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低成本m48+熱敏電阻做的多路溫度顯示及音樂警報裝置!
標簽： 48 多路
上傳時間： 2014-01-12
上傳用戶：清風冷雨
上傳時間： 2016-10-18
上傳用戶：frank1234
量測可變電阻的類比電壓值，並將10位元的良測結果轉換成ASCII編碼，並輸出到個人電腦上的終端機
標簽：
上傳時間： 2014-01-19
上傳用戶：hzy5825468
透過微處裡器4520將可變電阻的值透過ADC功能轉換結果秀在LCD上
標簽： 4520 ADC LCD
上傳時間： 2014-01-17
上傳用戶：15736969615
電阻和電容器優先係數電阻和電容器優先係數電阻和電容器優先係數
標簽： 電阻
上傳時間： 2021-12-12
上傳用戶：
特點 精確度0.05%滿刻度 ±1位數 可量測交直流電流/交直流電壓/電位計/傳送器/Pt-100/熱電偶/荷重元/電阻 等信號 顯示范圍-19999-99999可任意規劃 具有自動歸零或保持或開根號或雙顯示功能 小數點可任意規劃 尺寸小,穩定性高
標簽： 48 96 mm 微電腦
上傳時間： 2013-11-22
上傳用戶：dbs012280
一個可以計算分壓電路的源碼。 可透過輸出與輸入電壓，計算電阻的大小；或透過輸入電壓與電阻，計算最後輸出之電壓
標簽： 分
上傳時間： 2014-12-09
上傳用戶：hoperingcong
在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程
標簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時間： 2020-06-05
上傳用戶：shancjb
一直以來， 電子電路斷路器( E C B ) 都是由一個MOSFET、一個 MOSFET 控制器和一個電流檢測電阻器所組成的。
標簽： DFN 封裝 電子電路 斷路器
上傳時間： 2013-10-18
上傳用戶：qwerasdf
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
標簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制
上傳時間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
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