱敏電阻做的多路溫度顯示及音樂警報裝置!

    標(biāo)簽： 48 多路

    上傳時間： 2016-10-18

    上傳用戶：frank1234

  • 量測可變電阻的類比電壓值

    量測可變電阻的類比電壓值，並將10位元的良測結(jié)果轉(zhuǎn)換成ASCII編碼，並輸出到個人電腦上的終端機(jī)

    標(biāo)簽：

    上傳時間： 2014-01-19

    上傳用戶：hzy5825468

  • 透過微處裡器4520將可變電阻的值透過ADC功能轉(zhuǎn)換結(jié)果秀在LCD上

    透過微處裡器4520將可變電阻的值透過ADC功能轉(zhuǎn)換結(jié)果秀在LCD上

    標(biāo)簽： 4520 ADC LCD

    上傳時間： 2014-01-17

    上傳用戶：15736969615

  • 電阻和電容器優(yōu)先係數(shù)

    電阻和電容器優(yōu)先係數(shù)電阻和電容器優(yōu)先係數(shù)電阻和電容器優(yōu)先係數(shù)

    標(biāo)簽： 電阻

    上傳時間： 2021-12-12

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  • 5位數(shù)微電腦型盤面式電表（48*96mm）

    特點 精確度0.05%滿刻度 ±1位數(shù) 可量測交直流電流/交直流電壓/電位計/傳送器/Pt-100/熱電偶/荷重元/電阻 等信號 顯示范圍-19999-99999可任意規(guī)劃 具有自動歸零或保持或開根號或雙顯示功能 小數(shù)點可任意規(guī)劃 尺寸小,穩(wěn)定性高

    標(biāo)簽： 48 96 mm 微電腦

    上傳時間： 2013-11-22

    上傳用戶：dbs012280

  • 一個可以計算分壓電路的源碼。 可透過輸出與輸入電壓

    一個可以計算分壓電路的源碼。 可透過輸出與輸入電壓，計算電阻的大小；或透過輸入電壓與電阻，計算最後輸出之電壓

    標(biāo)簽： 分

    上傳時間： 2014-12-09

    上傳用戶：hoperingcong

  • ESD Protection in CMOS ICs

    在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程

    標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in

    上傳時間： 2020-06-05

    上傳用戶：shancjb

  • 小型DFN封裝的電子電路斷路器免除了檢測電阻器

    一直以來， 電子電路斷路器( E C B ) 都是由一個MOSFET、一個 MOSFET 控制器和一個電流檢測電阻器所組成的。

    標(biāo)簽： DFN 封裝 電子電路 斷路器

    上傳時間： 2013-10-18

    上傳用戶：qwerasdf

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。

    標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時間： 2014-09-08

    上傳用戶：swing

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