VIP專區-嵌入式/單片機編程源碼精選合集系列（114）資源包含以下內容：1. FREESCALE 9S08AW60 串口調試程序.2. saa7113視頻解碼芯片外圍電路設計原理圖.3. 這是在用的AD7705源程序.4. 紅外線遙控原理以及單片機制作自學習遙控器詳細設計思路.5. 在微波整體集成電路設計、理論和描述特性的一條新穎的路線的PDF學術論文.6. 對于內部具有D /A轉換器的單片機,采用其自備的D /A轉換器產生需要的信號是最經 濟的方法。C8051F020是Cygnal公司最新的一款功能強大的內部具有D /A轉換器的單片機。介紹了 采用查.7. 液晶6963模塊 240*64,外接PS2鍵盤,多級菜單.這是我工作中的一個程序,有興趣的可以看.8. 這是一個i2c程序,經過多次應用都能成功實現功能,而且簡要實用.9. 本電子書是很多嵌入式開發經典文章和技巧使用的PDF格式的書籍.10. 168線SD內存條電路原理圖資料,好像是臺灣人寫的.11. FPGA可促進嵌入式系統設計改善即時應用性能.12. fat32文件系統格式說明 十分詳盡.13. fat32和fat16文件系統格式說明.14. 講解嵌入式開發的入門書!非常不錯,值得一看!.15. TMS320C6000CSLAPIReferenceGuideRev.I的pdf.16. s7300 400 step7 plc仿真軟件說明.17. with avr mega 8515 in the C-code AVR.18. Altera原裝MAX_II開發板原理圖,是用protel繪制的.19. zlg7290是一個能夠8*8的鍵盤驅動芯片.20. 主要介紹各種芯片原理、功能、及其使用方法.21. 對芯片MCP2551的中文使用說明.22. 嵌入式T9輸入法的源代碼.23. BMP頭文件的源代碼.24. 自己收集整理和調試OK的三個Game源代碼.25. S24C10最小系統原理圖 包括FLASH SRAM等.26. 一個電平轉換芯片的資料74LVC4245,它在以太網中也發揮了很大的作用,對WEB開發人員有借鑒的價值.27. mmc卡的specification標準的英文版的.28. TMS320C2812全套例程.29. 這是用于lpc2106的自帶ADC功能的演示,利用KEIL FOR ARM 開發,可以參考學習..30. megal16在codevision下關于1602的驅動程序.31. 分布式多DSP系統的CPCI總線接口設計和驅動開發.32. 電子音量pT2314原程序 需要的朋友請趕快.33. 用protel dxp繪制三分頻原理圖和pcb電路板等.34. Bootloader(引導裝載器)是用于初始化目標板硬件.35. OKI DEMO FLASH WRITE PROGRAM.36. OKI 675050 hardware accelerator sample program.37. verilog的一些源代碼.38. i.mx31 3DS平臺Nandboot引導程序源碼.39. c8051f24是個教學的程序.40. < ALTERA FPGA/CPLD 高級篇>>光盤資料中 體會“面積和速度的平衡與互換” 例程.
