介紹由傳輸線變壓器(又稱為魔T 混合網(wǎng)絡(luò)) 構(gòu)成功率合成和功率分配的工作原理以及在射頻大功率放大器中的應(yīng)用。
標(biāo)簽： 傳輸線變壓器 中的應(yīng)用 射頻功率放大器
上傳時間： 2014-08-15
上傳用戶：ghostparker
射頻遙控在家電遙控器中的應(yīng)用電路圖
標(biāo)簽： 射頻遙控 家電遙控器 中的應(yīng)用 電路圖
上傳時間： 2013-11-19
上傳用戶：erkuizhang
利用MOS場效應(yīng)管(MOSFET)，采取AB類推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術(shù)，設(shè)計出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊，其輸出脈沖功率達(dá)1200W，工作頻段0.6M~10MHz。調(diào)試及實用結(jié)果表明，該放大器工作穩(wěn)定，性能可靠
上傳時間： 2013-11-17
上傳用戶：waitingfy
射頻電路PCB設(shè)計
上傳時間： 2014-01-13
上傳用戶：a1054751988
PCB 設(shè)計對于電路設(shè)計而言越來越重要。但不少設(shè)計者往往只注重原理設(shè)計,而對PCB 板的設(shè)計布局考慮不多,因此在完成的電路設(shè)計中常會出現(xiàn)EMC 問題。文中從射頻電路的特性出發(fā),闡述了射頻電路PCB 設(shè)計中需要注意的一些問題。
上傳時間： 2013-10-24
上傳用戶：jiangxiansheng
介紹了采用protel 99se進(jìn)行射頻電路pcb設(shè)計的設(shè)計流程為了保證電路的性能。在進(jìn)行射頻電路pcb設(shè)計時應(yīng)考慮電磁兼容性，因而重點討論了元器件的布局與布線原則來達(dá)到電磁兼容的目的.關(guān)鍵詞 射頻電路 電磁兼容 布局
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：竺羽翎2222
基于DDS AD9835的高壓射頻信號源的設(shè)計
上傳時間： 2013-10-23
上傳用戶：woshiayin
6 GEMS壓力變送器3000系列-超高壓變送器 GEMS壓力變送器3000的行業(yè)應(yīng)用： 船舶、工程機(jī)械 產(chǎn)品特點： ■工作壓力可高達(dá)10,000PSI ■高精度-在整個應(yīng)用過程中,精度在±0.15%之內(nèi) ■高穩(wěn)定性-長期漂移≤0.05%FS/6年 ■高的抗震動性能-采用了薄膜濺射式設(shè)計,取消了易破的連接線 GEMS壓力變送器3000的性能參數(shù) 精度 0.15%FS 重復(fù)性 0.03%FS 長期穩(wěn)定性 0.06%F.S/年 壓力范圍 0-500、1000、2000、3000、5000、6000、7500、10,000psi 耐壓 2xF.S,15,000PSI,Max. 破裂壓力 7xFS 4xFS,對于10,000psi 疲勞壽命 108次滿量程循環(huán) 零點公差 0.5%F.S 量程公差 0.5%F.S,響應(yīng)時間0.5毫秒 溫度影響 溫漂 1.5%FS(-20℃到80℃) 2%FS(-40℃到100℃) 2.7%FS(-55℃到120℃) GEMS壓力變送器3000的環(huán)境參數(shù) 振動 正弦曲線,峰值70g,5～5000HZ(根據(jù)MIL-STD810,514.2方法程序I) EMC 30V/m(100V/m Survivability) 電壓輸出 電路 見PDF文件(3線) 激勵 高于滿程電壓1.5VDC,最大到35VDC@6mA 最小環(huán)路電阻 (FS輸出/2)Kohms 供電靈敏度 0.01%FS/Volt 電流輸出 電路 2線 環(huán)路供電電壓 24VDC(7-35VDC) 輸出 4-20mA 最大環(huán)路電阻 (Vs-7)x50Ω 供電靈敏度 0.01%FS/V 比率輸出 輸出 0.5v到4.5v(3線)@5VDC供電 輸出激勵電壓 5VDC(4.75V-7VDC) GEMS壓力變送器3000的物理參數(shù) 殼體 IP65代碼G(NEMA4);IP67代碼F(NEMA6) 接液部件 17-4和15-5不銹鋼 電氣連接 見訂貨指南 壓力連接 1/4″NPT或G1/4 重量(約) 110g(電纜重量另加:75g/m) 機(jī)械震動 1000g/MIL-STD810,方法516.2,程序Ⅳ 加速度 在任意方向施加100g的穩(wěn)定加速度時1bar(15psi)量程變送器的輸出會波動0.032%FS/g,量程增大到400bar(6000psi)時輸出波動會按對數(shù)遞減至0.0007%FS/g. 認(rèn)證等級 CE
上傳時間： 2013-10-09
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設(shè)計了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對變壓器的并聯(lián)和串聯(lián)兩種功率合成形式進(jìn)行分析與比較，指出了匝數(shù)比、功率單元數(shù)目以及寄生電阻對變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設(shè)計方法，即采用多層金屬疊層并聯(lián)以及將功放單元內(nèi)置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設(shè)計變壓器時面臨的寄生電阻過大及有效耦合長度不足等困難。設(shè)計的變壓器在2～3 GHz頻段內(nèi)的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達(dá)76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應(yīng)用。
標(biāo)簽： CMOS 射頻功率放大器 變壓器 合成技術(shù)
上傳時間： 2014-12-24
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物理科學(xué)與電子技術(shù)學(xué)院實驗課表
標(biāo)簽： 物理科學(xué) 實驗 電子技術(shù)
上傳時間： 2013-10-11
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