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片上存儲(chǔ)器

MSP430F16x系列是TI的MSP430F16x系列（FLASH存儲(chǔ)器型）單片機(jī)中功能最強(qiáng)大的子系列。F16x系列單片機(jī)開發(fā)工具簡(jiǎn)便

MSP430F16x系列是TI的MSP430F16x系列（FLASH存儲(chǔ)器型）單片機(jī)中功能最強(qiáng)大的子系列。F16x系列單片機(jī)開發(fā)工具簡(jiǎn)便，固化于FLASH存儲(chǔ)器內(nèi)的程序易于在線升級(jí)和調(diào)試，可以實(shí)現(xiàn)加密,非常適合于開發(fā)消費(fèi)類便攜式電子產(chǎn)品。此外，MSP430F16x單片機(jī)具有極低的功耗、強(qiáng)大的處理能力、豐富的片上外圍模塊，方便高效的開發(fā)方式。我們要做的系統(tǒng)板上單片機(jī)的I/O口都引到電路板外沿，支持JTAG仿真器編程器，可以做一些基礎(chǔ)的430試驗(yàn)。

標(biāo)簽： 430F MSP 430 16x

上傳時(shí)間： 2017-03-18

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AT89S52是一種低功耗、高性能CMOS8位微控制器

AT89S52是一種低功耗、高性能CMOS8位微控制器，具有 8K 在系統(tǒng)可編程Flash 存儲(chǔ)器。使用Atmel 公司高密度非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)制造，與工業(yè)80C51 產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。片上Flash允許程序存儲(chǔ)器在系統(tǒng)可編程，亦適于常規(guī)編程器。在單芯片上，擁有靈巧的8 位CPU 和在系統(tǒng) 可編程Flash，使得AT89S52為眾多嵌入式控制應(yīng)用系統(tǒng)提供高靈活、超有效的解決方案。

標(biāo)簽： CMOS8 89S S52 AT

上傳時(shí)間： 2013-11-27

上傳用戶：bruce5996
基于PIC16F630制做的非接觸式電容觸感應(yīng)開關(guān)

該項(xiàng)目是用PIC16F630單片機(jī)構(gòu)建一個(gè)簡(jiǎn)單的電容式觸摸感應(yīng)開關(guān)方案。占用PIC16F630的片上比較器，內(nèi)部基準(zhǔn)電壓，Time0定時(shí)器，Time1定時(shí)器。

標(biāo)簽： PIC16F630

上傳時(shí)間： 2015-03-05

上傳用戶：lili
基于PIC16F630制做的非接觸式電容觸感應(yīng)開關(guān)

該項(xiàng)目是用PIC16F630單片機(jī)構(gòu)建一個(gè)簡(jiǎn)單的電容式觸摸感應(yīng)開關(guān)方案。占用PIC16F630的片上比較器，內(nèi)部基準(zhǔn)電壓，Time0定時(shí)器，Time1定時(shí)器。

標(biāo)簽： PIC16F630

上傳時(shí)間： 2015-03-05

上傳用戶：lili
基于NIOS+Ⅱ的SD卡讀寫設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，集成電路組成的電子系統(tǒng)集成度越來越高，使得芯片的復(fù)雜性不斷上升，單片的成本卻不斷降低。FPGA產(chǎn)品的邏輯單元越來越多，性能越來越高，單位成本和功耗向越來越低的方向發(fā)展，使得可編程片上系統(tǒng)SOPC(System On Programmable Chip)設(shè)計(jì)成為必然趨勢(shì)。SD存儲(chǔ)卡因具備體積小、儲(chǔ)容量高、可擦寫、價(jià)格低以及非易失性等特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器等領(lǐng)域。美國Altera公司開發(fā)的基于SOPC技術(shù)的Nios U嵌入式處理器，是一個(gè)可變結(jié)構(gòu)、通用型的32位RISC嵌入式處理器，設(shè)計(jì)者可以非常方便地使用SOPC Builder系統(tǒng)開發(fā)工具設(shè)計(jì)構(gòu)造以處理器為基礎(chǔ)的系統(tǒng)，針對(duì)自己的要求配置Nios II軟核、Avalon總線及外圍接口系統(tǒng)，體現(xiàn)了面向用戶，面向應(yīng)用的SOPC技術(shù)設(shè)計(jì)思想。應(yīng)用與Nios II 相關(guān)的集成開發(fā)平臺(tái)和輔助開發(fā)工具，加快了NiosⅡ系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證環(huán)節(jié)的開發(fā)速度，對(duì)于嵌入式系統(tǒng)的產(chǎn)品開發(fā)和應(yīng)用，具有廣泛的價(jià)值和積極的意義。本文介紹了基于Nios II嵌入式處理器的SOPC系統(tǒng)的軟、硬件設(shè)計(jì)方法，結(jié)合實(shí) 驗(yàn)平臺(tái)資源特點(diǎn)，構(gòu)建了基于Nios II軟核處理器的SD

標(biāo)簽： SOPC； Nios II； SD存儲(chǔ)卡；基本操作

上傳時(shí)間： 2015-05-25

上傳用戶：wjc511
28335電路學(xué)習(xí)