上傳時間： 2013-07-17
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VIP專區-嵌入式/單片機編程源碼精選合集系列（132）資源包含以下內容：1. siemens PLC Prodave 通訊測試.2. 嵌入式系統下IC卡讀寫的源碼.3. 數字音樂盒的完整畢業論文（無意中發現的） 課程設計題目：數字音樂盒.4. 單片機程序 51頻率計 電子琴 電子鐘程序 按鍵顯示程序最終成功.5. C和C++嵌入式系統編程,一本很嵌入式編程很不錯的書..6. 一本很好的介紹yaffs文件系統的書籍 一本很好的介紹yaffs文件系統的書籍.7. 一份不錯的介紹linux 字符設備驅動的文檔.8. 工程源文件.9. 用holtek3000開發環境編寫的單片機C語言鍵盤掃描程序．.10. 8255A芯片的中文資料（8255中文資料）.11. mmc_sd_memory_card_driver_sample_project_files spi接口的sd card driver 示例.12. 單片機驅動PS2鍵盤的c程序 希望對大家有用.13. a voice guide client ,it is the second part of voice guide center.14. msc map program to control client of tools,use for map guide.15. C#開發win ce代碼程序.16. 2個Ds18b20溫度顯示電路,12Mhz晶振.17. 5分頻cpld原理圖實現.18. 可實現對ST公司的SPI flash的控制.19. VB實現的文字圖片原理,VB實現的文字圖片原理.20. 嵌入式C精華, 嵌入式C精華,嵌入式C精華.21. 一個簡單的電梯控制系統,主要實現一個八層樓的電梯控制..22. 這是自己做的一個gui 及供初學者參考 如有問題可以一起討論 可發到我的郵箱里 完成的功能就是 對uicontrol的應用.23. 觸摸屏校正算法,主流嵌入式設計都使用此算法,個人覺得經典..24. 基于51單片機的源碼,內有液晶顯示(IIC)接口,還實現串口和定時操作等功能..25. 鏈接器和加載器,這是一本全面介紹我們編寫的程序是如何被鏈接的,個人覺得做嵌入式開發的軟件工程師必備的一本書..26. 使用Embest IDE for ARM 開發環境及ARM 軟件模擬器； 通過實驗掌握簡單ARM 匯編指令的使用方法。.27. AD7714是一款24位高速AD轉換芯片.28. Cortex-M3是首款基于ARMv7-M架構的處理器.29. 剛剛學習ne2000驅動開發.30. ATMEL的芯片資料pdf文檔.31. GPS衛星定位模塊的驅動程序.32. 還可以.33. 基于CAN總線的分布式三維步進電機控制系統.34. 自己做的交通燈~~~用c編寫的.35. 基于PCI總線的高速數據傳輸.36. [轉載]嵌入到系統進程中,檢查并報告主板型號.37. Freescale_071112_1公司內部的器件資料.38. 關于2410開發板的u-boot的說明.39. CX1-22R 可編程控制器(簡稱 CX1)是 22 路 I/O 一體化小型可編程控制器（PLC）.40. PIC匯編各個時間延時小程序.
標簽： SD卡
上傳時間： 2013-04-15
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VIP專區-嵌入式/單片機編程源碼精選合集系列（146）資源包含以下內容：1. 本程序能夠在沒有操作系統下可以測試LCD的驅動.2. ADS下LDR命令詳細示例.3. 本程序是ADS1.2下的匯編語言的示例程序！.4. 自己寫的一個萬年歷程序,能有200多行代碼.盡供參考..5. 這是個Mp3源代碼.6. sd 的spi模式詳細的中文資料.7. mmc card 各種操作詳細的邏輯時序圖.8. PCI總線系統結構、性能及總線操作時序和總線控制權的仲裁問題.9. ebook of matlab gui using.10. PAN3101ProgrammingGuideV11原像一手資料.11. 基于NIOSii的網絡監控系統設計.12. mp3 方案源代碼.13. 用VB實現S7-300PLC與PC機的普通串口通信 jiankong.14. 多功能數據采集卡上位機完整代碼.15. FAT32 文件系統中文規范.16. RTOS系統.17. 用于AlRERA 公司DE2開發板上的USB 調試的實例.18. UBOOT_command reference document.19. 對軟件進行可達性測試的軟件.20. 用于檢測非自鎖的按鍵.21. 實現arm文件系統.22. 基于arm的藍牙通訊協議的設計.23. 射頻卡開發系統芯片.24. 詳細介紹了PCB設計的各種方法.25. Matlab用戶圖像接口.26. GUI檔案.27. 東芝步進電機驅動芯片,電流3.5A,8細分驅動步進電機很常用芯片.28. Cross-Platform GUI Programming with wxWidgets wxWidgets設計指導書.29. 24c08-24c31EEPROM初始化.30. 一個不錯的需求分析實例！希望對大家有幫助.31. 一個完整的系統,用到NIOSII 里面包括語言結構的.32. 嵌入式系統的上課講義...使用三星的開發版...主要是吃ARM的指令集.33. 關于嵌入式方面的資料.34. 主要介紹一種基于Philips公司的MF RC500的射頻識別讀寫器的設計：首先介紹系統的組成以及MF RC500的特性.35. Windows嵌入式開發系列課程(6)：啟動程序BootLoader的分析 _PDF.36. design the connecter between dsp and sed12.37. 48種常用軟件的指南.38. 44b0(arm)初始化程序,代碼可以通用,方便嵌入式系統的開發.39. uCOS在LPC213X上的移植。適合ARM嵌入式系統初學者。.40. AD1674模數轉換器件資料。包含了AD1674的應用接口電路。.
