SiCOI MESFET的特性分析
使用ISE-TCAD二維器件仿真軟件,對SiCOI MESFET的電學特性進行模擬分析。結(jié)果表明,通過調(diào)整器件結(jié)構(gòu)參數(shù),例如門極柵長、有源層摻雜濃度、有源區(qū)厚度等,對器件轉(zhuǎn)移特性、輸出特性有較大影響。...
使用ISE-TCAD二維器件仿真軟件,對SiCOI MESFET的電學特性進行模擬分析。結(jié)果表明,通過調(diào)整器件結(jié)構(gòu)參數(shù),例如門極柵長、有源層摻雜濃度、有源區(qū)厚度等,對器件轉(zhuǎn)移特性、輸出特性有較大影響。...
關(guān)于相位噪聲專題的信息有很多,包括相位噪聲特性1、相位噪聲測量方法2以及它對系統(tǒng)性能的影響3。眾所周知,振蕩器和時鐘的相位噪聲已成為導致現(xiàn)代無線電系統(tǒng)性能降低的因素之一。然而,大...
基于探索 RLC串聯(lián)電路諧振特性仿真實驗技術(shù)的目的,采用Multisim10仿真軟件對RLC串聯(lián)電路諧振特性進行了仿真實驗測試,給出了幾種Multisim仿真實驗方案,介紹了諧振頻率、上限頻率、下...
分析了調(diào)幅信號和載波信號之間的相位差與調(diào)制信號的極性的對應關(guān)系,得出了相敏檢波電路輸出電壓的極性與調(diào)制信號的極性有對應關(guān)系的結(jié)論。為了驗證相敏檢波電路的這一特性,給出3 個電路方案,分別選用理想元件和...
摘要:從功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和極間電容的電壓依賴關(guān)系出發(fā),對功率MOSFET的開關(guān)現(xiàn)象及其原因進行了較深入分析。從實際應用的角度,對功率MOSFET開關(guān)過程的功率損耗和所需驅(qū)動功率進行了研究,提出...
本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動電路和在動態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動態(tài)特性,然后根據(jù)功率MOSFET對驅(qū)動電路的要求,對驅(qū)動電路進行了參數(shù)計...
.MS Access Database方式 設計過程中的全部文件都存儲在單一的數(shù)據(jù)庫中,同原來的Protel99文件方式。即所有的原理圖、PCB文件、網(wǎng)絡表、材料清單等等都存在一個.ddb文件中,在資...
PCB 被動組件的隱藏特性解析 傳統(tǒng)上,EMC一直被視為「黑色魔術(shù)(black magic)」。其實,EMC是可以藉由數(shù)學公式來理解的。不過,縱使有數(shù)學分析方法可以利用,但那些數(shù)學方程式對實際的EMC...
阻抗特性設計要求...
關(guān)天太陽能電池的特性 有用的哦...