系統(tǒng)時(shí)鐘概述整個(gè)時(shí)鐘電路的原理框圖。時(shí)鐘電路的原理框圖在使用有源晶振作為外部的時(shí)鐘源時(shí)，DSP片內(nèi)的晶體振蕩電路會(huì)被旁路，外部的時(shí)鐘信號(hào)有XCLKIN管腳輸入DSP。看門狗定時(shí)器取OSCCLK信號(hào)作為其輸入。C28x的內(nèi)核會(huì)將輸入的CLKIN信號(hào)轉(zhuǎn)換為SYSCLKOUT信號(hào)（這就是通常我們提到的那些150MHz的信號(hào)）。SYSCLKOUT主要用來為DSP片上的一些...

標(biāo)簽： 28335 電路

上傳時(shí)間： 2016-06-06

上傳用戶：1425564266
ltc3725

ltc3725 單端正激變換器的控制器，包括片上柵極驅(qū)動(dòng)

標(biāo)簽： 3725 ltc

上傳時(shí)間： 2017-07-14

上傳用戶：木易1123
ARM M0實(shí)驗(yàn)報(bào)告

用 verilog HDL 語言搭建一個(gè)以 ARM Cortex-M0 為處理器核的嵌入式SOC系統(tǒng),系統(tǒng)包含以下幾個(gè)部分： (1)ARM Cortex-M0核 (2)AHB總線譯碼器 (3)AHB總線從設(shè)備多路復(fù)用器 (4)片上存儲(chǔ)器外設(shè) (5)LED外設(shè) (6)七段數(shù)碼管 (7)定時(shí)器 (8)UART

標(biāo)簽： ARM 實(shí)驗(yàn)報(bào)告

上傳時(shí)間： 2020-03-21

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ARM SoC體系結(jié)構(gòu)

內(nèi)容簡(jiǎn)介介紹了一般微處押器核鮒設(shè)計(jì)原理、基于微處邦器核的SoC設(shè)計(jì)的其本機(jī)念甜方法,通過對(duì)ARM系列處理器核和 CPU核的詳小描述,說明微處理器及外接口的設(shè)計(jì)原理和方法。同時(shí)也綜述了ARM系列她理器核和最新ARM核的研發(fā)戰(zhàn)果以政ARM和Thmb踹積模型,對(duì)SC設(shè)計(jì)中涉及到的行儲(chǔ)器層次、 Cache存儲(chǔ)器管誣、片上總線片|:調(diào)和產(chǎn)品測(cè)試等主要間黥進(jìn)行了論述。在此基礎(chǔ)上給出了幾個(gè)基于ARM核的SoC嵌人式應(yīng)用的實(shí)例。最后對(duì)基于異步設(shè)計(jì) 的ARM核 AMCLET及異步SUC子系統(tǒng) AMUlET3打的研究進(jìn)行了介紹木書的特點(diǎn)是將基于ARM微處理器核的SC設(shè)計(jì)和實(shí)際恢人式系統(tǒng)的應(yīng)用集成于一體,對(duì)于基于ARM核的S設(shè)計(jì) 和嵌λ式系統(tǒng)開發(fā)者來說是一本很好的參考手冊(cè)。可用作計(jì)算機(jī)科學(xué)拉術(shù)與應(yīng)用電氣T程、電∫科學(xué)與技術(shù)專業(yè)科牛及碩研究生的教材,也可作為從事集成電路設(shè)計(jì)的[程技術(shù)人員、于ARM的嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用開發(fā)技術(shù)入員的參考書。

標(biāo)簽： ARM SoC

上傳時(shí)間： 2020-04-02

上傳用戶：hongpixiaozhu
第三代半導(dǎo)體GaN功率開關(guān)器件的發(fā)展現(xiàn)狀及面臨的挑戰(zhàn)

作者：何亮，劉揚(yáng)論文摘要：氮化鎵 (G a N )材料具有優(yōu) 異的物理特性，非常適合于制作高溫、高速和大功率電子器件，具有十分廣闊的市場(chǎng)前景。 S i襯底上 G a N 基功率開關(guān) 器件是目前的主流技術(shù) 路線，其中結(jié) 型柵結(jié) 構(gòu) （p 型柵）和共源共柵級(jí) 聯(lián) 結(jié) 構(gòu) (C asco de)的常關(guān) 型器件已經(jīng) 逐步實(shí) 現(xiàn) 產(chǎn) 業(yè) 化，并在通用電源及光伏逆變等領(lǐng) 域得到應(yīng) 用。但是鑒于以上兩種器件結(jié) 構(gòu) 存在的缺點(diǎn) ，業(yè) 界更加期待能更充分發(fā) 揮 G a N 性能的 “ 真 ” 常關(guān) M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面實(shí)用化，仍然面臨著在材料外延方面和器件穩(wěn) 定性方面的挑戰(zhàn) 。

標(biāo)簽： 第三代半導(dǎo)體 GaN 功率開關(guān)器件

上傳時(shí)間： 2021-12-08

上傳用戶：XuVshu