上傳時間： 2013-05-28
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交流電動機是一個多變量、高階、強耦合的非線性系統，不象直流電機那樣易于控制轉矩，采用矢量控制技術可解決傳統交流調速的難題，使交流電機可以按直流電機的控制規律來進行控制，而無傳感器矢量控制技術由于可以省去速度傳感器，使相應的交流調速系統變得簡便、廉價和可靠，所以成為當前研究的熱點，本論文工作就是這方面的一個嘗試。 論文首先介紹了矢量控制技術的基本理論。對感應電動機在三相靜止坐標系下強耦合和互感變參數的數學模型，通過坐標變換，導出感應電機在兩相同步旋轉坐標系下的數學模型，然后將同步坐標系按轉子磁場定向，實現了對轉子磁鏈和轉矩的分別控制，從而可以按直流電機的控制規律來控制交流電機。 其次，論文基于同步軸系下的感應電動機電壓磁鏈方程式，提出了一種感應電動機按轉子磁場定向的矢量控制方法，利用在同步軸系中T軸電流的誤差信號實現對電機速度的估算，這種速度估算方法結構簡單，有一定的自適應能力。同時在該無傳感器矢量控制系統中，由于采用了經典的PI調節器，使得控制系統更為簡單易行。 論文利用MATLAB建立了該無傳感器矢量控制系統的仿真模型。為提高系統的適應性和仿真結果的準確性，仿真模型采用了標么值系統，并考慮了控制周期和采樣信號周期對仿真結果的影響。討論了離散控制引起的相位補償問題，使仿真結果更接近實際工程系統。 最后，通過仿真進一步驗證了本文提出的無傳感器矢量控制系統的正確性和可行性，也證明了速度估計模型對速度估計準確，且對參數的變化有較強的魯棒性。
上傳時間： 2013-06-02
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電動汽車、混合動力汽車、燃料電池汽車為代表的新能源汽車是實現節能減排目標的重要行業之一。IGBT模塊作為新能源汽車的核心，其發展受到廣泛關注.IGBT模塊發展的關鍵在于改善封裝方式。本文指出了日前的封裝材料在電動汽車逆變器大功率IGBT模塊的封裝過程中存在的缺陷，引入了新型連接材料納米銀焊膏。為了驗證納米銀焊膏的連接性能，以確定其能否應用在所需的1GBT模塊的制作過程中，本文首先設計了單個模擬芯片的燒結連接實驗，通過微x射線斷層掃描儀、剪切實驗、1描電鏡等檢測手段，對燒結后的連接層進行了全方位的檢測，結果發現雖然連接層沒有發現明顯的缺陷，但是剪切強度較低，經過分析猜想可能是磁控濺射鍍層的質量并不十分可靠，因此又設計用真芯片和小塊鍍銀銅板的燒結連接實驗，連接傳況良好，剪切實驗的過程中，發現是芯片先出現破損，這證明了連接的質量是可靠的。因此可以將納米銀焊膏應用在IGBT模塊的制作中。本文重點介紹了整個IGBT模塊的制作方法。采用和之前單個芯片燒結相類似的操作過程，完成整個模塊的燒結。燒結完成后通過微 射線斷層掃描儀對燒結的質量進行了檢測，通過檢測發現連接層質量良好。模塊燒結連接之后，更做出最終成型的IGBT模塊，還需要經過外殼設計與制造、打線、灌度、組裝等工T藝，從而得到最終的成品，并通過晶體管特性測試儀對模塊的基本電性能進行了檢測。
上傳時間： 2022-06-20
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一個很好用的 lcd 時鐘程序 C語言 #include<reg51.h> #include<stdio.h> //定義計時器0 的重裝值 #define RELOAD_HIGH 0x3C #define RELOAD_LOW 0xD2 //定義按鍵彈跳時間 #define DB_VAL //定義設置模式的最大時間間隔 #define TIMEOUT 200 //定義游標位置常數 #define HOME 0 #define HOUR 1 #define MIN 2 #define SEC 3
標簽： include define RELOAD stdio
上傳時間： 2014-12-19
上傳用戶：zukfu
半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2014-01-20
上傳用戶：蒼山觀海
AL-FGB系列復合式過電壓保護器 AL-FGB型三相復合式過電壓保護器（簡稱AL-FGB）是我公司針對現行各類過電壓保護器保護弱點而研制的新一代專利產品，將組容吸收器和避雷器的功能有機結合在一起，專用于35KV及以下中壓電網中，主要用來吸收真空斷路器、真空接觸器在開斷感性負載時產生的高頻操作過電壓，同時具有吸收大氣過電壓及其他形式的暫態沖擊過電壓的功能； 因此具備一系列其它類型過電壓保護器無法比擬的優點。可廣泛地應用于真空斷路器操作的電動機、電抗器、變壓器等配電線路中。 該產品使過電壓保護器的整體功能實現了重大突破，是目前功能最全面、保護最完善的產品。符合國家產業政策及國家電氣產品無油化、小型化、節能環保等發展趨勢，具有顯著的技術經濟效益和廣泛的社會效益，是我國電力建設尤其是城鄉電網改造急需的產品。 該產品廣泛應用于發電廠、變（配）電站、各種水利設施、礦山、石油、化工、冶金以及其他各類工業企業等。 1、全面抑制雷電和操作過電壓的危害，功能強大，保護更全面 在中壓電網中，由于真空電器產品（真空斷路器、真空接觸器、真空負荷開關、真空重合器等）的滅弧能力特別強，在關、合感性負載（發電機、變壓器、電抗器和電動機等）時，容易引發截流過電壓、多次重燃過電壓及三相同時開斷過電壓。這些操作過電壓具有高幅值、高陡度（振蕩頻率高達105～106HZ），對感性負載的危害性極大，被稱為“電機殺手”。 目前各類避雷器和組合式過電壓保護器，都是利用氧化鋅閥片的殘壓限制過電壓的幅值，只限幅不限頻，用來防雷能起到好的效果，但對操作過電壓只治標不治本。 AL-FGB內部為氧化鋅閥片和電阻電容的有機組合，兼有氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器的優點，從根本上克服了單純氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器各自不可避免的缺點，不但能夠防雷，而且能有效抑制上述操作過電壓的幅值和陡度；雙效合一，至善盡美。 2、雙回路設計，功能互補，相互保護 操作過電壓保護阻容回路Ⅰ和避雷保護回路Ⅱ有機結合，保護功能互不干涉，還能相互保護。如圖2-1。 當雷電波侵入時，阻容回路Ⅰ不通（但可輔助減緩波頭陡度），雷電波按實線路徑，經避雷回路Ⅱ泄入大地；同時保護了阻容回路中電容器，避免其因承受過高雷電過電壓而擊穿。當高頻振蕩的操作過電壓侵入時，則按虛線路徑，經阻容回路Ⅰ流通，限幅降頻；同時減少避雷回路的動作次數，保護閥片，延長產品壽命。 3、降低陡度，排除匝間擊穿危險性； 感性負載的匝間電位梯度與電流陡度（di/dt）成正比，操作過電壓陡度極高，對匝間絕緣危害極大，且易使斷路器重燃。現場許多事故實例都證明，在操作過電壓作用下，電機和變壓器的損壞部位大多集中在匝間，且以進線端的匝間為主，這說明高陡度對帶繞組的電氣設備危害極大。 AL-FGB設計的阻容回路能夠有效降低操作過電壓的振蕩頻率，緩解波頭陡度，從而降低繞組間的電位梯度，且能減少斷路器的重燃機率，成功抑制高陡度對電氣設備的危害。 目前同類的過電壓保護設備，如避雷器、各類組合式過電壓保護器等，對改變操作過電壓的振蕩頻率、降低陡度無能為力，即不能防治高陡度對感性負載匝間造成的損傷。 4、自控接入，環保節能； AL-FGB增加了自控接入裝置，在正常運行時僅通過μA級電流，不僅節約電能，而且不向電網提供附加電容電流，保證系統穩定工作。具體參數設計保證其在需要時能夠迅速接入電網，保護即時，而且接入電網工頻電壓性能穩定、分散性小、不受大氣條件影響。 設置自控接入裝置對消除諧振過電壓（注：不超過AL- FGB的承受能力）也具有一定作用。當諧振過電壓幅值高至危害電氣設備時，AL-FGB接入電網，電容器增大主回路電容，有利于破壞諧振條件，電阻阻尼震蕩，有利于降低諧振過電壓幅值。 5、免受諧波侵擾，適應的電網運行環境更廣； 電網中常含有高次諧波分量，使電容回路的電流異常增大，電阻過熱，對過電壓保護設備的正常運行不利。 AL-FGB能免受高次諧波侵擾:因為它增加了自控接入裝置,在正常運行或發生單相接地異常運行時都與電網隔離,所以可以在高次諧波含量較高的電網中工作,適應的電網運行環境更廣。 6、自控脫離，有效控制事故范圍； 諧振過電壓、間歇性弧光接地過電壓等系統過電壓，持續時間長、能量大，但幅度和陡度都不是很高。這類系統過電壓極易損壞過電壓保護設備，出現爆炸等現象。 AL-FGB增加了自控脫離裝置，能實現自我保護功能。當系統過電壓超過AL-FGB的承受能力時，自控脫離裝置選擇自我脫離，保護本體，避免出現爆炸的現象，控制事故范圍，延長使用壽命，運行更安全更經濟。 7、既可保護相對地，又可保護相間； 四極式聯接（如圖2-2），具體參數設計保證：不僅能保護相對地絕緣，而且能保護相間絕緣。本身為連體結構，體積小，性能穩定，而價格不高。 8、吸收容量大，保護范圍更廣； 針對35KV電網系統，AL-FGB電容容量高達0.05μF，保護范圍完全覆蓋該電網系統中的各類電氣設備，且裕量充足；針對35KV以下各類電網系統，其電容容量高達0.1μF，吸收容量更大，保護范圍更廣泛。 9、選材考究，VO級阻燃材質； 9.1 阻容回路 采用具有自愈功能的干式高壓電容器，這種電容器真正達到了防護型電容器的各項技術指標，其絕緣水平完全達到了GB311.1—1997標準的要求，該產品能在環境溫度上限，1.15UN和1.5IN下長期運行，在2UN下連續運行4小時不出現閃絡和擊穿；極間選用國外進口的優質、高性能的絕緣材料聚丙烯金屬化鍍膜為固體介質；各個電容器單元聯接后采用阻燃環氧樹脂灌封；電性能穩定可靠。 配置散熱性能良好的特制非線性無感電阻，可靠性大大提高，從而也大大提高了電力系統運行的可靠性和安全性，使用壽命更長。 9.2 避雷回路 采用非線性伏—安特性十分優異的氧化鋅閥片，具有良好的陡波響應特性，殘壓低、容量大、保護大氣過電壓可靠性高。 9.3外殼 采用阻燃級別達到最高級別的VO級進口材質，使用更放心。 10、動態記錄，清晰掌控設備運行狀況； 可根據用戶要求選裝放電動作記錄器，清晰掌控AL-FGB的工作動作狀況。
上傳時間： 2013-10-17
上傳用戶：wangjin2945
AL-FGB系列復合式過電壓保護器 AL-FGB型三相復合式過電壓保護器（簡稱AL-FGB）是我公司針對現行各類過電壓保護器保護弱點而研制的新一代專利產品，將組容吸收器和避雷器的功能有機結合在一起，專用于35KV及以下中壓電網中，主要用來吸收真空斷路器、真空接觸器在開斷感性負載時產生的高頻操作過電壓，同時具有吸收大氣過電壓及其他形式的暫態沖擊過電壓的功能； 因此具備一系列其它類型過電壓保護器無法比擬的優點。可廣泛地應用于真空斷路器操作的電動機、電抗器、變壓器等配電線路中。 該產品使過電壓保護器的整體功能實現了重大突破，是目前功能最全面、保護最完善的產品。符合國家產業政策及國家電氣產品無油化、小型化、節能環保等發展趨勢，具有顯著的技術經濟效益和廣泛的社會效益，是我國電力建設尤其是城鄉電網改造急需的產品。 該產品廣泛應用于發電廠、變（配）電站、各種水利設施、礦山、石油、化工、冶金以及其他各類工業企業等。 1、全面抑制雷電和操作過電壓的危害，功能強大，保護更全面 在中壓電網中，由于真空電器產品（真空斷路器、真空接觸器、真空負荷開關、真空重合器等）的滅弧能力特別強，在關、合感性負載（發電機、變壓器、電抗器和電動機等）時，容易引發截流過電壓、多次重燃過電壓及三相同時開斷過電壓。這些操作過電壓具有高幅值、高陡度（振蕩頻率高達105～106HZ），對感性負載的危害性極大，被稱為“電機殺手”。 目前各類避雷器和組合式過電壓保護器，都是利用氧化鋅閥片的殘壓限制過電壓的幅值，只限幅不限頻，用來防雷能起到好的效果，但對操作過電壓只治標不治本。 AL-FGB內部為氧化鋅閥片和電阻電容的有機組合，兼有氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器的優點，從根本上克服了單純氧化鋅閥片型避雷器與阻容吸收器各自不可避免的缺點，不但能夠防雷，而且能有效抑制上述操作過電壓的幅值和陡度；雙效合一，至善盡美。 2、雙回路設計，功能互補，相互保護 操作過電壓保護阻容回路Ⅰ和避雷保護回路Ⅱ有機結合，保護功能互不干涉，還能相互保護。如圖2-1。 當雷電波侵入時，阻容回路Ⅰ不通（但可輔助減緩波頭陡度），雷電波按實線路徑，經避雷回路Ⅱ泄入大地；同時保護了阻容回路中電容器，避免其因承受過高雷電過電壓而擊穿。當高頻振蕩的操作過電壓侵入時，則按虛線路徑，經阻容回路Ⅰ流通，限幅降頻；同時減少避雷回路的動作次數，保護閥片，延長產品壽命。 3、降低陡度，排除匝間擊穿危險性； 感性負載的匝間電位梯度與電流陡度（di/dt）成正比，操作過電壓陡度極高，對匝間絕緣危害極大，且易使斷路器重燃。現場許多事故實例都證明，在操作過電壓作用下，電機和變壓器的損壞部位大多集中在匝間，且以進線端的匝間為主，這說明高陡度對帶繞組的電氣設備危害極大。 AL-FGB設計的阻容回路能夠有效降低操作過電壓的振蕩頻率，緩解波頭陡度，從而降低繞組間的電位梯度，且能減少斷路器的重燃機率，成功抑制高陡度對電氣設備的危害。 目前同類的過電壓保護設備，如避雷器、各類組合式過電壓保護器等，對改變操作過電壓的振蕩頻率、降低陡度無能為力，即不能防治高陡度對感性負載匝間造成的損傷。 4、自控接入，環保節能； AL-FGB增加了自控接入裝置，在正常運行時僅通過μA級電流，不僅節約電能，而且不向電網提供附加電容電流，保證系統穩定工作。具體參數設計保證其在需要時能夠迅速接入電網，保護即時，而且接入電網工頻電壓性能穩定、分散性小、不受大氣條件影響。 設置自控接入裝置對消除諧振過電壓（注：不超過AL- FGB的承受能力）也具有一定作用。當諧振過電壓幅值高至危害電氣設備時，AL-FGB接入電網，電容器增大主回路電容，有利于破壞諧振條件，電阻阻尼震蕩，有利于降低諧振過電壓幅值。 5、免受諧波侵擾，適應的電網運行環境更廣； 電網中常含有高次諧波分量，使電容回路的電流異常增大，電阻過熱，對過電壓保護設備的正常運行不利。 AL-FGB能免受高次諧波侵擾:因為它增加了自控接入裝置,在正常運行或發生單相接地異常運行時都與電網隔離,所以可以在高次諧波含量較高的電網中工作,適應的電網運行環境更廣。 6、自控脫離，有效控制事故范圍； 諧振過電壓、間歇性弧光接地過電壓等系統過電壓，持續時間長、能量大，但幅度和陡度都不是很高。這類系統過電壓極易損壞過電壓保護設備，出現爆炸等現象。 AL-FGB增加了自控脫離裝置，能實現自我保護功能。當系統過電壓超過AL-FGB的承受能力時，自控脫離裝置選擇自我脫離，保護本體，避免出現爆炸的現象，控制事故范圍，延長使用壽命，運行更安全更經濟。 7、既可保護相對地，又可保護相間； 四極式聯接（如圖2-2），具體參數設計保證：不僅能保護相對地絕緣，而且能保護相間絕緣。本身為連體結構，體積小，性能穩定，而價格不高。 8、吸收容量大，保護范圍更廣； 針對35KV電網系統，AL-FGB電容容量高達0.05μF，保護范圍完全覆蓋該電網系統中的各類電氣設備，且裕量充足；針對35KV以下各類電網系統，其電容容量高達0.1μF，吸收容量更大，保護范圍更廣泛。 9、選材考究，VO級阻燃材質； 9.1 阻容回路 采用具有自愈功能的干式高壓電容器，這種電容器真正達到了防護型電容器的各項技術指標，其絕緣水平完全達到了GB311.1—1997標準的要求，該產品能在環境溫度上限，1.15UN和1.5IN下長期運行，在2UN下連續運行4小時不出現閃絡和擊穿；極間選用國外進口的優質、高性能的絕緣材料聚丙烯金屬化鍍膜為固體介質；各個電容器單元聯接后采用阻燃環氧樹脂灌封；電性能穩定可靠。 配置散熱性能良好的特制非線性無感電阻，可靠性大大提高，從而也大大提高了電力系統運行的可靠性和安全性，使用壽命更長。 9.2 避雷回路 采用非線性伏—安特性十分優異的氧化鋅閥片，具有良好的陡波響應特性，殘壓低、容量大、保護大氣過電壓可靠性高。 9.3外殼 采用阻燃級別達到最高級別的VO級進口材質，使用更放心。 10、動態記錄，清晰掌控設備運行狀況； 可根據用戶要求選裝放電動作記錄器，清晰掌控AL-FGB的工作動作狀況。
上傳時間： 2013-10-16
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半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2013-11-04
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